一种金属纳米线膜的制备方法以及导电元件与流程

技术特征：

1.一种金属纳米线膜的制备方法，该方法包括以下步骤：

提供一基底，并在所述基底的一表面预先形成一金属层；

提供一具有多个微孔的碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一碳纳米管结构以及一包覆于该碳纳米管结构表面的保护层，且该碳纳米管结构包括多个沿同一方向择优取向延伸的碳纳米管；

以该碳纳米管复合结构为掩模干法刻蚀所述金属层，从而在所述基底的表面形成一金属纳米线膜；以及

去除所述碳纳米管复合结构。

2.如权利要求1所述的金属纳米线膜的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括一碳纳米管膜；该碳纳米管膜中的碳纳米管平行于所述碳纳米管膜的表面且沿同一方向择优取向延伸，在延伸方向上相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连从而使该碳纳米管膜形成一自支撑结构。

3.如权利要求2所述的金属纳米线膜的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多个层叠设置的碳纳米管膜；且相邻的两个碳纳米管膜中碳纳米管的延伸方向成一α角度，0°≤α≤90°。

4.如权利要求2所述的金属纳米线膜的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管复合结构通过以下方法制备：首先，将所述碳纳米管膜至少部分悬空设置；然后，在所述碳纳米管膜表面沉积保护层。

5.如权利要求4所述的金属纳米线膜的制备方法，其特征在于，所述保护层包覆于每个碳纳米管的整个表面，且所述保护层的厚度为3纳米～20纳米。

6.如权利要求4所述的金属纳米线膜的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料为金属氧化物、金属硫化物以及非金属氧化物中的一种或多种。

7.如权利要求4所述的金属纳米线膜的制备方法，其特征在于，所述在所述碳纳米管膜表面沉积保护层的步骤之前进一步包括：采用一激光沿着该碳纳米管膜中的碳纳米管的延伸方向进行扫描。

8.如权利要求7所述的金属纳米线膜的制备方法，其特征在于，所述激光的功率密度大于0.053×10¹²瓦特/平方米，且所述激光的光斑直径为10微米～100微米。

9.如权利要求1所述的金属纳米线膜的制备方法，其特征在于，所述以该碳纳米管复合结构为掩模干法刻蚀所述金属层的步骤包括：将所述具有多个 微孔的碳纳米管复合结构设置在所述金属层表面，从而使所述金属层部分暴露。

10.如权利要求1所述的金属纳米线膜的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀所述金属层的方法为等离子刻蚀或反应性离子刻蚀。

11.如权利要求1所述的金属纳米线膜的制备方法，其特征在于，所述去除碳纳米管复合结构的方法为超声法、撕除法以及氧化法中的一种或多种。

12.如权利要求1所述的金属纳米线膜的制备方法，其特征在于，所述去除碳纳米管复合结构的步骤之后进一步包括一将该金属纳米线膜转印到其它基底表面的步骤。

13.如权利要求1所述的金属纳米线膜的制备方法，其特征在于，所述基底为玻璃片、石英片或聚合物膜。

14.如权利要求1所述的金属纳米线膜的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料为金、银、铜、铁、铝、镍以及铬中的一种或多种。

15.一种导电元件，其包括：一基底，该基底具有一表面；以及一设置于该基底表面的金属纳米线膜；其特征在于，所述金属纳米线膜包括多个平行且间隔设置的金属纳米线束，每个金属纳米线束包括多个平行设置的金属纳米线；且每个金属纳米线束中的相邻金属纳米线之间的距离小于相邻的金属纳米线束之间的距离。

16.如权利要求15所述的导电元件，其特征在于，每个金属纳米线束中的相邻金属纳米线之间的距离为0纳米～50纳米，相邻的金属纳米线束之间的距离为10微米～100微米。

17.如权利要求15所述的导电元件，其特征在于，所述金属纳米线束的宽度为0.05毫米～0.5毫米，所述金属纳米线的宽度为0.5纳米～50纳米。

18.如权利要求15所述的导电元件，其特征在于，所述金属纳米线膜包括多个平行间隔且交叉设置的金属纳米线束，从而使该金属纳米线膜形成一网状结构。

19.如权利要求18所述的导电元件，其特征在于，所述交叉设置的金属纳米线束为通过掩模干法刻蚀一金属层形成的一体结构。

20.如权利要求18所述的导电元件，其特征在于，所述交叉设置的金属纳米线束在交叉处的厚度等于每个金属纳米线束的厚度。

21.如权利要求15所述的导电元件，其特征在于，每个金属纳米线束还包括多个随机分布的金属纳米线。

22.如权利要求21所述的导电元件，其特征在于，所述随机分布的金属纳米线搭接在相邻的金属纳米线之间。

23.如权利要求15所述的导电元件，其特征在于，所述基底为玻璃片、石英片或聚合物膜。

24.如权利要求15所述的导电元件，其特征在于，所述金属层的材料为金、银、铜、铁、铝、镍以及铬中的一种或多种。