一种金属纳米线膜的制备方法以及导电元件与流程

技术总结
本发明涉及一种金属纳米线膜的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一基底，并在所述基底的一表面预先形成一金属层；提供一具有多个微孔的碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一碳纳米管结构以及一包覆于该碳纳米管结构表面的保护层，且该碳纳米管结构包括多个沿同一方向择优取向延伸的碳纳米管；以该碳纳米管复合结构为掩模干法刻蚀所述金属层，从而在所述基底的表面形成一金属纳米线膜；以及去除所述碳纳米管复合结构。本发明还涉及一种采用该方法制备的导电元件。本发明提供的金属纳米线膜的制备方法，采用碳纳米管复合结构作为掩模，且与干法刻蚀工艺相结合，该方法工艺简单，可以大面积制备金属纳米线膜。

技术研发人员：金元浩;李群庆;范守善
受保护的技术使用者：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
文档号码：201510263855
技术研发日：2015.05.21
技术公布日：2017.01.04