支承玻璃基板及使用该支承玻璃基板的层叠基板的制作方法

技术特征：
1.一种支承玻璃基板，其特征在于，用于支承加工基板，所述支承玻璃基板为锂铝硅酸盐系玻璃，玻璃组成中的li2o的含量为0.02～25摩尔％，30～380℃的温度范围内的平均线热膨胀系数为38
×
10-7
/℃以上且160
×
10-7
/℃以下。2.根据权利要求1所述的支承玻璃基板，其特征在于，用于支承加工基板，作为玻璃组成，以摩尔％计含有sio
2 50～80％、al2o
3 4～25％、b2o30～16％、li2o 0.9～15％、na2o 超过0％且21％以下、k2o 0～15％、mgo 0～10％、zno 0～10％、p2o
5 0～15％。3.根据权利要求1或2所述的支承玻璃基板，其特征在于，满足摩尔比([na2o]？[li2o])/([al2o3] [b2o3] [p2o5])≤1.50的关系。4.根据权利要求1～3中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，满足摩尔比([b2o3] [na2o]？[p2o5])/([al2o3] [li2o])≥0.001的关系。5.根据权利要求1～4中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，含有([li2o] [na2o] [k2o])12摩尔％以上，满足[sio2] 1.2
×
[p2o5]-3
×
[a12o3]-2
×
[li2o]-1.5
×
[na2o]-[k2o]-[b2o3]≥-40％的关系。6.根据权利要求1～5中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，高温粘度10
2.5
dpa
·
s下的温度小于1660℃。7.根据权利要求1～6中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，在板厚方向的中央部具有溢流合流面。8.根据权利要求1～7中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，在加温至80℃的5质量％hcl水溶液中浸渍24小时后的单位表面积的质量损失为100.0mg/cm2以下。9.根据权利要求1～8中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，在加温至80℃的5质量％naoh水溶液中浸渍6小时后的单位表面积的质量损失为5.0mg/cm2以下。10.根据权利要求1～9中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，在玻璃表面具有压缩应力层。11.一种支承玻璃基板，其特征在于，在玻璃表面具有压缩应力层，作为玻璃组成，以摩尔％计含有sio250～80％、al2o
3 4～25％、b2o
3 0～16％、li2o 0.9～15％、na2o超过0％且21％以下、k2o 0～15％、mgo 0～10％、zno 0～10％、p2o
5 0～15％。12.根据权利要求10或11所述的支承玻璃基板，其特征在于，压缩应力层的最表面的压缩应力值为165～1000mpa。13.根据权利要求10～12中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，压缩应力层的应力深度为50～200μm。14.根据权利要求1～13中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，在玻璃表面具有压缩应力层，作为玻璃组成，含有al2o
3 17摩尔％以上、p2o
5 1摩尔％以上、([li2o] [na2o] [k2o])12摩尔％以上，满足[sio2] 1.2
×
[p2o5]-3
×
[al2o3]-2
×
[li2o]-1.5
×
[na2o]-[k2o]-[b2o3]≥-20摩尔％的关系。15.根据权利要求10～14中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，
厚度方向的应力曲线至少具有第一峰、第二峰、第一谷、第二谷。16.根据权利要求1～15中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，具有直径100～500mm的晶片形状或大致圆板形状，板厚小于2.0mm，整体板厚偏差ttv为5μm以下，并且翘曲量为60μm以下。17.根据权利要求1～16中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，具有
□
200mm以上的大致矩形形状，板厚为1.0mm以上，整体板厚偏差ttv为30μm以下。18.根据权利要求17所述的支承玻璃基板，其特征在于，从上方观察时的角部的角度为89.0～91.0
°
。19.根据权利要求1～18中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，在外周部具有定位部。20.根据权利要求19中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，定位部为缺口结构、倒角结构、切口结构中的任意结构。21.一种层叠体，其特征在于，至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板，支承玻璃基板为权利要求1～20中任一项所述的支承玻璃基板。22.根据权利要求1～21中任一项所述的层叠体，其特征在于，加工基板至少具备用密封材料进行了塑模后的半导体芯片。23.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，具有：准备至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的层叠体的工序；和对加工基板进行加工处理的工序，并且支承玻璃基板为权利要求1～22中任一项所述的支承玻璃基板。24.根据权利要求23所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，加工处理包括在加工基板的一个表面进行布线的工序。25.根据权利要求23或24所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，加工处理包括在加工基板的一个表面形成焊料凸块的工序。26.一种玻璃基板，其特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有sio
2 50～65％、al2o
3 8～25％、b2o30～10％、li2o 5.1～20％、na2o超过10％且为16，1％以下、k2o 0～15％、mgo 0.01～3％、cao 0～10％、zro
2 0.01～10％，杨氏模量为80gpa以上。27.一种玻璃基板，其特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有sio
2 50～65％、al2o
3 8～18％、b2o30～10％、li2o 20～25％、na2o 0.01～10％、k2o 0～15％、mgo 0～10％、cao 0.01～10％、zro
2 0～10％，杨氏模量为85gpa以上，断裂韧性k
1c
为0.80mpa
·
m
0.5
以上。28.一种玻璃基板，其特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有sio
2 64～76％、al2o
3 4～15％、b2o34～16％、li2o 0.1～14％、na2o 0.01～14％、k2o 0～15％、mgo 0～7％、cao 0～7％、sro 0～7％、bao 0～7％、zro
2 0～10％，杨氏模量为60gpa以上，30～380℃的温度范围内的平均线热膨胀系数为38
×
10-7
/℃以上且85
×
10-7
/℃以下。29.根据权利要求28所述的玻璃基板，其特征在于，
作为玻璃组成，以摩尔％计含有mgo 0.01～7％、cao 0.01～7％。30.根据权利要求28所述的玻璃基板，其特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有sro 0.01～7％。31.根据权利要求28所述的玻璃基板，其特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有mgo 0.01～7％、cao 0.01～7％、sro 0.01～7％。32.根据权利要求28所述的玻璃基板，其特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有li2o 1.5～8.5％、mgo 0.01～7％、cao 0.01～7％、sro 0.01～7％。

技术总结
本发明的支承玻璃基板的特征在于，用于支承加工基板，所述支承玻璃基板为锂铝硅酸盐系玻璃，玻璃组成中的Li2O的含量为0.02～25摩尔％，30～380℃的温度范围内的平均线热膨胀系数为38


技术研发人员：铃木良太 结城健 村田哲哉 市丸智宪 永野雄太
受保护的技术使用者：日本电气硝子株式会社
技术研发日：2021.05.18
技术公布日：2023/1/31