含有量子点的材料和其制备方法、交联材料和其制备方法及发光器件与流程

含有量子点的材料和其制备方法、交联材料和其制备方法及发光器件
1.相关申请的交叉引用
2.本技术基于在2020年12月23日向韩国知识产权局提交的第10-2020-0182419号韩国专利申请，并要求其优先权，以及从其获取的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开涉及材料，并且更具体地涉及含有量子点的材料、制备含有量子点的材料的方法、含有量子点的材料的交联材料以及包括含有量子点的材料的发光器件。


背景技术：

4.在发光器件之中，有机发光器件(oled)为自发光器件，与相关技术的器件相比，其具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面具有优异特性，并且其产生全色图像。
5.oled可包括在衬底上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，诸如空穴和电子，在发射层中复合产生激子。激子可从激发态跃迁到基态，因此产生光。
6.已知各种类型的有机发光器件。然而，仍然需要具有改善的空穴传输能力或长寿命、或两者兼有的oled。


技术实现要素：

7.一个或多个实施方式包括含有量子点的材料、制备含有量子点的材料的方法、含有量子点的材料的交联材料、制备交联材料的方法以及包括交联材料的发光器件，其中，含有量子点的材料可用包括热和光交联基团的有机基团进行表面改性，从而提供具有优异或改善的空穴传输能力和长寿命的交联材料。
8.额外的方面将在下面的描述中部分阐述，并且部分将从该描述显而易见，或者可通过实践本公开的呈现的实施方式来了解。
9.根据实施方式，含有量子点的材料可包括：
10.量子点；以及
11.化学键合到量子点的表面的有机基团，
12.其中，有机基团可包括叠氮基团和电荷传输基团，并且
13.电荷传输基团可不为未被取代的苯基。
14.根据实施方式，制备含有量子点的材料的方法可包括：
15.使量子点与有机基团的前体发生化学反应，以使量子点的表面化学键合到有机基团。
16.根据实施方式，可提供含有量子点的材料的交联材料。
17.根据实施方式，制备交联材料的方法可包括：
18.在衬底上提供根据以上实施方式中的任一项的含有量子点的材料和溶剂；以及
19.使含有量子点的材料交联。
20.根据实施方式，发光器件可包括：
21.第一电极，
22.面对第一电极的第二电极，以及
23.在第一电极和第二电极之间且包括发射层的中间层，
24.其中，发光器件可包括如本文中描述的交联材料。
附图说明
25.从以下结合附图的描述，本发明的某些实施方式的以上和其它方面、特征和优点将变得更加显而易见，在附图中，
26.图1为根据实施方式的含有量子点的材料的示意性剖面视图；
27.图2为根据实施方式的交联材料的示意性剖面视图；
28.图3为根据实施方式的发光器件的示意性剖面视图；
29.图4为根据实施方式的发光设备的示意性剖面视图；以及
30.图5为根据实施方式的发光设备的示意性剖面视图。
具体实施方式
31.现在将详细参考实施方式，而实施方式的示例在附图中示出，其中，相似的附图标记始终是指相似的元件。在这点上，本发明的实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施方式，以解释本描述的多个方面。如本文中所使用的，措辞“和/或”包括相关联列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。贯穿公开内容，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b二者、a和c二者、b和c二者、a、b和c全部、或其变体。
32.将理解的是，当一个元件被称为在另一元件“上面”时，它能与另一元件直接接触，或者在它们之间可存在居间元件。相反，当一个元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则不存在居间元件。
33.将理解的是，尽管措辞第一、第二、第三等可在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些措辞限制。这些措辞仅用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分区分开。因此，在不脱离本实施方式的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分能被称作第二元件、部件、区、层或部分。
34.本文中所使用的专业用语仅出于描述特定实施方式的目的，而不旨在进行限制。如本文中所使用的，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另有清楚指示。
35.措辞“或”意味着“和/或”。将进一步理解，当在本说明书中使用时，措辞“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”指明所
陈述的特征、区、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、区、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
36.除非另有定义，本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明总构思所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，术语，诸如在常用词典中定义的那些，应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确如此定义，否则将不以理想化或过于正式的意义来解释。
37.本文中参考作为理想化实施方式的示意性图示的剖面图示来描述示例性实施方式。如此，由于例如制造技术和/或公差而导致图示的形状的变化将被预料。因此，本文中描述的实施方式不应被解释为限于如本文中所示的区的特定形状，而是将包括例如由制造导致的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区通常可具有粗糙和/或非线性特征。此外，图示的尖角可被倒圆。因此，附图中示出的区本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区的精确形状并不旨在限制本权利要求的范围。
38.考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，本文中所使用的“约”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着在如由本领域普通技术人员所确定的针对特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”能意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
39.本文中所使用的术语“室温”是指约25℃的温度。
40.在任意式中，*、*'和*”各自指示与相邻原子或相邻官能团的结合位点。
41.图1的描述
42.图1中所示的含有量子点的材料131可包括量子点131a和化学键合到量子点的表面的有机基团131b。含有量子点的材料131可包括有机基团131b中的至少一种。有机基团131b可包括叠氮基团和电荷传输基团，并且电荷传输基团可不为未被取代的苯基。
43.在下文中，将结合图1描述根据实施方式的含有量子点的材料131和根据实施方式的制备含有量子点的材料131的方法。
44.含有量子点的材料131中的量子点131a
45.在图1中的含有量子点的材料131可包括量子点131a。
46.在实施方式中，量子点可包括：第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；第iv族元素或化合物；或其任意组合。
47.在实施方式中，量子点可为第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；或其任意组合。
48.在实施方式中，量子点可包括：cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；
49.cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；
50.cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；
51.gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb；
52.ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb或gaalnp；
53.gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb；
54.inznp、ingaznp或inalznp；或其任意组合。
55.在实施方式中，量子点可具有其中包括在量子点中的每种元素的浓度是统一的单层结构，或者量子点被包括为核-壳双层结构。
56.在实施方式中，核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素浓度朝向核降低。在实施方式中，量子点可为核-壳双层结构。
57.在实施方式中，包括在壳中的材料可包括第ii-vi族半导体化合物，和/或包括在核中的材料可为第iii-v族半导体化合物。
58.在实施方式中，包括在壳中的材料可包括：cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；
59.cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；
60.cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或其任意组合。
61.在实施方式中，包括在核中的材料可包括：gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb；
62.ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb或gaalnp；
63.gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb；
64.inznp、ingaznp或inalznp；或其任意组合。
65.可通过参考本文中提供的量子点的描述来理解量子点131a。
66.含有量子点的材料131中的有机基团131b
67.在图1中的含有量子点的材料131可包括有机基团131b。有机基团可包括叠氮基团和电荷传输基团，并且电荷传输基团可不为未被取代的苯基。
