技术特征：
技术总结
根据实施例，形成MEMS换能器的方法包括在单晶硅层中形成换能器框架，其中形成换能器框架包括邻近腔形成支撑部分并且形成从支撑部分延伸的第一梳齿集合。形成MEMS换能器的方法进一步包括形成从锚定装置到支撑部分的弹性支撑以及在单晶硅层中形成第二梳齿集合。第二梳齿集合与第一梳齿集合交错对插。
技术研发人员：S.比泽尔特;A.德赫;H.弗勒利希;T.考奇;M.纳瓦茨;A.希雷
受保护的技术使用者：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
技术研发日：2017.04.13
技术公布日：2017.10.24
再多了解一些
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