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共轭二烯系聚合物、共轭二烯系聚合物的制造方法、共轭二烯系聚合物组合物和橡胶组合物与流程

2022-11-16 17:24:52 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种共轭二烯系聚合物,其中,通过带粘度检测器的gpc-光散射法测定法求出的支化度为7以上,键合芳香族乙烯基量为1质量%以上32质量%以下,键合共轭二烯中的乙烯基键合量为11mol%以上35mol%以下。2.如权利要求1所述的共轭二烯系聚合物,其中,所述键合芳香族乙烯基量为1质量%以上30质量%以下,所述键合共轭二烯中的乙烯基键合量为11mol%以上30mol%以下。3.如权利要求1或2所述的共轭二烯系聚合物,其具有氮原子。4.如权利要求1~3中任一项所述的共轭二烯系聚合物,其具有硅原子。5.如权利要求1~4中任一项所述的共轭二烯系聚合物,其具有改性基团。6.如权利要求5所述的共轭二烯系聚合物,其中,所述改性基团具有氮原子,所述共轭二烯系聚合物的改性率为70质量%以上。7.如权利要求1~6中任一项所述的共轭二烯系聚合物,其中,所述键合芳香族乙烯基量以质量%表示的值大于所述键合共轭二烯中的乙烯基键合量以mоl%表示的值。8.如权利要求1~7中任一项所述的共轭二烯系聚合物,其中,该共轭二烯系聚合物具有3分支以上的星形高分子结构,所述星形高分子结构的至少一条支链具有至少一个来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的部分,并且在该部分进一步分支。9.如权利要求8所述的共轭二烯系聚合物,其中,来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的所述部分中的至少一者为来自下式(1)或式(2)所表示的化合物的部分,[化1]式(1)中,r1表示氢原子、碳原子数1~20的烷基或碳原子数6~20的芳基,在其一部分可以具有分支结构,r2和r3各自独立地表示碳原子数1~20的烷基或碳原子数6~20的芳基,在其一部分可以具有分支结构,x1各自独立地表示卤原子,m表示0~2的整数,n表示0~3的整数,l表示0~3的整数,m、n和l之和为3,[化2]
式(2)中,r2、r3、r4和r5各自独立地表示碳原子数1~20的烷基或碳原子数6~20的芳基,在其一部分可以具有分支结构,x2和x3各自独立地表示卤原子,m表示0~2的整数,n表示0~3的整数,l表示0~3的整数,m、n和l之和为3,a表示0~3的整数,b表示0~2的整数,c表示0~3的整数,a、b和c之和为3。10.如权利要求9所述的共轭二烯系聚合物,其中,来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的所述部分中的至少一者是来自所述式(1)中的r1为氢原子、m为0的化合物的部分。11.如权利要求9所述的共轭二烯系聚合物,其中,来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的所述部分中的至少一者是来自所述式(2)中的m为0、b为0的化合物的部分。12.如权利要求9所述的共轭二烯系聚合物,其中,来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的所述部分中的至少一者是来自所述式(1)中的r1为氢原子、m为0、l为0、n为3的化合物的部分。13.如权利要求9所述的共轭二烯系聚合物,其中,来自包含烷氧基甲硅烷基或卤代甲硅烷基的乙烯基系单体的所述部分中的至少一者是来自所述式(2)中的m为0、l为0、n为3、a为0、b为0、c为3的化合物的部分。14.一种共轭二烯系聚合物的制造方法,其是权利要求1~13中任一项所述的共轭二烯系聚合物的制造方法,其具有下述工序:使用有机锂化合物作为聚合引发剂至少将共轭二烯化合物和芳香族乙烯基化合物聚合,同时,通过添加支化剂得到具有分支结构的共轭二烯系聚合物。15.如权利要求14所述的共轭二烯系聚合物的制造方法,其进一步具有以下工序:使偶联改性剂与具有分支结构的所述共轭二烯系聚合物反应,从而得到改性共轭二烯系聚合物。16.一种共轭二烯系聚合物组合物,其含有100质量份的权利要求1~13中任一项所述的共轭二烯系聚合物和1.0质量份以上60质量份以下的橡胶用软化剂。17.一种橡胶组合物,其包含橡胶成分、以及相对于该橡胶成分100质量份为5.0质量份以上150质量份以下的填充剂,所述橡胶成分中,相对于该橡胶成分的总量100质量份,包含10质量份以上的权利要求
1~13中任一项所述的共轭二烯系聚合物或者权利要求16所述的共轭二烯系聚合物组合物。

技术总结
本发明提供硫化时的加工性优异、其硫化物的耐磨耗性和低磁滞损耗性优异的共轭二烯系聚合物。本发明涉及一种共轭二烯系聚合物,其通过带粘度检测器的GPC-光散射法测定法求出的支化度为7以上,键合芳香族乙烯基量为1质量%以上32质量%以下,键合共轭二烯中的乙烯基键合量为11mol%以上35mol%以下。基键合量为11mol%以上35mol%以下。


技术研发人员:牛尾孝显 当房崇吏 久村谦太 角谷省吾 关川新一 荒木祥文
受保护的技术使用者:旭化成株式会社
技术研发日:2021.04.02
技术公布日:2022/11/15
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