68.在实施方式中，有机基团中的电荷传输基团可为给电子基团或吸电子基团。
69.在实施方式中，在电荷传输基团中，
70.给电子基团可为未被取代或被至少一个r
20a
取代的富含π电子的c
3-c
60
环状基团、或-n(ar2)(ar3)，
71.ar2和ar3可各自独立地为未被取代或被至少一个r
20a
取代的富含π电子的c
3-c
60
环状基团，
72.吸电子基团可为：
[0073]-f、-cfh2、-cf2h、-cf3、-cn或-no2；
[0074]
被-f、-cfh2、-cf2h、-cf3、-cn或-no2中的至少一个取代的c
1-c
60
烷基；或者
[0075]
未被取代或被至少一个r
10a
取代的缺乏π电子的含氮c
1-c
60
环状基团，
[0076]r10a
可为：
[0077]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0078]c1-c
60
烷基、c
2-c
60
链烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷硫基、或c
1-c
60
烷氧基，它们各自独立地未被取代或被如下基团取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳氧基、c
1-c
60
杂芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)、或其任意组合；
[0079]c3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳氧基或c
1-c
60
杂芳硫基，它们各自独立地未被取代或被如下基团取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
链烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
1-c
60
烷硫基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳氧基、c
1-c
60
杂芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)、或其任意组合；或者
[0080]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0081]
其中，q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
链烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；c
1-c
60
烷硫基；或，c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，它们各自独立地未被取代或被如下基团取代：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、c
1-c
60
烷硫基、苯基、联苯基、或者其任意组合，并且
[0082]r20a
可为：
[0083]
氘(-d)、羟基或硝基；
[0084]c1-c
60
烷基、c
2-c
60
链烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷硫基或c
1-c
60
烷氧基，它们各自独立地为未被取代或被如下基团取代：氘、羟基、硝基、富含π电子的c
3-c
60
环状基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳氧基、c
1-c
60
杂芳硫基、-si(q
41
)(q
42
)(q
43
)、-n(q
41
)(q
42
)、-b(q
41
)(q
42
)、或其任意组合；
[0085]
富含π电子的c
3-c
60
环状基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳氧基或c
1-c
60
杂芳硫基，它们各自独立地未被取代或被如下基团取代：氘、羟基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
链烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
1-c
60
烷硫基、富含π电子的c
3-c
60
环状基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳氧基或c
1-c
60
杂芳硫基、-si(q
51
)(q
52
)(q
53
)、-n(q
51
)(q
52
)、-b(q
51
)(q
52
)、或其任意组合；或者
[0086]-si(q
61
)(q
62
)(q
63
)、-n(q
61
)(q
62
)或-b(q
61
)(q
62
)，
[0087]
其中，q
41
至q
43
、q
51
至q
53
以及q
61
至q
63
各自独立地为：氢；氘；羟基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
链烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；c
1-c
60
烷硫基；或未被取代或被如下基团取代的富含π电子的c
3-c
60
环状基团：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、c
1-c
60
烷硫基、苯基、联苯基或其任意组合。
[0088]
例如，电荷传输基团中的给电子基团可为
[0089]
苯基、庚搭烯基、茚基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、芴基、螺-双芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲(triphenylene)基、芘基、基、萘并萘基、苉基、苝基、并五苯基、并六苯基、戊芬(pentaphene)基、玉红省(rubicene)基、六苯并苯基、卵苯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、异吲哚基、吲哚基、茚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯
并硅杂环戊二烯基、萘并吡咯基、萘并呋喃基、萘并噻吩基、萘并硅杂环戊二烯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、三吲哚并苯基、吡咯并菲基、呋喃并菲基、噻吩并菲基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、(吲哚并)菲基、(苯并呋喃并)菲基、(苯并噻吩并)菲基或-n(ar2)(ar3)，它们各自独立地未被取代或被至少一个r
20a
取代，但是实施方式不限于此。
[0090]
ar2、ar3和r
20a
可分别通过参考本文中提供的ar2、ar3和r
20a
的描述来理解。
[0091]
例如，电荷传输基团中的吸电子基团可为
[0092]
咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基或吡啶并吡嗪基，它们各自独立地未被取代或被至少一个r
10a
取代。
[0093]r10a
可通过参考本文中提供的r
10a
的描述来理解。
[0094]
例如，电荷传输基团可为
[0095]
未被取代或被至少一个r
20a
取代的咔唑基，但是实施方式不限于此。
[0096]
在实施方式中，有机基团可为
[0097]
由式1表示的基团：
[0098]
式1
[0099]
＊-x
1-z
1-(a1)
m-z
2-(a2)
n-z
3-t1[0100]1[0101]
其中，a1和a2各自独立地为由式2-1或式2-2表示的基团，
[0102][0103]
其中，在式1中，
[0104]
x1可为o或s。
[0105]
在实施方式中，x1可为s。
[0106]
z1至z3可各自独立地为：
[0107]
单键；
[0108]
*-n(r
1a
)-*'、*-o-*'、*-s-*’或*-c(＝o)-*'；或者
[0109]c1-c
60
亚烷基、c
1-c
60
氧亚烷基、c
6-c
60
亚芳基或c
6-c
60
氧亚芳基，它们各自独立地未被取代或被如下基团取代：氘、羟基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、c
1-c
20
烷硫基、苯基、联苯基或其任意组合。
[0110]
t1可为端基。
[0111]
本文中所使用的术语“端基”是指键合到聚合物末端的组成单元，并且可根据本文中描述的有机基团前体的合成方法来选择各种端基。本领域普通技术人员将理解的是，可在形式和细节上作出各种改变。
[0112]
例如，端基可为氢、氘、氰基、硝基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷硫基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳硫基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)。
[0113]r10a
可通过参考本文中提供的r
10a
的描述来理解。
[0114]
a1和a2可各自独立地为由式2-1或式2-2表示的基团，
[0115]
其中m个a1和n个a2中的至少一个可为由式2-1表示的基团。
[0116]
m和n可各自独立地为50至1,000的整数。
[0117]
在实施方式中，在式1中，m和n可各自独立地为50至500的整数。
[0118]
*指示与量子点的表面的结合位点。
[0119]
在式2-1和式2-2中，
[0120]
y1和y2可各自独立地为单键、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
亚烷基。
[0121]
l1和l2可各自独立地为单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0122]
a1和a2可各自独立地为1至3的整数。
[0123]
ar1可为未被取代或被至少一个r
20a
取代的给电子基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的吸电子基团，并且
[0124]
当l1是单键时，ar1可不为未被取代的苯基。
[0125]
r1和r2可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
10
烷基、c
2-c
10
链烯基、c
2-c
10
炔基、c
1-c
10
烷硫基或c
1-c
10
