一种MEMS器件及其制备方法、电子装置与流程

技术总结
本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述MEMS器件包括：基底；振膜，位于所述基底的上方；背板，位于所述振膜的上方；空腔，位于所述振膜和所述背板之间；其中，在与所述振膜相对的所述背板的表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构，所述停止结构呈中空的环形形状。本发明中新的停止结构设计(design Stopper)采用更细的环形结构，能有效的减少整体的接触面积。减少粘合力，在振膜(下极板)灵敏度相同的情况下，新结构的可靠性更好。此外，本申请还优化了停止结构的图样的密度设计，四周密集的分布，中间的稀疏分布，能更有效的防止下极板中间区域的失效。

技术研发人员：俞宏俊
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.12.19
技术公布日：2018.06.26