一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法与流程

技术特征：
1.一种pvt法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、分别配置三种不同的粉料，第一粉料为纯碳化硅粉料、第二粉料为混合均匀的添加10
‑
30wt％活性碳粉的碳化硅粉料、第三粉料为混合均匀的添加1
‑
30wt％活性碳粉的碳化硅粉料；步骤2、将坩埚内的粉料添加区域划分为第一粉料添加区(1)、第二粉料添加区(2)、第三粉料添加区(3)，设置坩埚粉料添加区域的高为h、半径为r，则第二粉料添加区(2)的高为0.1h
‑
0.8h、半径为0.05
‑
0.8r，第三粉料添加区(3)的高为0.05
‑
0.15h、半径为r，其余剩余空间为第一粉料添加区(1)；步骤3、首先向坩埚底部加入一定质量的第一粉料，然后在坩埚中心插入第二粉料添加区(2)相同体积、无上下底的圆筒，向圆筒中加入第二粉料，向圆筒和坩埚的缝隙中加入剩余的第一粉料，之后小心取出圆筒，再加入第三粉料，完成pvt法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加。2.根据权利要求1所述的一种pvt法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，其特征在于：步骤1中第二粉料中活性碳粉为高纯无定形碳粉或石墨粉，粒径为100
‑
1000μm。3.根据权利要求2所述的一种pvt法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，其特征在于：步骤1中第二粉料中活性碳粉为高纯无定形碳粉，粒径为500μm，添加量为15wt％。4.根据权利要求1所述的一种pvt法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，其特征在于：步骤1中第三粉料中活性碳粉为高纯无定形碳粉或石墨粉，粒径为100
‑
1000μm。5.根据权利要求4所述的一种pvt法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，其特征在于：步骤1中第三粉料中活性碳粉为高纯无定形碳粉，粒径为800μm，添加量为10wt％。6.根据权利要求2或4所述的一种pvt法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，其特征在于：步骤2中第二粉料添加区(2)的高为0.6h、半径为0.5r，第三粉料添加区(3)的高为0.1h、半径为r。7.根据权利要求6所述的一种pvt法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，其特征在于：步骤3中第一粉料、第二粉料、第三粉料的质量比为1875
‑
2000:375
‑
450:250
‑
350。8.根据权利要求6所述的一种pvt法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，其特征在于：步骤3中第一粉料、第二粉料、第三粉料的质量比为1875:375:250。9.根据权利要求8所述的一种pvt法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，其特征在于：在坩埚盖上粘接籽晶，之后将具有附加碳源的粉料的坩埚整体放入晶体生长炉中开始晶体生长，生长过程中使用的生长条件为10
‑3atm的氩气氛，生长温度2300℃，生长时间为80h。

技术总结
一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，它属于PVT法碳化硅晶体生长技术领域。本发明要解决的技术问题为通过改变粉料的添加方法来优化晶体生长。本发明第一粉料为纯碳化硅粉料、第二粉料为混合均匀的添加10


技术研发人员：ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
技术研发日：2021.06.16
技术公布日：2021/9/17