烷氧基。
[0126]
*'和*”各自指示与相邻原子的结合位点。
[0127]r10a
和r
20a
可分别通过参考本文中提供的r
10a
和r
20a
的描述来理解。r
1a
可通过参考本文中提供的r
10a
的描述来理解。
[0128]
在实施方式中，式1中的a1和a2的式2-2可由式2-2a或式2-2b表示：
[0129][0130]
其中，在式2-2a和式2-2b中，
[0131]
y2、r2、l2和a2可分别参考本文中提供的y2、r2、l2和a2的描述来理解，
[0132]r31
至r
33
可各自通过参考本文中提供的r
20a
的描述来理解，
[0133]
c34可为0至4的整数，
[0134]
c35可为0至5的整数，
[0135]
c38可为0至8的整数，
[0136]
其中，取代基r
31
存在于具有r
31
取代基的键通过的每个环上，并且
[0137]
*'和*”各自指示与相邻原子的结合位点。
[0138]
在实施方式中，有机基团中叠氮基团与电荷传输基团的摩尔比可在约1∶1至约1∶10的范围中，例如，约1∶1至约1∶9、约1∶1至约1∶8、约1∶1至约1∶7、约1∶1至约1∶6、约1∶1至约1∶5、约1∶1至约1∶4、约1∶1至约1∶3或约1∶1至约1∶2。
[0139]
在实施方式中，在含有量子点的材料中，有机基团与量子点的摩尔比可在约1∶100至约1∶1,000的范围中。例如，在含有量子点的材料中，有机基团与量子点的摩尔比可在约1∶100至约1∶900、约1∶100至约1∶800、约1∶100至约1∶700、约1∶100至约1∶600、约1∶100至约1∶500、约1∶100至约1∶400、约1∶100至约1∶300、或者约1∶100至约1∶200的范围中。
[0140]
在实施方式中，含有量子点的材料的平均直径(d50)可在约40纳米(nm)至约1000nm的范围中。例如，含有量子点的材料的平均直径可在约50nm至约900nm、约60nm至约800nm、约70nm至约700nm、约80nm至约600nm、约90nm至约500nm、约100nm至约400nm、约100nm至约300nm或约100nm至约200nm的范围中。
[0141]
制备含有量子点的材料131的方法
[0142]
制备含有量子点的材料131的方法可包括：
[0143]
使量子点131a与有机基团131b的前体发生化学反应，以使量子点的表面化学键合到有机基团。
[0144]
在实施方式中，有机基团131b的前体可由式1(1)表示：
[0145]
式1(1)
[0146]
h-x
1-z
1-(a1)
m-z
2-(a2)
n-z
3-t1[0147]
1(1)
[0148]
其中，a1和a2各自独立地为由式2-1或式2-2表示的基团，
[0149][0150]
其中，式1(1)中的x1、z1至z3、t1、a1、a2、m和n以及式2-1和式2-2中的y1、y2、l1、l2、a1、a2、ar1、r1、r2、*'和*”可分别参考本文中提供的x1、z1至z3、t1、a1、a2、m和n以及y1、y2、l1、l2、a1、a2、ar1、r1、r2、*'和*”的描述来理解。
[0151]
在实施方式中，在量子点131a与有机基团131b的前体的化学反应以将量子点的表面化学键合到有机基团时，化学反应可包括在量子点的表面和有机基团之间形成共价键。
[0152]
图2的描述
[0153]
图1中的含有量子点的材料131可被交联以形成图2中的交联材料132。图2中的交联材料132可包括残基132c，其源自含有量子点的材料131中的有机基团131b中的叠氮基团和相邻有机基团之间的交联反应。叠氮基团和相邻有机基团可包括在i)相同的含有量子点的材料132c(i)中或者ii)可各自包括在不同的含有量子点的材料132c(ii)中。
[0154]
在下文中，将结合图2描述根据实施方式的交联材料132和根据实施方式的制备交联材料132的方法。
[0155]
交联材料132
[0156]
图2示出了根据实施方式的交联材料132。交联材料132可为含有量子点的材料131的交联材料(即产品)。
[0157]
在实施方式中，残基源自含有量子点的材料中的有机基团中的叠氮基团和相邻有机基团之间的交联反应。
[0158]
在实施方式中，交联材料132可包括残基132c，其源自含有量子点的材料131中的有机基团131a中的叠氮基团和相邻有机基团之间的交联反应。叠氮基团和相邻有机基团可包括在i)相同的含有量子点的材料132c(i)中或者ii)可各自包括在不同的含有量子点的材料132c(ii)中。
[0159]
在实施方式中，交联材料132中的残基132c可包括
[0160]
由式4表示的基团：
[0161]
式4
[0162]
[0163]
其中，*'、*”和*”'各自指示与相邻原子的结合位点。
[0164]
根据实施方式，交联材料可具有膜的形式。膜的厚度可在约0.1微米(μm)至约700μm的范围中。例如，膜的厚度可在约0.1μm至约600μm、约0.1μm至约500μm、约0.1μm至约400μm、约0.1μm至约300μm、约0.1μm至约200μm、约0.1μm至约100μm或约0.1μm至约50μm的范围中。
[0165]
制备交联材料132的方法
[0166]
制备交联材料132的方法可包括在衬底上提供含有量子点的材料131和溶剂；以及
[0167]
使含有量子点的材料131交联。
[0168]
在实施方式中，在提供含有量子点的材料131时的溶剂可为可溶解含有量子点的材料的任何合适的溶剂。
[0169]
例如，在含有量子点的材料131中的溶剂可为：亚烷基二醇烷基醚，诸如乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚或丙二醇单乙醚；二乙二醇二烷基醚，诸如二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丙基醚或二乙二醇二丁基醚；亚烷基二醇烷基醚乙酸酯，诸如甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯或丙二醇单丙醚乙酸酯；烷氧基烷基乙酸酯，诸如乙酸甲氧基丁酯或乙酸甲氧基戊酯；芳族烃，诸如苯、甲苯、二甲苯或均三甲苯；酮，诸如甲乙酮、丙酮、甲基戊基酮、甲基异丁基酮或环己酮；醇，诸如乙醇、丙醇、丁醇、己醇、环己醇、乙二醇或丙三醇；酯，诸如3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯或3-苯基-丙酸乙酯；环酯，诸如γ-丁内酯；甲氧基苯(也称为苯甲醚或茴香醚)；或其任意组合。
[0170]
在实施方式中，溶剂可为甲氧基苯(也称为苯甲醚或茴香醚)。
[0171]
在实施方式中，含有量子点的材料的交联可通过暴露于紫外线来进行。
[0172]
由于在含有量子点的材料中化学键合到量子点的表面的有机基团包括叠氮基团，因此可能发生光交联反应。因此，可提高含有量子点的材料的稳定性。由于有机基团可包括电荷传输基团，并且电荷传输基团可不为未被取代的苯基，所以可减少发射层和空穴传输区之间的混杂，因此改善含有量子点的材料的效率。
[0173]
由于交联键，含有量子点的材料的交联材料可改善稳定性和效率。因此，发光器件，例如有机发光器件，可具有高的或改善的空穴迁移率以及长的或改善的寿命。
[0174]
包括交联材料132的发光器件可包括：
[0175]
第一电极；
[0176]
面对所述第一电极的第二电极；以及
[0177]
在第一电极和第二电极之间且包括发射层的中间层，
[0178]
其中，发光器件可包括交联材料。
[0179]
在实施方式中，发射层可包括交联材料。
[0180]
在实施方式中，发射层可发射红光。
[0181]
根据实施方式，电子设备可包括发光器件。电子设备可进一步包括薄膜晶体管。
[0182]
在实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且发光器件的第一电极可电连接到源电极或漏电极。
[0183]
在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏光层或其任意组合。在实施方式中，电子设备可为平板显示装置，但是实施方式不限于此。
[0184]
电子设备可通过参考本文中提供的电子设备的描述来理解。
[0185]
图3的描述
[0186]
图3为根据实施方式的发光器件10的示意性视图。发光器件10可包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0187]
在下文中，将结合图3描述根据实施方式的发光器件10的结构和根据实施方式的制备发光器件10的方法。
[0188]
第一电极110
[0189]
在图3中，衬底可额外地位于第一电极110下方或第二电极150上方。衬底可为玻璃衬底或塑料衬底。衬底可为柔性衬底，该柔性衬底包括具有优异耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
[0190]
第一电极110可通过在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110为阳极时，可容易地注入空穴的高功函材料可用作用于第一电极的材料。
[0191]
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可为氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任意组合。在实施方式中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任意组合可用作用于形成第一电极110的材料。
[0192]
第一电极110可具有包括单层的单层结构，或者包括两层或更多层的多层结构。在实施方式中，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构。
[0193]
中间层130
[0194]
中间层130可在第一电极110上。中间层130可包括发射层。
[0195]
中间层130可包括交联材料132。
[0196]
中间层130可进一步包括在第一电极110和发射层之间的空穴传输区和在发射层和第二电极150之间的电子传输区。
[0197]
除了各种有机材料之外，中间层130可进一步包括含有金属的化合物(诸如有机金属化合物)、无机材料(诸如量子点)和类似物。
[0198]
中间层130可包括：i)顺序堆叠在第一电极110和第二电极150之间的至少两个发光单元，以及ii)位于至少两个发光单元之间的电荷产生层。虽然不希望被理论所束缚，但是要理解的是，当中间层130包括至少两个发光单元和电荷产生层时，发光器件10可为串联发光器件。
[0199]
中间层130中的空穴传输区
[0200]
空穴传输区可具有：i)包括包含单一材料的单层的单层结构，ii)包括包含多种不同材料的单层的单层结构，或者iii)包括包含多种不同材料的多层的多层结构。
