技术总结
本公开提供了一种基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法,在单晶硅衬底上形成介质层,并形成感压薄膜;在感压薄膜正面淀积金属催化剂层,在谐振子区域离子注入碳,并促使石墨烯生长;淀积刻蚀金属以形成电学互联;刻蚀介质层,释放形成石墨烯谐振子;制作玻璃封装盖板,将玻璃封装盖板与石墨烯谐振子所在面对准键合;制作玻璃保护板,将玻璃保护板与感压薄膜的背面深腔所在面对准键合,划片成分离压力传感器芯片。
技术研发人员:张明亮;季安;王晓东;杨富华
受保护的技术使用者:中国科学院半导体研究所
技术研发日:2017.12.29
技术公布日:2018.06.22
本公开提供了一种基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法,在单晶硅衬底上形成介质层,并形成感压薄膜;在感压薄膜正面淀积金属催化剂层,在谐振子区域离子注入碳,并促使石墨烯生长;淀积刻蚀金属以形成电学互联;刻蚀介质层,释放形成石墨烯谐振子;制作玻璃封装盖板,将玻璃封装盖板与石墨烯谐振子所在面对准键合;制作玻璃保护板,将玻璃保护板与感压薄膜的背面深腔所在面对准键合,划片成分离压力传感器芯片。
技术研发人员:张明亮;季安;王晓东;杨富华
受保护的技术使用者:中国科学院半导体研究所
技术研发日:2017.12.29
技术公布日:2018.06.22
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。