技术特征：
技术总结
本公开揭示了一种微米级半导体传感器及其制备方法。本公开所述的微米级半导体传感器采用三电极结构，将硅板刻蚀到设计的形状之后，对收集电极内表面以及提取电极两面进行Ti/Ni/Au膜的镀膜加工，放电阴极表面直接采取ICP刻蚀工艺，加工出微米级硅柱体，在硅柱体表面镀膜，形成微米级金属电极，起放电作用。所述纳米级传感器制备方法包括如下步骤：在硅板上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到曝光完成的硅板；采用刻蚀剂对得到的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶；再在光刻硅板表面镀金属膜，即得。本公开的微米级半导体传感器电极的制备方法加工精度高，而且该方法加工效率高，适合于大规模生产。
技术研发人员：王小华;吕品雷;杨爱军;褚继峰;王大伟;刘定新;荣命哲
受保护的技术使用者：西安交通大学
技术研发日：2017.02.24
技术公布日：2017.07.28
再多了解一些
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