[0201]
空穴传输区可包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射辅助层、电子阻挡层(ebl)、或其组合。
[0202]
例如，空穴传输区可具有多层结构，例如，空穴注入层/空穴传输层的结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层的结构、空穴注入层/发射辅助层的结构、空穴传输层/发射辅助层的结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的结构，其中，每种结构的层以各自
所陈述的次序顺序堆叠在第一电极110上。
[0203]
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
[0204]
式201
[0205][0206]
式202
[0207][0208]
其中，在式201和式202中，
[0209]
l
201
至l
204
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0210]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚链烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0211]
xa1至xa4可各自独立地为0至5的整数，
[0212]
xa5可为1至10的整数，
[0213]r201
至r
204
以及q
201
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0214]r201
和r
202
可任选地经由如下基团彼此键合：单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚链烯基，以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基或类似基团)(例如，本文中描述的化合物ht16)，
[0215]r203
和r
204
可任选地经由如下基团彼此键合：单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚链烯基，以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且
[0216]
na1可为1至4的整数。
[0217]
在实施方式中，式201和式202可各自包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个：
[0218][0219]
其中，在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可各自通过参考r
10a
的描述来理解，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且在式cy201至式cy217中的至少一个氢可未被取代或被r
10a
取代。
[0220]
在实施方式中，在式cy201至式cy217中，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。
[0221]
在实施方式中，式201和式202可各自包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。
[0222]
在实施方式中，式201可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个或由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0223]
在实施方式中，在式201中，xa1可为1，r
201
可为由式cy201至式cy203中的任意一个表示的基团，xa2可为0，并且r
202
可为由式cy204至式cy207中的任意一个表示的基团。
[0224]
在实施方式中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy203表示的基团。
[0225]
在实施方式中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy203表示的基团，并且包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0226]
在实施方式中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy217表示的基团。
[0227]
在实施方式中，空穴传输区可包括化合物ht1至化合物ht46或m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化的npb、tapc、hmtpd、4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯基胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸)(pani/pss)中的一个、或其任意组合；
[0228]
[0229]
[0230]
[0231]
[0232][0233]
空穴传输区的厚度可在约至约的范围中，例如，约至约约至约约至约约至约约至约约至约约至约约至约以及约至约当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层和其任意组合时，空穴注入层的厚度可在约至约的范围中，例如，约至约约至约约至约约至约以及约至约至约至约至约至约至约或至约空穴传输层的厚度可在约至约的范围中，例如，约至约约至约以及约至约。虽然不希望被理论所束缚，但是要理解的是：当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围中的任何内时，在不显著增加驱动电压的情况下可获得优异或改善的空穴传输特性。
[0234]
发射辅助层可通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来提高发光效率。电子阻挡层可减少或消除来自电子传输区的电子流。发射辅助层和电子阻挡层可包括上述的材料。
[0235]
p型掺杂剂
[0236]
空穴传输区可包括电荷产生材料以及上述材料以改善空穴传输区的导电性能。电荷产生材料可基本上均匀或非均匀地分散(例如，作为包括电荷产生材料的单层)在空穴传输区中。
[0237]
例如，电荷产生材料可包括p型掺杂剂。
[0238]
在实施方式中，p型掺杂剂的最低未占据分子轨道(lumo)能级可为约-3.5电子伏特(ev)或更小。
[0239]
在实施方式中，p型掺杂剂可包括醌衍生物、含有氰基的化合物、含有元素el1和元素el2的化合物、或其任意组合。
[0240]
醌衍生物的示例可包括tcnq、f4-tcnq和类似物。
[0241]
含有氰基的化合物的示例包括hat-cn、由式221表示的化合物和类似物：
[0242][0243]
式221
[0244][0245]
其中，在式221中，
[0246]r221
至r
223
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，并且
[0247]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，它们各自独立地被如下基团取代：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基；或其任意组合。
[0248]
在含有元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可为金属、类金属或其组合，并且元素el2可为非金属、类金属或其组合。
[0249]
金属的示例可包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)或类似物)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)或类似物)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)或类似物)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)或类似物)；镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)或类似物)；和类似物。
[0250]
类金属的示例可包括硅(si)、锑(sb)、碲(te)和类似物。
[0251]
非金属的示例可包括氧(o)、卤素(例如，f、cl、br、i和类似物)和类似物。
[0252]
例如，含有元素el1和元素el2的化合物可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物和类似物)、类金属卤化物(例如，类金属氟
化物、类金属氯化物、类金属溴化物、类金属碘化物和类似物)、金属碲化物、或其任意组合。
[0253]
金属氧化物的示例可包括：钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5和类似物)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5和类似物)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5和类似物)、铼氧化物(例如，reo3和类似物)和类似物。
[0254]
金属卤化物的示例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物和类似物。
[0255]
碱金属卤化物的示例可包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi、csi和类似物。
[0256]
碱土金属卤化物的示例可包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2、bai2和类似物。
[0257]
