技术特征：
技术总结
本发明提供一种压电式MEMS加速度传感器及其制备方法，包括依次连接的盖板、检测结构层和底衬；检测结构层中部设有敏感质量块和L形固支梁，在检测结构层的上、下两面中心位置分别设有上限位柱、下限位柱，并分别与盖板、底衬相适配，并采用2次的硅‑硅键合方法，形成内部封闭的压电式MEMS加速度传感器。整个装置当受到非过载加速度时，压电陶瓷薄膜受力形变，在表面产生电压信号；当受到过载加速度时，受限于外框的限位结构，敏感质量块仅位移传感器阻尼系统间隙距离，从而起到全方位过载保护的作用。
技术研发人员：许高斌;王超超;陈兴;马渊明;胡海霖
受保护的技术使用者：合肥工业大学
技术研发日：2018.09.03
技术公布日：2019.01.08
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
