一种微纳器件及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种微纳器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：对基片进行超声清洗并烘干；步骤二：在所述基片上运用单原子沉积技术沉积ZnO纳米颗粒，形成ZnO纳米层；步骤三：将沉积了所述ZnO纳米层的基片浸没到石墨烯量子点溶液中，在所述ZnO纳米层上自组装合成石墨烯量子点，构成了多层混合结构；步骤四：通过紫外光照还原氯金酸的方法制备得到纳米Au胶体；步骤五：将所述步骤三得到的多层混合结构浸没到酒精溶液中，并将所述步骤四得到的所述纳米Au胶体加入其中，构成混合溶液；以及步骤六：在紫外灯光源的照射下，用磁力搅拌机搅拌所述步骤五得到的所述混合溶液，利用光催化降解合成将所述纳米Au胶体修饰到所述ZnO纳米层表面，形成纳米Au颗粒，形成所述微纳器件。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基片选用硅片或者导电玻璃。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基片的面积小于400cm2。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述ZnO纳米颗粒的粒度为1-50nm，所述ZnO纳米层的厚度为50-300nm。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯量子点溶液的浓度为0.5-5mg/ml。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤六中的所述紫外灯光源的功率为50-500w。7.一种微纳器件，其根据权利要求1的制备方法所制备。8.根据权利要求7所述的微纳器件，其特征在于，所述ZnO纳米层的厚度为50-300nm。