MEMS压电器件、能量采集系统以及便携式或移动型电子装置的制作方法

技术特征：

1.一种MEMS压电器件，包括：

半导体材料的单片式本体，具有第一主表面和第二主表面，所述第一主表面和所述第二主表面平行于由第一水平轴和第二水平轴形成的水平面并且沿着竖直轴彼此相对；

壳腔体，布置在所述单片式本体内；

膜，在所述单片式本体的所述第一主表面处悬置在所述壳腔体上方；

压电材料层，布置在所述膜的第一表面上方；

电极装置，布置成与所述压电材料层接触；以及

检测质量，耦合至所述膜的沿着所述竖直轴与所述第一表面相对的第二表面并且被设计成响应于机械振动引起所述第二表面的形变，

其特征在于，所述检测质量通过连接元件耦合至所述膜，所述连接元件布置在中心位置中并且在所述竖直轴的方向上在所述膜与所述检测质量之间。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述壳腔体布置在所述检测质量的面对所述膜的第一表面与所述膜的所述第二表面之间，并且在平行于所述水平面的方向上在侧向上环绕所述连接元件。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述连接元件具有柱状构造并且布置在所述膜的几何中心。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述膜具有沿着所述第一水平轴的延伸，所述检测质量具有比所述膜的所述延伸短的沿着所述第一水平轴的相应延伸，并且所述连接元件具有比所述检测质量的所述相应延伸短的沿着所述第一水平轴的相应延伸。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括与所述壳腔体流体连通的释放开口，所述释放开口在所述膜侧向布置并且在所述第一主表面处将所述膜与所述单片式本体分离。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述释放开口被设计成定义所述膜到所述单片式本体的约束类型。

7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述约束类型是双约束，并且所述释放开口包括第一开口部分和第二开口部分，所述第一开口部分和所述第二开口部分在沿着所述第二水平轴相对的侧上在所述膜侧向延伸；或者所述类型的约束是四点约束，并且所述释放开口还包括第三开口部分和第四开口部分，所述第三开口部分和所述第四开口部分在沿着所述第一水平轴相对的侧上在所述膜侧向延伸。

8.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述膜被完全约束到所述单片式本体以沿着所述单片式本体的整个周界与所述单片式本体接触。

9.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述电极装置至少包括一个第一组电极和一个第二组电极，所述一个第一组电极和所述一个第二组电极在所述连接元件侧向布置并且具有梳指状或圆形配置。

10.一种能量采集系统，其特征在于，包括根据权利要求1-9中的任一项所述的MEMS压电器件，具有将与所述机械振动相关联的机械能量转换成电信号的功能。

11.一种便携式或移动型电子装置，其特征在于，设置有根据权利要求10所述的能量采集系统。