微镜组件和制造方法与流程

技术特征：

1.微镜组件(1)，

具有一个镜膜片(2)；

具有至少一个第一承载元件(3-1至3-22)；

针对每个第一承载元件(3-1至3-22)具有一个第一耦合元件(4-1至4-22)，所述第一耦合元件布置在所述镜膜片(2)和相应的第一承载元件(3-1至3-22)之间并且构造用于使相应的第一承载元件(3-1至3-22)与所述镜膜片(2)机械地耦合；

具有至少一个第二承载元件(5-1至5-3)，所述第二承载元件与所述至少一个第一承载元件(3-1至3-22)机械地耦合；和

针对每个第二承载元件(5-1至5-3)具有一个第二耦合元件(6-1至6-3)，所述第二耦合元件构造用于被机械式接触。

2.根据权利要求1所述的微镜组件，

具有至少一个桥接部(7，7-1至7-21)，所述桥接部构造用于使所述至少一个第一承载元件(3-1至3-22)和所述至少一个第二承载元件(5-1至5-3)相互机械地耦合。

3.根据权利要求2所述的微镜组件，

其中，所述至少一个第二承载元件(5-1至5-3)以桥接部的形式构造，并且，所述至少一个桥接部(7，7-1至7-21)相对于所述至少一个第二承载元件(5-1至5-3)以一个预定的角度布置、尤其是以90°或者45°的角度布置。

4.根据权利要求2或3所述的微镜组件，

其中，所述第一耦合元件(4-1至4-22)分别布置在所述至少一个桥接部(7，7-1至7-21)的端部上；或者

其中，所述第一耦合元件(4-1至4-22)在所述至少一个桥接部(7，7-1至7-21)的长度上分布地布置，尤其是相对于所述镜膜片(2)的中心轴线(8)对称地分布地布置。

5.根据以上权利要求中任一项所述的微镜组件，

其中，所述第一耦合元件(4-1至4-22)点状和/或者圆形地构造；和/或

其中，所述第一耦合元件(4-1至4-22)至少在所述镜膜片(2)的边缘区域上接触所述镜膜片(2)。

6.根据以上权利要求中任一项所述的微镜组件，

其中，所述第一耦合元件(4-1至4-22)使所述第一承载元件(3-1至3-22)这样与所述镜膜片(2)耦合，使得在所述微镜组件运动时所述镜膜片(2)的动态变形最小化。

7.根据以上权利要求中任一项所述的微镜组件，

其中，所述至少一个第一承载元件(3-1至3-22)和/或所述至少一个第二承载元件(5-1至5-3)和/或所述镜膜片(2)具有硅；和/或

其中，所述第一耦合元件(4-1至4-22)具有氧化物；和/或

其中，所述第二耦合元件(6-1至6-3)具有锗。

8.根据权利要求7所述的微镜组件，

其中，所述至少一个第一承载元件(3-1至3-22)具有硅并且这样确定尺寸，使得在一个蚀刻过程中在所述镜膜片(2)和所述第一承载元件(3-1至3-22)之间的具有相应氧化物的第一耦合元件(4-1至4-22)没有完全被蚀刻掉；和

其中，所述至少一个第二承载元件(5-1至5-3)具有硅并且这样确定尺寸，使得在一个蚀刻过程中处于相应的第二承载元件(5-1至5-3)和所述镜膜片(2)之间的氧化物层被完全蚀刻掉。

9.用于由SOI晶片(10)制造根据以上权利要求中任一项所述的微镜组件(1)的方法，所述SOI晶片在第一硅层(12)和第二硅层(13)之间具有一个氧化物层(11)，所述方法具有如下步骤：

使所述第二硅层(13)结构化(S1)具有一个镜膜片(2)，并且使所述第一硅层(12)结构化具有第一厚度的至少一个第一承载元件(3-1至3-22)；

使所述第一硅层(12)结构化(S2)具有第二厚度的至少一个第二承载元件(5-1至5-3)，使得所述至少一个第二承载元件(5-1至5-3)与所述至少一个第一承载元件(3-1至3-22)机械地耦合，其中，所述第一厚度小于所述第二厚度；

针对每个第二承载元件(5-1至5-3)将一个第二耦合元件(6-1至6-3)安置(S3)在相应的第二承载元件(5-1至5-3)的背离所述氧化物层(11)的一侧上；和

这样蚀刻(S4)所述氧化物层(11)，使得仅仅在所述镜膜片(2)和所述至少一个第一承载元件(3-1至3-22)之间分别保留具有第一氧化物的第一耦合元件(4-1至4-22)。

10.根据权利要求9所述的方法，

其中，所述结构化包括蚀刻，所述蚀刻尤其是各向异性的蚀刻，所述蚀刻尤其也是借助氢氧化钾的蚀刻、KOH蚀刻或者沟槽蚀刻。

11.根据以上权利要求9和10中任一项所述的方法，

其中，所述氧化物层(11)的蚀刻包括各向同性的蚀刻、尤其是湿化学的各向同性的蚀刻或者借助气相的各向同性的蚀刻。

12.根据以上权利要求9至11中任一项所述的方法，

其中，所述至少一个第一承载元件(3-1至3-22)和所述至少一个第二承载元件(5-1至5-3)这样确定尺寸，使得在蚀刻所述氧化物层(11)时将在所述至少一个第二承载元件(5-1至5-3)和所述镜膜片(2)之间的氧化物完全蚀刻掉，并且，至少部分保留在所述至少一个第一承载元件(3-1至3-22)和所述镜膜片(2)之间的氧化物层(11)中的所述第一耦合元件(4-1至4-22)。