、离子束快速退火、连续波激光快速退火以及非相干宽带光源(如卤灯、电弧灯、石墨加热)快速退火等。本领域技术人员可以根据需要进行选择，也并非局限于所举示例。
[0079]可选地，在本发明中可以选用快速热退火。
[0080]在该步骤中通过退火步骤，可以使所述第二隔离层205的密度得到提高，以改变所述第二隔离层205松散的结构特点。
[0081]执行步骤208，蚀刻去除所述开口 20底部和所述第一隔离层204上方的所述第二隔离层205,以露出所述金属互联结构202和所述第一隔离层204。
[0082]如图2f所示，在该步骤中选用全面蚀刻(Blank etch)的方法蚀刻所述第二隔离层205，仅保留所述开口 20侧壁上的第二隔离层205，去除以外的第二隔离层205。
[0083]在该步骤中，去除所述第二隔离层205的同时，去除部分所述第一隔离层204，以使所述第一隔离层204的厚度为3.5-5.5K埃。
[0084]执行步骤209，沉积导电材料层206，以填充所述开口 20并覆盖所述第一隔离层204。
[0085]具体地，如图2g所示，在所述开口 20中填充导电材料层206，以形成通孔。
[0086]进一步，所述导电材料层可通过低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(M0CVD)及原子层沉积(ALD)或其它先进的沉积技术形成。
[0087]可选地，所述导电材料层为钨材料。此外，还可以选用其他的导电材料作为替换，例如钴(Co)、钥(Mo)、氮化钛(TiN)以及含有钨的导电材料或其组合。
[0088]执行步骤210，平坦化所述导电材料206至所述第一隔离层204，以形成通孔2061。
[0089]具体地，如图2h所示，在该步骤中选用平坦化的方法去除部分所述导电材料206，例如可以使用半导体制造领域中常规的平坦化方法来实现表面的平坦化。该平坦化方法的非限制性实例包括机械平坦化方法和化学机械抛光平坦化方法。
[0090]至此，完成了本发明实施例的半导体器件制备的相关步骤的介绍。在上述步骤之后，还可以包括其他相关步骤，此处不再赘述。并且，除了上述步骤之外，本实施例的制备方法还可以在上述各个步骤之中或不同的步骤之间包括其他步骤，这些步骤均可以通过现有技术中的各种工艺来实现，此处不再赘述。
[0091 ] 本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种半导体器件的制备方法，在所述方法中通过增加所述第一隔离层的厚度，并且在沉积第二隔离层之后，通过平坦化的方法去除部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低其应力，以避免所述第二隔离层在后续步骤中发生碎裂或者脱落，提高了器件的良率和性能。
[0092]本发明的优点在于:
[0093](1)彻底改变发生碎裂(Crack)的绝缘层叠层(film stack)，使MEMS器件不在发生碎裂现象。
[0094](2)提闻了广品的良率。
[0095]图3为本发明一实施方式中半导体器件的制备工艺流程图，包括以下步骤:
[0096]步骤S1:提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金属互联结构，所述金属互联结构嵌于介电层中；在所述介电层上依次形成有第二基底和第一隔离层；
[0097]步骤S2:图案化所述第一隔离层、所述第二基底和所述介电层，以形成开口，露出所述金属互联结构；
[0098]步骤S3:沉积第二隔离层，以部分填充所述开口并覆盖所述第一隔离层；
[0099]步骤S4:去除所述第一隔离层上的部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低所述第二隔离层的应力。
[0100]实施例2
[0101]本发明还提供了一种半导体器件，所述半导体器件选用实施例1所述的方法制备。在所述方法中通过增加所述第一隔离层的厚度，并且在沉积第二隔离层之后，通过平坦化的方法去除部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低其应力，以避免所述第二隔离层在后续步骤中发生碎裂或者脱落，提高了器件的良率和性能。
[0102]实施例3
[0103]本发明还提供了一种电子装置，包括实施例2所述的半导体器件。其中，半导体器件为实施例2所述的半导体器件，或根据实施例1所述的制备方法得到的半导体器件。
[0104]本实施例的电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、V⑶、DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可为任何包括所述半导体器件的中间产品。本发明实施例的电子装置，由于使用了上述的半导体器件，因而具有更好的性能。
[0105]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种半导体器件的制备方法，包括: 步骤S1:提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金属互联结构，所述金属互联结构嵌于介电层中；在所述介电层上依次形成有第二基底和第一隔离层； 步骤S2:图案化所述第一隔离层、所述第二基底和所述介电层，以形成开口，露出所述金属互联结构； 步骤S3:沉积第二隔离层，以部分填充所述开口并覆盖所述第一隔离层； 步骤S4:去除所述第一隔离层上的部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低所述第二隔离层的应力。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，去除部分所述第二隔离层，以使所述第二隔离层的厚度小于6K埃。