过渡金属卤化物的示例可包括：钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4和类似物)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4和类似物)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4和类似物)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3和类似物)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3和类似物)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3和类似物)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3和类似物)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3和类似物)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3和类似物)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2和类似物)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2和类似物)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2和类似物)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2和类似物)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2和类似物)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2和类似物)、钴卤化物(例如，ccof2、cocl2、cobr2、coi2和类似物)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2和类似物)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2和类似物)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2和类似物)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2和类似物)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2和类似物)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui和类似物)、银卤化物(例如agf、agcl、agbr、agi和类似物)、金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui和类似物)和类似物。
[0258]
后过渡金属卤化物的示例可包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2和类似物)、铟卤化物(例如，ini3和类似物)、锡卤化物(例如，sni2和类似物)和类似物。
[0259]
镧系金属卤化物的示例可包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3、smi3和类似物。
[0260]
类金属卤化物的示例可包括锑卤化物(例如，sbcl5和类似物)和类似物。
[0261]
金属碲化物的示例可包括：碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te和类似物)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate和类似物)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te和类似物)、后过渡金属碲化物(例如，znte和类似物)、镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute和类似物)和类似物。
[0262]
中间层130中的发射层
[0263]
当发光器件10为全色发光器件时，根据子像素，发射层可被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方式中，发射层可具有堆叠结构。堆叠结构可包括红
色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两层或更多层。两层或更多层的层可彼此直接接触。在实施方式中，两层或更多层的层可彼此分离。在实施方式中，发射层可包括两种或更多种的材料。两种或更多种的材料可包括红色发光材料、绿色发光材料或蓝色发光材料。两种或更多种的材料可在单层中相互混合。在单层中彼此混合的两种或更多种的材料可发射白光。
[0264]
发射层可包括交联材料132。
[0265]
发射层可进一步包括主体和掺杂剂。掺杂剂可为磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、或其任意组合。
[0266]
基于总的100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可在约0.01重量份至约15重量份的范围中，例如，基于总的100重量份的主体的约0.01重量份至约12重量份、约0.01重量份至约10重量份、约0.01重量份至约8重量份、约0.01重量份至约6重量份、约0.01重量份至约4重量份、约0.01重量份至约2重量份、约0.01重量份至约1重量份、约1重量份至约15重量份和约5重量份至约15重量份以及约10重量份至约15重量份。
[0267]
在实施方式中，发射层可进一步包括量子点。
[0268]
发射层可进一步包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层中的主体或掺杂剂。
[0269]
发射层的厚度可在约至约的范围中，并且在一些实施方式中，约至约约至约约至约约至约或约至约。虽然不希望被理论所束缚，但是要理解的是：当发射层的厚度在这些范围中的任何内时，在不显著增加驱动电压的情况下可获得改善的发光特性。
[0270]
主体
[0271]
主体可包括由式301表示的化合物：
[0272]
式301
[0273]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
[0274]
其中，在式301中，
[0275]
ar
301
和l
301
可各自独立地为：未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0276]
xb11可为1、2或3，
[0277]
xb1可为0至5的整数，
[0278]r301
可为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
链烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷硫基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0279]
xb21可为1至5的整数，并且
[0280]
其中，q
301
至q
303
可各自通过参考本文中提供的q1的描述来理解。
[0281]
在实施方式中，当式301中的xb11为2或更大时，至少两个ar
301
可经由单键结合。
[0282]
在实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：
[0283]
式301-1
[0284][0285]
式301-2
[0286][0287]
其中，在式301-1和式301-2中，
[0288]
环a
301
至环a
304
可各自独立地为：未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0289]
x
301
可为o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0290]
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
[0291]
l
301
、xb1和r
301
可分别通过参考本文中提供的l
301
、xb1和r
301
的描述来理解，
[0292]
l
302
至l
304
可分别通过参考本文中提供的l
301
的描述来理解，
[0293]
xb2至xb4可分别通过参考本文中提供的xb1的描述来理解，并且
[0294]r302
至r
305
和r
311
至r
314
可各自通过参考本文中提供的r
301
的描述来理解。
[0295]
在实施方式中，主体可包括碱土金属配合物。例如，主体可包括be配合物(例如，化合物h55)、mg配合物、zn配合物、或其任意组合。
[0296]
在实施方式中，主体可包括化合物h1至化合物h124、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4
′‑
双(n-咔唑基)-1,1
′‑
联苯(cbp)、1,3-二-9-咔唑基苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)中的一个、或其任意组合。
[0297]
[0298]
[0299]
[0300]
[0301]
[0302]
[0303][0304]
磷光掺杂剂
[0305]
磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。
[0306]
磷光掺杂剂可包括单齿配体、双齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体、或其任意组合。
[0307]
磷光掺杂剂可为电中性的。
[0308]
在实施方式中，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属配合物：
[0309]
式401
[0310]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0311]
其中，l
401
可为由式402表示的配体，
[0312]
式402
[0313][0314]
其中，在式401和式402中，
[0315]
m可为过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)和铥(tm))，
[0316]
xc1可为1、2或3，并且当xc1为2或更大时，至少两个l
401
可彼此相同或不同，
[0317]
l
402
可为有机配体，并且xc2可为0至4的整数，并且当xc2为2或更大时，至少两个l
402
可彼此相同或不同，
[0318]
x
401
至x
402
可各自独立地为氮或碳，
[0319]
环a
401
和环a
402
可各自独立地为c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，
[0320]
t
401
可为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*’或*＝c＝*'，
