集成MEMS结构与互连和过孔的制作方法

2021-10-26 12:48:33 来源：中国专利 TAG：电子器件微机本文描述集成

技术特征：

技术总结
将导电层沉积到衬底上的牺牲层中的沟槽中。在导电层之上沉积蚀刻停止层。移除牺牲层以形成间隙。在一个实施例中，梁在衬底之上。互连在梁上。蚀刻停止层在梁之上。间隙在梁与蚀刻停止层之间。

技术研发人员：K.L.林;C.帕瓦舍;R.金;I.A.扬;K.J.辛格;R.L.布里斯托尔
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2015.06.22
技术公布日：2018.02.16

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