一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器的制作方法

技术特征：

1.一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器，包括锰钴镍氧薄膜(1)，二氧化硅层(2)，氮化硅层(3)，聚酰亚胺牺牲层(4)和低阻硅衬底(5)；其特征在于：

所述的红外探测器自低阻硅衬底(5)之上依次为聚酰亚胺牺牲层(4)、氮化硅层(3)、二氧化硅层(2)和锰钴镍氧薄膜(1)，在锰钴镍氧薄膜(1)上有铬和金复合金属电极(6)；

所述的聚酰亚胺牺牲层(4)是呈拱形的牺牲层，拱形高度为1-3μm，牺牲层厚度为1-3μm，牺牲层与二氧化硅平直接触；

所述的氮化硅层(3)的厚度50-500nm；

所述的，二氧化硅层(2)的厚度50-500nm；

所述的锰钴镍氧薄膜(1)的厚度0.1-2μm。