一种MEMS器件及其制备方法、电子装置与流程

技术特征：

1.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：

基底；

振膜，位于所述基底的上方；

背板，位于所述振膜的上方；

空腔，位于所述振膜和所述背板之间；

其中，在与所述振膜相对的所述背板的表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构，所述停止结构呈中空的环形形状。

2.根据权利1所述的MEMS器件，其特征在于，从所述背板的中心区域向所述背板的边缘区域所述停止结构的设置密集程度逐渐增加。

3.根据权利1所述的MEMS器件，其特征在于，所述背板中形成有若干声孔，以露出所述振膜。

4.根据权利1所述的MEMS器件，其特征在于，所述基底中形成有背腔，以露出部分所述振膜。

5.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有图案化的振膜；

在所述振膜上形成牺牲层，以覆盖所述振膜；

图案化所述牺牲层，以在所述牺牲层上形成若干相互间隔的环形凹槽；

在所述牺牲层上形成背板，以覆盖所述牺牲层，同时填充所述环形凹槽，以在所述背板的表面形成停止结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，从所述背板的中心区域向所述背板的边缘区域所述停止结构的设置密集程度逐渐增加。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，图案化所述牺牲层的步骤包括：

在所述基底和所述振膜上形成牺牲层，以覆盖所述振膜；

在所述牺牲层上形成图案化的掩膜层，在所述掩膜层中形成有环形凹槽图案；

以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述牺牲层，以在所述牺牲层形成所述环形凹槽。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：

图案化所述背板，以在所述背板中形成声孔并露出所述牺牲层；

去除所述牺牲层，以在所述背板和所述振膜之间形成空腔并露出所述停止结构。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括图案化所述基底的背面，以在所述基底中形成背腔并露出部分所述振膜。

10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1至4之一所述的MEMS器件。