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，沉积的所述第二隔离层的厚度为8-12K埃。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述第一隔离层的厚度为8-12K埃。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二隔离层选用硬脂酸四乙氧基硅烧。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中选用化学机械平坦化的方法去除部分所述第二隔离层。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4之后，所述方法还进一步包括: 步骤S5:执行退火步骤，以致密化所述第二隔离层； 步骤S6:去除所述开口底部和所述第一隔离层上方的所述第二隔离层，以露出所述金属互联结构和所述第一隔离层； 步骤S7:沉积导电材料层，以填充所述开口并覆盖所述第一隔离层； 步骤S8:平坦化所述导电材料层至所述第一隔离层，以形成通孔。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S6中去除所述第二隔离层的同时，去除部分所述第一隔离层，以使所述第一隔离层的厚度为3.5-5.5K埃。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S7中所述导电材料层选用金属鹤。10.一种基于权利要求1至9之一所述的方法制备得到的半导体器件。11.一种电子装置，包括权利要求10所述的半导体器件。
【专利摘要】本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：步骤S1：提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金属互联结构，所述金属互联结构嵌于介电层中；在所述介电层上依次形成有第二基底和第一隔离层；步骤S2：图案化所述第一隔离层、所述第二基底和所述介电层，以形成开口，露出所述金属互联结构；步骤S3：沉积第二隔离层，以部分填充所述开口并覆盖所述第一隔离层；步骤S4：去除所述第一隔离层上的部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低所述第二隔离层的应力。本发明的优点在于：(1)彻底改变发生碎裂(Crack)的隔离层叠层(film？stack)，使MEMS器件不在发生碎裂现象。(2)提高了产品的良率。
【IPC分类】B81B7/00, B81C1/00
【公开号】CN105460883
【申请号】CN201410453194
【发明人】郑超, 许继辉, 王伟
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2014年9月5日
[0079]可选地，在本发明中可以选用快速热退火。
[0080]在该步骤中通过退火步骤，可以使所述第二隔离层205的密度得到提高，以改变所述第二隔离层205松散的结构特点。
[0081]执行步骤208，蚀刻去除所述开口 20底部和所述第一隔离层204上方的所述第二隔离层205,以露出所述金属互联结构202和所述第一隔离层204。
[0082]如图2f所示，在该步骤中选用全面蚀刻(Blank etch)的方法蚀刻所述第二隔离层205，仅保留所述开口 20侧壁上的第二隔离层205，去除以外的第二隔离层205。
[0083]在该步骤中，去除所述第二隔离层205的同时，去除部分所述第一隔离层204，以使所述第一隔离层204的厚度为3.5-5.5K埃。
[0084]执行步骤209，沉积导电材料层206，以填充所述开口 20并覆盖所述第一隔离层204。
[0085]具体地，如图2g所示，在所述开口 20中填充导电材料层206，以形成通孔。
[0086]进一步，所述导电材料层可通过低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(M0CVD)及原子层沉积(ALD)或其它先进的沉积技术形成。
[0087]可选地，所述导电材料层为钨材料。此外，还可以选用其他的导电材料作为替换，例如钴(Co)、钥(Mo)、氮化钛(TiN)以及含有钨的导电材料或其组合。
[0088]执行步骤210，平坦化所述导电材料206至所述第一隔离层204，以形成通孔2061。
[0089]具体地，如图2h所示，在该步骤中选用平坦化的方法去除部分所述导电材料206，例如可以使用半导体制造领域中常规的平坦化方法来实现表面的平坦化。该平坦化方法的非限制性实例包括机械平坦化方法和化学机械抛光平坦化方法。
[0090]至此，完成了本发明实施例的半导体器件制备的相关步骤的介绍。在上述步骤之后，还可以包括其他相关步骤，此处不再赘述。并且，除了上述步骤之外，本实施例的制备方法还可以在上述各个步骤之中或不同的步骤之间包括其他步骤，这些步骤均可以通过现有技术中的各种工艺来实现，此处不再赘述。
[0091 ] 本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种半导体器件的制备方法，在所述方法中通过增加所述第一隔离层的厚度，并且在沉积第二隔离层之后，通过平坦化的方法去除部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低其应力，以避免所述第二隔离层在后续步骤中发生碎裂或者脱落，提高了器件的良率和性能。
[0092]本发明的优点在于:
[0093](1)彻底改变发生碎裂(Crack)的绝缘层叠层(film stack)，使MEMS器件不在发生碎裂现象。
[0094](2)提闻了广品的良率。
[0095]图3为本发明一实施方式中半导体器件的制备工艺流程图，包括以下步骤:
