电子级多晶硅清洗系统的制作方法

技术特征：
1.一种电子级多晶硅清洗系统，其特征在于，包括：第一清洗槽，所述第一清洗槽具有待清洗硅块入口，第一清洗后硅块出口、第一溢流出口；第二清洗槽，所述第二清洗槽具有第一清洗后硅块入口、第二清洗后硅块出口、第一溢流入口、第二溢流出口，所述第一清洗后硅块入口与所述第一清洗后硅块出口相连，所述第一溢流入口与所述第一溢流出口相连；第三清洗槽，所述第三清洗槽具有第二清洗后硅块入口、第三清洗后硅块出口、第二溢流入口、第三溢流出口，所述第二清洗后硅块入口与所述第二清洗后硅块出口相连，所述第二溢流入口与所述第二溢流出口相连；第四清洗槽，所述第四清洗槽具有第三清洗后硅块入口、第四清洗后硅块出口、第三溢流入口，所述第三清洗后硅块入口与所述第三清洗后硅块出口相连，所述第三溢流入口与所述第三溢流出口相连；第五清洗槽，所述第五清洗槽具有第四清洗后硅块入口、第五清洗后硅块出口、回流出口，所述第四清洗后硅块入口与所述第四清洗后硅块出口相连，所述回流出口与所述第二清洗槽、所述第三清洗槽、所述第四清洗槽相连；其中，所述第一清洗槽、所述第二清洗槽、所述第三清洗槽、所述第四清洗槽内装有氢氟酸、硝酸和水的混合液，所述第五清洗槽内装有水。2.根据权利要求1所述的电子级多晶硅清洗系统，其特征在于，所述第一清洗槽、所述第二清洗槽、所述第三清洗槽、所述第四清洗槽中，所述混合液的中氢氟酸与硝酸二者的比例依次降低。3.根据权利要求1所述的电子级多晶硅清洗系统，其特征在于，所述第一清洗槽、所述第二清洗槽、所述第三清洗槽、所述第四清洗槽中，所述混合液的中氢氟酸与硝酸的总浓度依次降低。

技术总结
本发明公开了电子级多晶硅清洗系统。该电子级多晶硅清洗系统包括：第一清洗槽、第二清洗槽、第三清洗槽、第四清洗槽、第五清洗槽。其中，所述第一清洗槽、所述第二清洗槽、所述第三清洗槽、所述第四清洗槽内装有氢氟酸、硝酸和水的混合液，所述第五清洗槽内装有水。该电子级多晶硅清洗系统可显著提高硅块的清洗效果，并减少清洗液用量。并减少清洗液用量。并减少清洗液用量。


技术研发人员：吴锋 沈棽 吴家印
受保护的技术使用者：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
技术研发日：2020.11.11
技术公布日：2021/9/17