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复合电容式脱盐电极的制备方法、复合电容式脱盐电极及其组件与流程

2021-10-16 01:55:00 来源:中国专利 TAG:脱盐 电极 复合 电容式 构造

技术特征:
1.一种复合电容式脱盐电极的制备方法,其特征在于,该方法包括:a)在微多孔膜的表面形成离子交换树脂层,制备复合微多孔膜的步骤;以及b)在电极片的两面形成所述步骤a)中制备的所述复合微多孔膜,制备包括所述复合微多孔膜和所述电极片的第一单元体的步骤。2.根据权利要求1所述的复合电容式脱盐电极的制备方法,其特征在于,该方法进一步包括:c)在所述步骤b)之后进行,在间隔部的一面形成所述第一单元体的步骤;以及d)在所述间隔部的另一面形成通过所述步骤a)和b)制备的另一个第一单元体的步骤。3.一种复合电容式脱盐组件的制备方法,其特征在于,该方法包括:a)在微多孔膜的表面形成离子交换树脂层,制备复合微多孔膜的步骤;b)在间隔部的一面形成所述步骤a)中制备的所述复合微多孔膜,形成包括所述复合微多孔膜和所述间隔部的第二单元体的步骤;以及c)在所述第二单元体的一面形成电极片的步骤。4.根据权利要求1或3所述的复合电容式脱盐电极的制备方法,其特征在于,所述步骤a)中,分别在所述微多孔膜的一面和另一面制备种类彼此相同或不同的第一复合微多孔膜和第二复合微多孔膜。5.根据权利要求1所述的复合电容式脱盐电极的制备方法,其特征在于,所述步骤b)中,在所述电极片的一面层叠并压缩所述步骤a)中制备并引入的所述复合微多孔膜,制备所述第一单元体。6.根据权利要求3所述的复合电容式脱盐电极的制备方法,其特征在于,所述步骤b)中,在所述间隔部的一面层叠并压缩所述步骤a)中制备并引入的所述复合微多孔膜,制备所述第二单元体。7.根据权利要求1或3所述的复合电容式脱盐电极的制备方法,其特征在于,所述步骤a)中,将由微多孔膜卷绕辊引入的微多孔膜浸渍于离子交换树脂溶解槽内的离子交换树脂溶液中,制备所述复合微多孔膜。8.根据权利要求1或3所述的复合电容式脱盐电极的制备方法,其特征在于,所述电极片包括集流体和形成于所述集流体的一面或两面的碳电极层,所述复合微多孔膜层叠并压缩于所述碳电极层上。9.根据权利要求1或3所述的复合电容式脱盐电极的制备方法,其特征在于,所述复合微多孔膜中,形成于所述微多孔膜两面的所述离子交换树脂层的离子交换树脂渗透至所述微多孔膜的气孔,所述微多孔膜两面的离子交换树脂层通过所述气孔相互连接。10.根据权利要求1或3所述的复合电容式脱盐电极的制备方法,其特征在于,该方法进一步包括:e)在所述步骤a)之后进行,将之前步骤中制备的制备物进行干燥的干燥步骤。11.根据权利要求1或3所述的复合电容式脱盐电极的制备方法,其特征在于,所述微多孔膜为聚烯烃类、纤维素类或有机无机混合类微多孔膜。12.根据权利要求11所述的复合电容式脱盐电极的制备方法,其特征在于,所述聚烯烃类含有选自高密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、超高分子量聚乙烯、聚丙烯、或者它们的衍生物中的两种以上。
13.根据权利要求1或3所述的复合电容式脱盐电极的制备方法,其特征在于,所述微多孔膜的厚度为1

500μm,所述微多孔膜的气孔度为10

95,气孔大小为0.01

50μm,呈纤维或膜形态。14.一种复合电容式脱盐电极,其特征在于,该电极包括:电极片;以及分别形成于所述电极片的两面的复合微多孔膜,所述复合微多孔膜包括:微多孔膜;以及分别形成于所述微多孔膜的两面的第一离子交换树脂层和第二离子交换树脂层。15.根据权利要求14所述的复合电容式脱盐电极,其特征在于,所述第一离子交换树脂层和所述第二离子交换树脂层彼此相同或不同。16.根据权利要求14所述的复合电容式脱盐电极,其特征在于,由所述电极片和所述复合微多孔膜构成的第一单元体多个交替层叠,所述复合电容式脱盐电极进一步包括位于所述第一单元体之间并形成有流路的间隔部。17.一种复合电容式脱盐组件,其特征在于,该组件包括:形成有流路的间隔部;以及形成于所述间隔部的一面的复合微多孔膜,所述复合微多孔膜包括:微多孔膜,以及分别形成于所述微多孔膜的两面的第一离子交换树脂层和第二离子交换树脂层。

技术总结
本发明涉及一种可以增加脱盐效率、具有抗机械和化学性能更加优异的新型构造的复合电容式脱盐电极的制备方法、复合电容式脱盐电极及其组件。本发明的复合电容式脱盐电极的制备方法,其特征在于,包括:a)在微多孔膜的表面形成离子交换树脂层制备复合微多孔膜的步骤;以及b)在电极片的两面形成所述步骤a)制备的所述复合微多孔膜,制备包括所述复合微多孔膜和所述电极片的第一单元体的步骤;所述步骤通过在线连续工艺在单一工艺线进行。在线连续工艺在单一工艺线进行。在线连续工艺在单一工艺线进行。


技术研发人员:姜炅硕 孙元根 金美良 李景汉
受保护的技术使用者:庆东纳碧安
技术研发日:2019.10.11
技术公布日:2021/10/15
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