一种锗晶体生长设备复合减速器装置的制作方法

1.本发明涉及锗晶体生产技术领域，具体为一种锗晶体生长设备复合减速器装置。


背景技术：

2.在锗晶体生长过程中，常用的方法是直拉法，这是一种直接从熔体中拉出单晶的方法。熔体置柑塌中，籽晶固定于可以旋转和升降的提拉杆上。降低提拉杆，将籽晶插入熔体，调节温度使籽晶生长。提升提拉杆，使晶体一面生长，一面被慢慢地拉出来。这是从熔体中生长晶体常用的方法。
3.在锗晶体生长时，提拉杆的稳定旋转和抬升是晶体生长的关键，现有的提拉方式都是通过伸缩杆进行提拉，这种提拉方式在超低速抬升的情况下抬升速度不均匀。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种锗晶体生长设备复合减速器装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种锗晶体生长设备复合减速器装置，包括驱动机构，所述驱动机构包括基杆，所述基杆的表面通过固定组件固定连接有电机，所述电机的输出端固定连接有第一齿轮，所述基杆的下表面固定连接有l型固定杆，所述基杆的下表面一端通过轴承转动连接有连接杆，所述连接杆的底端固定连接有第二齿轮，所述l型固定杆的底端设置有抬升机构和拉晶机构；
6.所述抬升机构包括第一行星减速器，所述第一行星减速器固定连接在l型固定杆的表面，所述第一行星减速器的输出端固定连接有转杆，所述转杆的靠近底端的表面开设有外螺纹，所述转杆的外表面螺纹连接有内螺纹筒，所述转杆的底端固定连接有限位块，所述内螺纹筒的一侧表面固定连接有横杆；
7.所述拉晶机构包括第二行星减速器，所述第二行星减速器的输出端固定连接有输出杆，所述输出杆的底端表面开设有滑槽，所述滑槽的内部滑动连接有提拉杆，所述提拉杆的侧表面中心处固定连接有圆块，所述提拉杆的底端固定连接有籽晶固定组件，所述提拉杆靠近底端的外表面滑动连接有圆筒。
8.优选的，所述第一齿轮与第二齿轮相啮合。
9.优选的，所述电机的输出端与第一行星减速器的输入端固定连接，所述连接杆与第二行星减速器的输入端固定连接。
10.优选的，所述提拉杆与滑槽连接处设置有旋转限位结构。
11.优选的，所述圆筒的上表面与圆块的下表面接触设置。
12.优选的，所述圆筒与横杆固定连接。
13.与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过设置组合式减速器，使提拉杆的抬升与旋转速度稳定，不会间断性的抬升，有效减少锗晶体表面横纹，使生长出的锗晶体更加均匀，在锗晶体生长过程中，电机旋转带动第一齿轮和第二齿轮旋转，经过第一行星减速器和
第二行星减速器减速后，输出杆带动提拉杆缓慢旋转，通过第一行星减速器带动圆筒上移，圆筒通过圆块带动提拉杆缓慢提升，其中第一行星减速器和第二行星减速器的减速比例不同，方便适应锗晶体的生产速度。
附图说明
14.图1为本发明的结构主视图；
15.图2为本发明图1中a部分结构放大图；
16.图3为本发明提拉杆结构立体示意图；
17.图4为本发明的内螺纹筒与圆筒连接示意图。
18.图中：1、驱动机构；11、基杆；12、电机；13、第一齿轮；14、l型固定杆；15、连接杆；16、第二齿轮；2、抬升机构；21、第一行星减速器；22、转杆；23、外螺纹；24、限位块；25、内螺纹筒；26、横杆；3、拉晶机构；31、第二行星减速器；32、输出杆；33、滑槽；34、提拉杆；35、圆块；36、圆筒；37、籽晶固定组件。
具体实施方式
19.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
20.请参阅图1
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4，本发明提供一种技术方案：一种锗晶体生长设备复合减速器装置，包括驱动机构1，驱动机构1包括基杆11，基杆11的表面通过固定组件固定连接有电机12，电机12的输出端固定连接有第一齿轮13，基杆11的下表面固定连接有l型固定杆14，基杆11的下表面一端通过轴承转动连接有连接杆15，连接杆15的底端固定连接有第二齿轮16，l型固定杆14的底端设置有抬升机构2和拉晶机构3；
21.抬升机构2包括第一行星减速器21，第一行星减速器21固定连接在l型固定杆14的表面，第一行星减速器21的输出端固定连接有转杆22，转杆22的靠近底端的表面开设有外螺纹23，转杆22的外表面螺纹连接有内螺纹筒25，转杆22的底端固定连接有限位块24，内螺纹筒25的一侧表面固定连接有横杆26，抬升机构2用于对籽晶固定组件37进行稳定的缓慢抬升；
22.拉晶机构3包括第二行星减速器31，第二行星减速器31的输出端固定连接有输出杆32，输出杆32的底端表面开设有滑槽33，滑槽33的内部滑动连接有提拉杆34，提拉杆34的侧表面中心处固定连接有圆块35，提拉杆34的底端固定连接有籽晶固定组件37，提拉杆34靠近底端的外表面滑动连接有圆筒36，拉晶机构3缓速旋转用于晶体生长。
23.第一齿轮13与第二齿轮16相啮合，便于带动第二齿轮16旋转。
24.电机12的输出端与第一行星减速器21的输入端固定连接，连接杆15与第二行星减速器31的输入端固定连接，便于带动第一行星减速器21和第二行星减速器31运行。
25.提拉杆34与滑槽33连接处设置有旋转限位结构，便于带动提拉杆34旋转。
26.圆筒36的上表面与圆块35的下表面接触设置，便于带动提拉杆34上升。
27.圆筒36与横杆26固定连接，便于带动圆筒36上升。
28.具体的，使用本发明时，在锗晶体生长过程中，电机12旋转带动第一齿轮13和第二齿轮16旋转，经过第一行星减速器21和第二行星减速器31减速后，输出杆32带动提拉杆34缓慢旋转，方便晶体生长，第一行星减速器21带动转杆22缓慢旋转，转杆22通过螺纹结构带动内螺纹筒25旋转，内螺纹筒25缓慢上移，带动横杆26上移，横杆26带动圆筒36上移，圆筒36通过圆块35带动提拉杆34缓慢提升，其中第一行星减速器21和第二行星减速器31的减速比例不同，方便适应锗晶体的生产速度，通过设置组合式减速器，使提拉杆34的抬升与旋转速度稳定，不会间断性的抬升，有效减少锗晶体表面横纹，使生长出的锗晶体更加均匀。
29.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“同轴”、“底部”、“一端”、“顶部”、“中部”、“另一端”、“上”、“一侧”、“顶部”、“内”、“前部”、“中央”、“两端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
30.此外，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”、“第四”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
31.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“连接”、“固定”、“旋接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
32.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。