[0321]
x
403
和x
404
可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0322]q411
至q
414
可各自通过参考本文中提供的q1的描述来理解，
[0323]r401
和r
402
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷硫基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0324]q401
至q
403
可各自通过参考本文中提供的q1的描述来理解，
[0325]
xc11和xc12可各自独立地为0至10的整数，并且
[0326]
在式402中的*和*'各自指示与式401中的m的结合位点。
[0327]
在实施方式中，在式402中，i)x
401
可为氮，并且x
402
可为碳，或者ii)x
401
和x
402
可二者为氮。
[0328]
在实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，至少两个l
401
中的两个环a
401
可任选地经由t
402
作为连接基团结合；或者两个a
402
可任选地经由t
403
作为连接基团结合(参见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。t
402
和t
403
可各自通过参考本文中提供的t
401
的描述来理解，
[0329]
式401中的l
402
可为任何合适的有机配体。例如，l
402
可为卤素、二酮基团(例如，乙酰丙酮基团)、羧酸基(例如，吡啶甲酸酯基)、-c(＝o)、异腈基、-cn或含磷基团(例如，膦基或亚磷酸酯基团)。
[0330]
磷光掺杂剂可为例如化合物pd1至化合物pd25中的一个、或其任意组合：
[0331][0332][0333]
荧光掺杂剂
[0334]
荧光掺杂剂可包括含有胺基的化合物、含有苯乙烯基的化合物、或其任意组合。
[0335]
在实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
[0336]
式501
[0337][0338]
其中，在式501中，
[0339]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
以及r
502
可各自独立地为：未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0340]
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且
[0341]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0342]
在实施方式中，在式501中，ar
501
可包括其中至少三个单环基团被稠合的稠环基团(例如蒽基、基或芘基)。
[0343]
在实施方式中，式501中的xd4可为2。
[0344]
在实施方式中，荧光掺杂剂可包括化合物fd1至化合物fd36、dpvbi、dpavbi中的一个、或其任意组合：
[0345]
[0346]
[0347][0348]
延迟荧光材料
[0349]
发射层可包括延迟荧光材料。
[0350]
本文中描述的延迟荧光材料可为根据延迟荧光发光机制发射延迟荧光的任何合适的化合物。
[0351]
包括在发射层中的延迟荧光材料可依据包括在发射层中的其它材料的类型而充当主体或掺杂剂。
[0352]
在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可大于等于约0ev且小于等于约0.5ev。虽然不希望被理论束缚，但是要理解的是，当延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差在该范围内时，延迟荧光材料中从三重态到单重态的上转换可有效地发生，因此改善发光器件10的发光效率和类似性能。
[0353]
在实施方式中，延迟荧光材料可包括：i)包括至少一种电子给体(例如，富含π电子的c
3-c
60
环状基团，诸如咔唑基和类似物)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基、缺乏π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团和类似物)的材料、ii)包括包含彼此稠合并且共享硼(b)的至
少两个环状基团的c
8-c
60
多环基团的材料，以及类似物。
[0354]
延迟荧光材料的示例可包括化合物df1至化合物df9中的至少一种：
[0355][0356]
量子点
[0357]
发射层可包括量子点。
[0358]
发射层可包括含有量子点的材料131。
[0359]
含有量子点的材料131可包括量子点131a和有机基团131b。
[0360]
发射层可包括含有量子点的材料131，并且可进一步包括不同的量子点。
[0361]
本文中所使用的量子点可包括量子点131a或与其不同的量子点。
[0362]
本文中所使用的术语“量子点”是指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸发射各种长度的发射波长的任何合适的材料。
[0363]
量子点的直径可在例如约1nm至约10nm的范围中，例如，约1nm至约8nm、约1nm至约6nm、约1nm至约4nm、约1nm至约2nm、约3nm至约10nm、约5nm至约10nm、约7nm至约10nm以及约9nm至约10nm。
[0364]
量子点可通过湿化学法、金属有机化学气相沉积法、分子束外延法或任何类似的方法来合成。
[0365]
湿化学法是通过将前体材料与有机溶剂混合来使量子点颗粒晶体生长的方法。当晶体生长时，有机溶剂可自然地充当配位在量子点晶体表面上的分散剂，并控制晶体的生
iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；或其任意组合。在实施方式中，半导体化合物可为cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb、或其任意组合。
[0377]
量子点可具有约45nm或更小、约40nm或更小、或者约30nm或更小的发射波长的光谱的半最大值全宽度(fwhm)。当量子点的fwhm在该范围内时，颜色纯度或颜色再现性可被改善。在实施方式中，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善光学视角。
[0378]
在实施方式中，量子点可特别地为球形、金字塔形、多臂或立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板颗粒。
[0379]
通过调节量子点的尺寸，也可调节能带隙，从而在量子点发射层中获得各种波长的光。通过使用各种尺寸的量子点，可实现可发射各种波长的光的发光器件。在实施方式中，可选择量子点的尺寸以使得量子点可发射红光、绿光和/或蓝光。在实施方式中，可选择量子点的尺寸，以使得量子点可通过组合各种光的颜色来发射白光。
[0380]
中间层130中的电子传输区
[0381]
电子传输区可具有：i)包括包含单一材料的单层的单层结构、ii)包括包含多种不同材料的单层的单层结构、或者iii)包括包含多种不同材料的多层的多层结构。
[0382]
电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或电子注入层。
[0383]
在实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层的结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层的结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层的结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层的结构，其中，每种结构的层可以各自所陈述的次序顺序堆叠在发射层上。
[0384]
电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括包含至少一种缺乏π电子的含氮c
1-c
60
环状基团的不含金属的化合物。
[0385]
在实施方式中，电子传输区可包括由式601表示的化合物：
[0386]
式601
[0387]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0388]
其中，在式601中，
[0389]
ar
601
和l
601
可各自独立地为：未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0390]
xe11可为1、2或3，
[0391]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0392]r601
可为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0393]q601
至q
603
可各自通过参考本文中提供的q1的描述来理解，
[0394]
xe21可为1、2、3、4或5，并且
[0395]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的缺乏π电子且含氮的c
1-c
60
环状基团。
[0396]
在实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，至少两个ar
601
可经由单键结合。
[0397]
在实施方式中，在式601中，ar
601
可为被取代或未被取代的蒽基。
[0398]
在实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：
[0399]
式601-1
[0400][0401]
其中，在式601-1中，
[0402]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0403]
l
611
至l
613
可通过参考本文中提供的l
601
的描述来理解，
[0404]
xe611至xe613可各自通过参考本文中提供的xe1的描述来理解，
[0405]r611
至r
613
可各自通过参考本文中提供的r
601
的描述来理解，并且
[0406]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、c
1-c
20
烷硫基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0407]
