技术特征：
技术总结
本发明涉及一种微测辐射热计的像元结构及其制备方法，所述参考像元的尺寸是所述有效像元尺寸的1.5～3倍，所述参考像元与所述有效像元的高度一致；在进行牺牲层的结构释放时，直接将像元结构放到去胶机中，由于参考像元的尺寸大，当有效像元的牺牲层释放完全时，参考像元的牺牲层还有部分未释放，不需要对参考像元与有效像元隔离开，能够简化工艺；另外，牺牲层采用非晶碳，能够保证参考像元与制作有效像元的工艺兼容，且能够增加参考像元结构的热导。
技术研发人员：王鹏;邱栋;杨鑫;王宏臣;陈文礼
受保护的技术使用者：烟台睿创微纳技术股份有限公司
技术研发日：2017.06.09
技术公布日：2017.10.17
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