高密封良率的多层密封膜的制作方法

技术特征：

1.一种微电子机械系统(MEMS)封装件，包括：

支撑结构；

微电子机械系统衬底，位于所述支撑结构上方并且接合至所述支撑结构，其中，所述支撑结构和所述微电子机械系统衬底限定了位于所述支撑结构和所述微电子机械系统衬底之间的腔体，并且其中，所述微电子机械系统衬底包括从所述微电子机械系统衬底的上侧延伸穿过所述微电子机械系统衬底至所述腔体的通气口；以及

多层密封膜，覆盖并且密封所述通气口以防止所述微电子机械系统衬底的上侧的第一压力通过所述通气口与所述腔体中的第二压力平衡，其中，所述多层密封膜包括金属层对和夹在所述金属层之间的阻挡层。

2.根据权利要求1所述的微电子机械系统封装件，其中，所述阻挡层是导电的并且包括金属或陶瓷，并且其中所述金属或所述陶瓷的晶粒尺寸小于所述金属层的晶粒尺寸。

3.根据权利要求1所述的微电子机械系统封装件，其中，所述金属层包括铝或铜，并且其中，所述阻挡层包括钛或钽。

4.根据权利要求1所述的微电子机械系统封装件，其中，所述金属层对包括第一金属层和第二金属层，其中，所述阻挡层位于所述第一金属层上方并且接触所述第一金属层，并且其中所述第二金属层位于所述阻挡层上方并且接触所述阻挡层。

5.根据权利要求4所述的微电子机械系统封装件，还包括：

第二阻挡层，位于所述第二金属层上方并且接触所述第二金属层；以及

第三金属层，位于所述第二阻挡层上方并且接触所述第二阻挡层。

6.根据权利要求4所述的微电子机械系统封装件，其中，所述第一金属层包括从所述通气口沿着所述第一金属层的晶粒边界延伸至所述阻挡层的裂缝，并且其中，所述裂缝终止在所述阻挡层处。

7.根据权利要求1所述的微电子机械系统封装件，其中，所述腔体包括沟道，其中，所述沟道在第一方向上沿着所述沟道的长度远离所述腔体的主体横向延伸，其中，所述沟道具有比所述腔体的主体更小的宽度和更小的深度，其中，所述通气口位于所述沟道上方，并且其中，所述通气口和所述腔体的主体位于所述沟道的相对两侧上。

8.根据权利要求7所述的微电子机械系统封装件，其中，所述腔体包括第二沟道，其中，所述第二沟道在第二方向上沿着所述第二沟道的长度远离所述腔体的主体横向延伸，其中，所述第二方向与所述第一方向相反，其中，所述第二沟道具有比所述腔体的主体更小的宽度和更小的深度，其中，所述微电子机械系统衬底包括位于所述第二沟道上面的第二通气口，并且其中，所述第二通气口和所述腔体的主体位于所述第二沟道的相对两侧上。

9.一种用于制造微电子机械系统(MEMS)封装件的方法，所述方法包括：

对支撑结构实施第一蚀刻以在所述支撑结构中形成腔体；

将微电子机械系统衬底接合至所述支撑结构以密封所述腔体；

对所述微电子机械系统衬底实施第二蚀刻以形成开封所述腔体的通气口；以及

形成覆盖所述通气口并且进一步密封所述通气口和所述腔体的多层密封膜，其中，所述多层密封膜包括金属层对和夹在金属层之间的阻挡层。

10.一种微电子机械系统(MEMS)封装件，包括：

支撑结构，包括半导体衬底和互连结构，其中，所述互连结构覆盖所述半导体衬底，其中，所述互连结构包括介电层、通孔、布线和沟道焊盘对，并且其中，所述通孔、所述布线和所述沟道焊盘堆叠在所述介电层中；

微电子机械系统衬底，位于所述互连结构上方并且接合至所述互连结构，其中，所述互连结构和所述微电子机械系统衬底将腔体横向限定在所述沟道焊盘之间并且垂直限定在所述互连结构和所述微电子机械系统衬底之间，其中，所述微电子机械系统衬底包括微电子机械系统器件和通气口对，其中，所述通气口从所述微电子机械系统衬底的顶部延伸穿过所述微电子机械系统衬底至所述腔体，并且分别位于所述沟道焊盘上方，并且其中，所述沟道焊盘位于所述腔体中；以及

多层密封膜对，分别覆盖并且密封所述通气口以防止所述微电子机械系统衬底的顶部处的第一压力通过所述通气口与所述腔体中的第二压力平衡，其中，所述多层密封膜的每个均包括金属层对和夹在所述金属层之间的阻挡层，并且其中，所述金属层具有比所述阻挡层更大的金属晶粒。