技术特征:
技术总结
本申请公开了一种测试结构及其制造方法,涉及半导体技术领域。所述方法包括:提供顶部晶圆结构,所述顶部晶圆结构包括:顶部晶圆和在所述顶部晶圆的底部彼此间隔开的多个第一焊盘;提供底部晶圆结构,所述底部晶圆结构包括:底部晶圆和在所述底部晶圆的顶部彼此间隔开的多个第二焊盘,相邻的两个第二焊盘中的至少一个第二焊盘的侧面具有绝缘层;将所述多个第一焊盘与所述多个第二焊盘通过共晶键合的方式键合,其中每个第一焊盘与一个第二焊盘键合,从而形成多个焊盘。本申请可以改善键合后的焊盘相连的问题。
技术研发人员:毛益平;李广宁
受保护的技术使用者:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日:2017.09.01
技术公布日:2019.03.05
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。