例如，在式601和式601-1中，xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0408]
电子传输区可包括：化合物et1至化合物et45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz中的一个、或其任意组合：
[0409]
[0410]
[0411]
[0412][0413]
电子传输区的厚度可在约至约的范围中，例如，约至约约至约约至约约至约约至约以及约至约当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可各自独立地在约至约的范围中，例如，约至约约至约约至约约至约约至约约至约约至约以及约至约并且电子传输层的厚度可在约至约的范围中，例如，约至约约至约约至约约至约以及约至约虽然不希望被理论所束缚，但是要理解的是：当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度各自在这些范围内时，在不显著增加驱动电压的情况下可获得优异或改善的电子传输特性。
[0414]
除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含有金属的材料。
[0415]
含有金属的材料可包括碱金属配合物、碱土金属配合物、或其任意组合。碱金属配合物的金属离子可为锂(li)离子、钠(na)离子、钾(k)离子、铷(rb)离子或铯(cs)离子。碱土金属配合物的金属离子可为铍(be)离子、镁(mg)离子、钙(ca)离子、锶(sr)离子或钡(ba)离子。与碱金属配合物或碱土金属配合物的金属离子配位的每种配体可独立地为羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯、或其任意组合。
[0416]
例如，含有金属的材料可包括li配合物。li配合物可包括，例如，化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
[0417][0418]
电子传输区可包括电子注入层，该电子注入层有助于从第二电极150注入电子。电子注入层可与第二电极150直接接触。
[0419]
电子注入层可具有：i)包括包含单一材料的单层的单层结构、ii)包括包含多种不同材料的单层的单层结构、或者iii)包括包含多种不同材料的多层的多层结构。
[0420]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含有碱金属的化合物、含有碱土金属的化合物、含有稀土金属的化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物、或其任意组合。
[0421]
碱金属可为li、na、k、rb、cs、或其任意组合。碱土金属可为mg、ca、sr、ba、或其任意组合。稀土金属可为sc、y、ce、tb、yb、gd、或其任意组合。
[0422]
含有碱金属的化合物、含有碱土金属的化合物和含有稀土金属的化合物可分别为碱金属、碱土金属和稀土金属中的每种的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)、碲化物或其任意组合。
[0423]
含有碱金属的化合物可为碱金属氧化物(诸如li2o、cs2o或k2o)、碱金属卤化物(诸如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki)、或其任意组合。含有碱土金属的化合物可包括碱土金属化合物，诸如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(其中，x是满足0《x《1的实数)或ba
x
ca
1-x
o(其中，x是满足0《x《1的实数)。含有稀土金属的化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3、或其任意组合。在实施方式中，含有稀土金属的化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3、lu2te3和类似物。
[0424]
碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可包括：i)以上所描述的碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一个；以及ii)结合到金属离子的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯、或其任意组合。
[0425]
电子注入层可包括或者由如下组成：如以上所描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含有碱金属的化合物、含有碱土金属的化合物、含有稀土金属的化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物、或其任意组合。在实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0426]
在实施方式中，电子注入层可包括或者由如下组成：i)含有碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，或者ii)a)含有碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)以及b)碱金属、碱土金属、稀土金属、或其任意组合。在实施方式中，电子注入层可为ki：yb共沉积层、rbi：yb共沉积层和类似层。
[0427]
当电子注入层进一步包括有机材料、碱金属、碱土金属、稀土金属、含有碱金属的化合物、含有碱土金属的化合物、含有稀土金属的化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物、或其任意组合时，其可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基体中。
[0428]
电子注入层的厚度可在约至约的范围中，并且在一些实施方式中，约至约约至约约至约约至约约至约约至约约至约或约至约虽然不希望被理论所束缚，但是要理解的是：当电子注入层的厚度在这些范围的任何内时，在不显著增加驱动电压的情况下
可获得优异或改善的电子注入特性。
[0429]
第二电极150
[0430]
第二电极150可在中间层130上。在实施方式中，第二电极150可为作为电子注入电极的阴极。在实施方式中，用于形成第二电极150的材料可为具有低功函的材料，例如，金属、合金、导电化合物、或其任意组合。
[0431]
第二电极150可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo、或其任意组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0432]
第二电极150可具有单层结构或者包括两层或更多层的多层结构。
[0433]
覆盖层
[0434]
第一覆盖层可位于第一电极110外部，和/或，第二覆盖层可位于第二电极150外部。在实施方式中，发光器件10可具有：其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150以该陈述次序顺序堆叠的结构；其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以该陈述次序顺序堆叠的结构；或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以该陈述次序顺序堆叠的结构。
[0435]
在发光器件10中，从中间层130中的发射层发射的光可穿过第一电极110(其可为半透射电极或透射电极)并穿过第一覆盖层到外部。在发光器件10中，从中间层130中的发射层发射的光可穿过第二电极150(其可为半透射电极或透射电极)并穿过第二覆盖层到外部。
[0436]
基于相长干涉的原理，第一覆盖层和第二覆盖层可改善外部发光效率。在实施方式中，可提高发光器件10的光提取效率，由此改善发光器件10的发光效率。
[0437]
第一覆盖层和第二覆盖层可各自包括具有(在589nm处)折射率为1.6或更大的材料。
[0438]
第一覆盖层和第二覆盖层可各自独立地为包括有机材料的覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层、或者包括有机材料和无机材料的复合覆盖层。
[0439]
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含有胺基的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物、或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含有胺基的化合物可任选地被o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任意组合的取代基取代。在实施方式中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括含有胺基的化合物。
[0440]
在实施方式中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物、或其任意组合。
[0441]
在实施方式中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物ht28至化合物ht33中的一个、化合物cp1至化合物cp6中的一个、β-npb、或其任意组合：
[0442][0443]
电子设备
[0444]
发光器件可包括在各种电子设备中。在实施方式中，包括发光器件的电子设备可为发光设备或认证设备。
[0445]
除了发光器件之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括i)滤色器、ii)颜色转换层、或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可设置在从发光器件发射的光的至少一个传播方向上。例如，从发光器件发射的光可为蓝光或白光。发光器件可通过参考本文中提供的描述来理解。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为例如本文中描述的量子点。
[0446]
电子设备可包括第一衬底。第一衬底可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
[0447]
像素限定膜可位于多个子像素区域之间，以限定每个子像素区域。
[0448]
滤色器可进一步包括多个滤色器区域和在多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和在多个颜色转换区域之间的遮光图案。
