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一种改善光纤传输衰减的反应系统及方法与流程

2021-09-14 22:46:00 来源:中国专利 TAG:光纤 衰减 预制 传输 改善

技术特征:
1.一种改善光纤传输衰减的反应系统,其特征在于,其包括:储存单元(1),其内储存有脱水剂(10);反应单元(2),其包括一反应腔(20),所述反应腔(20)包括第一反应区(200)和第二反应区(201),所述第一反应区(200)的平均深度大于第二反应区(201)的平均深度,并与所述储存单元(1)连通,所述第一反应区(200)用于收容沉积靶棒(4),以用于利用所述脱水剂(10)对沉积过程中的所述沉积靶棒(4)进行持续脱水,所述第二反应区(201)用于辅助所述第一反应区(200)进行脱水的同时,还用于将反应后的所述脱水剂(10)排出;控制单元(3),其用于监测所述沉积靶棒(4)的直径尺寸,并根据所述直径尺寸调控所述第一反应区(200)与沉积靶棒(4)之间的重叠面积及所述储存单元(1)内脱水剂(10)的输出流量,以实现对沉积过程中的所述沉积靶棒(4)进行持续脱水。2.如权利要求1所述的一种改善光纤传输衰减的反应系统,其特征在于:所述反应腔(20)内设有台阶结构(202),所述台阶结构(202)用于将所述反应腔(20)划分为所述第一反应区(200)和第二反应区(201),且靠近所述第一反应区(200)的台阶面呈倾斜面,以使所述第一反应区(200)的宽度尺寸沿靠近腔口的方向逐渐变大。3.如权利要求1所述的一种改善光纤传输衰减的反应系统,其特征在于:所述第一反应区(200)沿宽度方向的截面呈方形,所述第二反应区(201)沿宽度方向的截面呈朝远离所述第一反应区(200)凹陷的弧形。4.如权利要求1所述的一种改善光纤传输衰减的反应系统,其特征在于:所述第一反应区(200)远离所述第二反应区(201)的一侧上设有进气口(203),所述第二反应区(201)远离所述第一反应区(200)的一侧沿竖直方向间隔设有至少两个出气口(204),所述进气口(203)所处的水平面的高度低于位于最下方的所述出气口(204)所处的水平面的高度。5.如权利要求1所述的一种改善光纤传输衰减的反应系统,其特征在于:所述反应系统还包括盖板单元(5),所述盖板单元(5)包括第一盖板(50)和第二盖板(51),所述第一盖板(50)的一端与所述第二反应区(201)远离所述第一反应区(200)的一侧顶部相连,另一端与所述第二盖板(51)相连,所述第二盖板(51)远离所述第一盖板(50)的一端所处的水平面高于所述第一盖板(50)所处的水平面,且该端上设有气体监测器(52)。6.如权利要求5所述的一种改善光纤传输衰减的反应系统,其特征在于:所述第一盖板(50)为伸缩板,所述第一盖板(50)配置为:所述第一盖板(50)与控制单元(3)相连,所述控制单元(3)用于根据监测的所述沉积靶棒(4)的直径尺寸控制所述第一盖板(50)沿所述反应腔(20)的宽度方向来回移动。7.如权利要求5所述的一种改善光纤传输衰减的反应系统,其特征在于:所述第一盖板(50)与第二反应区(201)和第二盖板(51)均转动连接,并用于根据所述沉积靶棒(4)的直径尺寸在所述控制单元(3)的控制下转动。8.如权利要求5所述的一种改善光纤传输衰减的反应系统,其特征在于:所述第二盖板(51)呈朝远离所述反应腔(20)方向凹陷的弧形。9.如权利要求1所述的一种改善光纤传输衰减的反应系统,其特征在于:所述反应系统还包括测径仪(6),所述测径仪(6)与控制单元(3)相连,并用于监测所述沉积靶棒(4)的直径尺寸。10.一种改善光纤传输衰减的方法,其特征在于,其步骤包括:
监测沉积过程中的沉积靶棒(4)的直径尺寸,并判断其是否不小于预设直径;若是,则驱动反应单元(2)沿竖直方向移动以收容所述沉积靶棒(4),并根据所述直径尺寸调控第一反应区(200)与所述沉积靶棒(4)之间的重叠面积,同时还根据所述直径尺寸调控储存单元(1)内脱水剂(10)的输出流量,以实现对沉积过程中的所述沉积靶棒(4)进行持续脱水。

技术总结
本申请涉及一种改善光纤传输衰减的反应系统及方法,涉及光纤预制棒制造技术领域。本反应系统包括一反应腔,反应腔包括第一反应区和第二反应区,第一反应区的平均深度大于第二反应区的平均深度,并与储存单元连通,第一反应区用于收容沉积靶棒,以用于利用脱水剂对沉积过程中的沉积靶棒进行持续脱水,第二反应区用于辅助第一反应区进行脱水,还用于将反应后的脱水剂排出,控制单元用于监测沉积靶棒的直径尺寸,并调控第一反应区与沉积靶棒之间的重叠面积及储存单元内脱水剂的输出流量,以实现对沉积过程中的沉积靶棒进行持续脱水。本申请提供的反应系统解决了相关技术中疏松体在脱水时对马弗炉内参数条件控制要求高、易造成脱水不良的问题。水不良的问题。水不良的问题。


技术研发人员:遠藤祥 赵辉
受保护的技术使用者:藤仓烽火光电材料科技有限公司
技术研发日:2021.08.17
技术公布日:2021/9/13
再多了解一些

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