技术特征：
技术总结
本发明公开了一种电连接方法及半导体结构，用于电连接MEMS晶圆与CMOS晶圆，所述电连接方法包括步骤：提供一MEMS晶圆以及一CMOS晶圆，并在其中一个晶圆上刻蚀硅通孔；在所述刻蚀有硅通孔的晶圆上形成多晶锗硅以填充所述硅通孔；将所述MEMS晶圆与所述CMOS晶圆键合以连接集成二者的电极；减薄所述刻蚀有硅通孔晶圆的衬底区域以暴露出所述硅通孔。本发明以填充有多晶锗硅的硅通孔替代传统方法或技术中CMOS晶圆上切割暴露出的金属垫，不用对MEMS晶圆与CMOS晶圆进行开窗切割操作，减少了工作量，减小了生产周期并降低了生产成本；且还可避免切割开窗操作对MEMS器件的损坏与污染。
技术研发人员：黄锦才
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.09.27
技术公布日：2019.02.12
再多了解一些
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