半导体材料的密封器件的制作方法

技术特征：

1.一种半导体材料的密封器件，其特征在于，包括：

封装本体(51)，具有基础元件(52)；

半导体材料的第一芯片(56)；以及

至少一个柱元件(60；60A)，布置在所述第一芯片(56)和所述基础元件(52)之间并且将所述第一芯片(56)和所述基础元件(52)固定到一起，所述柱元件(60；60A)的杨氏模量低于所述第一芯片的杨氏模量。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，包括位于所述第一芯片(56)和所述封装本体(51)之间的空置空间。

3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一芯片(56)是MEMS。

4.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，第二芯片(57)接合至所述第一芯片(56)。

5.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，包括多个柱元件(60)，其中所述第一芯片(56)具有包括角部的矩形形状的固定表面(56A)，并且所述柱元件(60)被固定为与所述芯片(56)的所述固定表面(56A)的所述角部邻近。

6.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一芯片(56)具有面对所述基础元件(58)的固定表面(56A)，其中所述柱元件被布置在中心(60A)处并且固定至所述第一芯片(56)的所述固定表面(56A)的中心部分。

7.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述至少一个柱元件(60；60A)是有机材料、抗蚀剂或软胶的。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述至少一个柱元件(60；60A)是DAF层。

9.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述封装本体(51)是陶瓷材料的。

10.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，还包括支撑芯片(59)，所述支撑芯片(59)被布置在所述基础元件(52)与所述至少一个柱元件(60；60A)之间。

11.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述柱元件(60；60A)的杨氏模量低于500MPa。

12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述柱元件(60；60A)的杨氏模量低于300MPa。