一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法与流程

技术特征：

1.一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在硅片上进行光刻、刻蚀，形成沟槽；

2)在步骤1)中得到的具有沟槽的硅片上生长SiO₂阻挡层；

3)在步骤2)中得到的硅片上淀积多晶硅牺牲层；

4)采用化学机械抛光工艺，用Si粗研磨液对硅片的表面进行平整化处理，去除硅片表面的多晶硅牺牲层，所述沟槽内仍填满多晶硅牺牲层；

5)采用SiO₂研磨液对SiO₂层进行化学机械抛光，去掉硅片表面的部分厚度的SiO₂层，所述沟槽内多晶硅牺牲层的上表面高于槽外SiO₂阻挡层的上表面高度；

6)采用Si精研磨液将步骤5)中硅片上表面凸出的多晶硅牺牲层抛平，形成一种MEMS宽槽低台阶结构。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法，其特征在于：所述步骤1)中的沟槽深度为1～10μm，宽度为10μm～500μm。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法，其特征在于：所述步骤2)中的SiO₂阻挡层的厚度为100nm～2000nm。

4.根据权利要求1所述的一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法，其特征在于：所述步骤3)中的多晶硅牺牲层厚度大于沟槽的深度；所述多晶硅牺牲层还能够是非晶硅材料、聚酰亚胺或光刻胶。

5.根据权利要求1所述的一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法，其特征在于：所述步骤4)中的化学机械抛光过程中，除沟槽内的多晶硅牺牲层外，硅片表面其余区域的多晶硅牺牲层被研磨掉，抛光在SiO₂阻挡层终止。

6.根据权利要求1所述的一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法，其特征在于：所述步骤5)中硅片表面去除掉的SiO₂层的厚度为200～300nm。