一种平板电容MEMS器件电容间隙的控制制备方法与流程

技术总结
本发明公开一种平板电容MEMS器件电容间隙的控制制备方法，包括以下步骤：S1）采用双抛硅片作为衬底，通过热氧化在衬底上制作第一氧化层，然后在氧化层上利用LPCVD制备氮化硅层；S2）制备衬底容腔，在衬底容腔上制备第二氧化层；S3）通过刻蚀去除衬底容腔以外的氮化硅层，并通过BOE漂去所有的氧化层，形成平板电容式MEMS器件的电容间隙；S4）将可动结构层与制备完电容间隙的衬底硅硅键合，再通过盖帽做晶圆级封装，得到平板电容式MEMS器件；利用高温形成的氧化层厚度控制电容间隙的厚度，由于高温形成的氧化层厚度在片内及片间均有良好的一致性，因此，可以保证平板电容式MEMS器件性能、片内及片间的一致性与重复性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。

技术研发人员：王鹏;郭群英;曹卫达;段宝明;何凯旋
受保护的技术使用者：华东光电集成器件研究所
文档号码：201610715431
技术研发日：2016.08.25
技术公布日：2016.12.21