减小三维堆叠中牺牲层在化学机械抛光中凹陷变形的方法与流程

技术总结
本发明是一种减小三维堆叠中牺牲层在化学机械抛光中凹陷变形的方法，该方法包括以下步骤：（一）生长停止层；（二）刻蚀停止层形成刻蚀槽；（三）沉积牺牲层；（四）刻蚀牺牲层；（五）沉积平坦化层；（六）圆片无图形化刻蚀；（七）去除牺牲层和平坦化层；（八）去除停止层；（九）化学机械抛光调整圆片平整度和粗糙度；（十）研磨后清洗。本发明的优点是：通过增加光刻刻蚀牺牲层和平坦化材料填充，去除了由于图形大小和密度跨度太大造成的表面形貌起伏，并且大大降低了超厚牺牲层CMP的成本；利用无图形刻蚀和三步CMP可以实现超高的平坦化均匀性和极小的凹陷变形，满足三维堆叠中对不同厚度氧化硅牺牲层平坦化的要求。

技术研发人员：钱可强;赵洪元;郁元卫;朱健;禹淼;夏燕
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
文档号码：201611189122
技术研发日：2016.12.21
技术公布日：2017.05.17