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一种微机电系统的制作方法

2021-10-26 12:45:49 来源:中国专利 TAG:微机 相关 系统

技术特征:

1.一种微机电系统,其特征在于,包括:采用扇出封装的微机电系统芯片晶圆、采用扇入封装的专用集成电路芯片晶圆,所述微机电系统芯片晶圆上设有与微机电系统管脚电连接的微机电系统凸块,所述微机电系统凸块与所述专用集成电路芯片晶圆正面的专用集成电路凸块电连接。

2.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于,所述微机电系统芯片晶圆包括:微机电系统芯片,所述微机电系统芯片埋置在有机树脂内,微机电系统芯片的正面设置有一层微机电系统绝缘层,所述微机电系统绝缘层与所述微机电系统芯片的微机电系统管脚对应的位置设有盲孔,在所述绝缘层上设有通过所述盲孔与所述微机电系统管脚电连接的微机电系统重布线层,在所述微机电系统重布线层上设有一层微机电系统钝化层,并且在所述微机电系统钝化层上设有通过球下金属层与所述微机电系统管脚电连接的微机电系统凸块。

3.根据权利要求2所述的微机电系统,其特征在于,所述微机电系统凸块设置在所述有机树脂的投影范围内。

4.根据权利要求2所述的微机电系统,其特征在于,所述微机电系统芯片埋置在有机树脂内,并露出所述微机电系统芯片的功能区域。

5.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于,所述专用集成电路芯片晶圆包括:专用集成电路芯片,所述专用集成电路芯片的正面设有专用集成电路凸块,所述专用集成电路芯片的背面蚀刻有硅槽,在所述硅槽底部设有底槽,在所述硅槽内以及所述专用集成电路芯片的背面设有第一专用集成电路绝缘层,在所述硅槽内沉积有通过电镀增厚的金属层,在所述第一专用集成电路绝缘层上设有与所述专用集成电路管脚电连接的专用集成电路重布线线路层,在所述专用集成电路重布线线路层上方设置有第二专用集成电路绝缘层,在所述第二专用集成电路绝缘层的焊球阵列的植球位置设置有专用集成电路球下金属层,所述专用集成电路球下金属层上设置有焊球阵列球。

6.根据权利要求5所述的微机电系统,其特征在于,所述硅槽蚀刻在相邻两个所述集成电路凸块之间。

7.根据权利要求5所述的微机电系统,其特征在于,所述底槽为梯形槽。

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