[0096]步骤S1:提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金属互联结构，所述金属互联结构嵌于介电层中；在所述介电层上依次形成有第二基底和第一隔离层；
[0097]步骤S2:图案化所述第一隔离层、所述第二基底和所述介电层，以形成开口，露出所述金属互联结构；
[0098]步骤S3:沉积第二隔离层，以部分填充所述开口并覆盖所述第一隔离层；
[0099]步骤S4:去除所述第一隔离层上的部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低所述第二隔离层的应力。
[0100]实施例2
[0101]本发明还提供了一种半导体器件，所述半导体器件选用实施例1所述的方法制备。在所述方法中通过增加所述第一隔离层的厚度，并且在沉积第二隔离层之后，通过平坦化的方法去除部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低其应力，以避免所述第二隔离层在后续步骤中发生碎裂或者脱落，提高了器件的良率和性能。
[0102]实施例3
[0103]本发明还提供了一种电子装置，包括实施例2所述的半导体器件。其中，半导体器件为实施例2所述的半导体器件，或根据实施例1所述的制备方法得到的半导体器件。
[0104]本实施例的电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、V⑶、DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可为任何包括所述半导体器件的中间产品。本发明实施例的电子装置，由于使用了上述的半导体器件，因而具有更好的性能。
[0105]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种半导体器件的制备方法，包括: 步骤S1:提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金属互联结构，所述金属互联结构嵌于介电层中；在所述介电层上依次形成有第二基底和第一隔离层； 步骤S2:图案化所述第一隔离层、所述第二基底和所述介电层，以形成开口，露出所述金属互联结构； 步骤S3:沉积第二隔离层，以部分填充所述开口并覆盖所述第一隔离层； 步骤S4:去除所述第一隔离层上的部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低所述第二隔离层的应力。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，去除部分所述第二隔离层，以使所述第二隔离层的厚度小于6K埃。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，沉积的所述第二隔离层的厚度为8-12K埃。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述第一隔离层的厚度为8-12K埃。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二隔离层选用硬脂酸四乙氧基硅烧。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中选用化学机械平坦化的方法去除部分所述第二隔离层。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4之后，所述方法还进一步包括: 步骤S5:执行退火步骤，以致密化所述第二隔离层； 步骤S6:去除所述开口底部和所述第一隔离层上方的所述第二隔离层，以露出所述金属互联结构和所述第一隔离层； 步骤S7:沉积导电材料层，以填充所述开口并覆盖所述第一隔离层； 步骤S8:平坦化所述导电材料层至所述第一隔离层，以形成通孔。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S6中去除所述第二隔离层的同时，去除部分所述第一隔离层，以使所述第一隔离层的厚度为3.5-5.5K埃。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S7中所述导电材料层选用金属鹤。10.一种基于权利要求1至9之一所述的方法制备得到的半导体器件。11.一种电子装置，包括权利要求10所述的半导体器件。
【专利摘要】本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：步骤S1：提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金属互联结构，所述金属互联结构嵌于介电层中；在所述介电层上依次形成有第二基底和第一隔离层；步骤S2：图案化所述第一隔离层、所述第二基底和所述介电层，以形成开口，露出所述金属互联结构；步骤S3：沉积第二隔离层，以部分填充所述开口并覆盖所述第一隔离层；步骤S4：去除所述第一隔离层上的部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低所述第二隔离层的应力。本发明的优点在于：(1)彻底改变发生碎裂(Crack)的隔离层叠层(film？stack)，使MEMS器件不在发生碎裂现象。(2)提高了产品的良率。
【IPC分类】B81B7/00, B81C1/00
【公开号】CN105460883
【申请号】CN201410453194
【发明人】郑超, 许继辉, 王伟
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2014年9月5日
再多了解一些
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