垂直对齐的GaAs半导体纳米线阵列的大面积制造方法与流程

技术总结
本发明涉及一种自下而上型的制造GaAs半导体纳米线的方法，尤其是涉及一种通过使用金属薄膜从外部施加电压或电流大面积制造垂直对齐的GaAs半导体纳米线阵列的方法，其通过大面积制造网格型金属薄膜的经济性方法将制成的金属薄膜作为阳极(anode)，这样孔(h )就注入到GaAs基板精，进而持续诱导湿法刻蚀。获得的大面积的垂直对齐的GaAs半导体纳米线阵列可应用于太阳能电池、晶体管或发光二极管等纳米元件的制造。本发明的GaAs半导体纳米线的直径可通过控制金属薄膜的网格尺寸来调节，纳米线的长度可通过刻蚀时间的控制、施加的电压及施加的电流来自由调整，这也同样适用于不同III‑V族半导体纳米线阵列的制造。

技术研发人员：李雨;申正镐
受保护的技术使用者：韩国标准科学研究院
文档号码：201480079794
技术研发日：2014.06.25
技术公布日：2017.05.31