一种平板电容MEMS器件电容间隙的控制制备方法与流程

技术特征：

1.一种平板电容MEMS器件电容间隙的控制制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1）采用双抛硅片作为衬底，通过热氧化在衬底上制作第一氧化层，然后在氧化层上利用LPCVD制备氮化硅层；

S2）采用光刻工艺形成容腔图形，再刻蚀去除容腔图形中的氮化硅层，利用BOE漂去容腔图形中的第一氧化层，得到衬底容腔；在衬底容腔上制备第二氧化层，第二氧化层的厚度作为平板电容MEMS器件的电容间隙厚度；

S3）通过刻蚀去除衬底容腔以外的氮化硅层，并通过BOE漂去所有的氧化层，形成平板电容MEMS器件的电容间隙；

S4）将可动结构层与制备完电容间隙的衬底硅硅键合，再通过盖帽做晶圆级封装，得到平板电容MEMS器件。