[0449]
多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括：发射第一颜色光的第一区域；发射第二颜色光的第二区域；和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有不同的最大发射波长。在实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，第三颜色光可为蓝光。在实施方式中，多个滤色器区域(或多个颜色转
换区域)可各自包括量子点。在实施方式中，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。量子点可通过参考本文中提供的量子点的描述来理解。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自进一步包括发射体(emitter)。
[0450]
在实施方式中，发光器件可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三第一颜色光。在实施方式中，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可各自具有不同的最大发射波长。在实施方式中，第一光可为蓝光，第一第一颜色光可为红光，第二第一颜色光可为绿光，并且第三第一颜色光可为蓝光。
[0451]
除了发光器件之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中，源电极和漏电极中的一个可电连接到发光器件的第一电极和第二电极中的一个。
[0452]
薄膜晶体管可进一步包括栅电极、栅极绝缘膜和类似物。
[0453]
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和氧化物半导体。
[0454]
电子设备可进一步包括用于密封发光器件的封装单元。封装单元可位于滤色器和/或颜色转换层和发光器件之间。封装单元可允许光从发光器件传到外部，并且同时防止空气和湿气渗透到发光器件中。封装单元可为包括透明玻璃或塑料衬底的密封衬底。封装单元可为包括有机层和无机层中的至少一个的薄膜封装层。当封装单元是薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。
[0455]
除了滤色器和/或颜色转换层之外，依据电子设备的用途，各种功能层还可设置在封装单元上。功能层的示例可包括触摸屏层、偏光层或类似层。触摸屏层可为电阻式触摸屏层、电容式触摸屏层或红外线触摸屏层。认证设备可为例如根据生物信息(例如，指尖、瞳孔或类似物)来确认个体的生物认证设备。
[0456]
除了以上所描述的发光器件之外，认证设备可进一步包括生物信息收集单元。
[0457]
电子设备可适用于如下设备：各种显示器、光源、照明器、个人计算机(例如，移动个人计算机)、手机、数码相机、电子笔记、电子词典、电子游戏控制台、医疗装置(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图记录器、超声波诊断装置、内窥镜显示装置)、鱼探测器、各种测量装置、计量表(例如，汽车、飞机、轮船的计量表)、投影仪。
[0458]
图4和图5的描述
[0459]
图4为根据实施方式的发光设备的示意性剖面视图。
[0460]
图4的发光设备可包括衬底100、薄膜晶体管、发光器件和密封发光器件的封装单元300。
[0461]
衬底100可为柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可在衬底100上。缓冲层210可防止穿过衬底100的杂质的渗透，并且在衬底100上提供平坦表面。
[0462]
薄膜晶体管可在缓冲层210上。薄膜晶体管可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0463]
有源层220可包括诸如硅或多晶硅的无机半导体、有机半导体或氧化物半导体，并且包括源区域、漏区域和沟道区域。
[0464]
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅极绝缘膜230可在有源层220上，并且栅电
极240可在栅极绝缘膜230上。
[0465]
层间绝缘膜250可在栅电极240上。层间绝缘膜250可在栅电极240和源电极260之间以及在栅电极240和漏电极270之间，以提供其间的绝缘。
[0466]
源电极260和漏电极270可在层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅极绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区域和漏区域，并且源电极260和漏电极270可与有源层220的暴露的源区域和暴露的漏区域相邻。
[0467]
在实施方式中，薄膜晶体管可电连接到发光器件以驱动发光器件，并且可被钝化层280保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光器件可在钝化层280上。发光器件可包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0468]
第一电极110可在钝化层280上。钝化层280可不完全覆盖漏电极270并暴露漏电极270的特定区域，并且第一电极110可设置为连接到漏电极270的暴露区域。
[0469]
像素限定膜290可在第一电极110上。像素限定膜290可暴露第一电极110的特定区域，并且中间层130可形成在暴露区域中。像素限定膜290可为聚酰亚胺或聚丙烯酰基(polyacryl)有机膜。尽管在图4中未示出，但是中间层130的一些更高的层可延伸到像素限定膜290的上部，并且因此可设置为公共层的形式。
[0470]
第二电极150可在中间层130上，并且覆盖层170可额外地形成在第二电极150上。可形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
[0471]
封装单元300可在覆盖层170上。封装单元300可在发光器件上，以保护发光器件免受湿气或氧气的影响。封装单元300可包括：无机膜，包括硅的氮化物(sin
x
)、硅的氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸和类似物)、环氧树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age)和类似物)或其任意组合；或者无机膜和有机膜的组合。
[0472]
图5为根据实施方式的另一发光设备的示意性剖面视图。
[0473]
除了光屏蔽图案500和功能区域400额外地位于封装单元300上之外，图5中所示的发光设备可与图4中所示的发光设备基本上相同。功能区域400可为i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，包括在发光设备中的图5中所示的发光器件可为串联发光器件。
[0474]
制造方法
[0475]
构成空穴传输区的层、发射层以及构成电子传输区的层可通过使用一种或多种合适的方法(诸如真空沉积、旋涂、流延、朗缪尔-布洛杰特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像)在特定区中形成。
[0476]
当通过真空沉积各自独立地形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，依据要形成的各层中包括的材料和要形成的各层的结构，可以在约100℃至约500℃的的范围中的沉积温度、在约10-8
托至约10-3
托的范围中的真空度和在约0.01埃每秒至约的范围中的沉积速度来进行真空沉积。
[0477]
术语的一般定义
[0478]
本文中所使用的术语“c
3-c
60
碳环基团”是指仅由碳原子构成且具有3至60个碳原子的环状基团。本文中所使用的术语“c
1-c
60
杂环基团”是指除了除碳原子以外的杂原子之
外还具有1至60个碳原子的环状基团。两种基团(c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团)包括芳族和非芳族的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可各自为由一个环组成的单环基团或其中至少两个环稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基团的成环原子的数量可在3至61的范围中。
[0479]
本文中所使用的术语“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团。
[0480]
术语“富含π电子的c
3-c
60
环状基团”是指具有3至60个碳原子且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团。如本文中所使用的术语“缺乏π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团”是指具有1至60个碳原子和*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0481]
在实施方式中，
[0482]c3-c
60
碳环基团可为：i)t1基团或ii)其中至少两个t1基团稠合的基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、并五苯基、庚搭烯基、萘并萘基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、六苯并苯基、卵苯基、茚基、芴基、螺-双芴基、苯并芴基、茚并非基或茚并蒽基)，
[0483]
在实施方式中，c
1-c
60
杂环基团可为：i)t2基团、ii)其中至少两个t2基团稠合的基团、或iii)其中至少一个t2基团和至少一个t1基团稠合的基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基和类似物)，
[0484]
在实施方式中，富含π电子的c
3-c
60
环状基团可为：i)t1基团、ii)其中至少两个t1基团稠合的稠合基团、iii)t3基团、v)其中至少两个t3基团稠合的稠合基团、或者v)其中至少一个t3基团和至少一个t1基团稠合的稠合基团(例如，c
3-c
60
碳环基团、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基和类似物)。
[0485]
在实施方式中，缺乏π电子的含氮c
1-c
60
环状基团可为：i)t4基团、ii)其中至少两个t4基团稠合的基团、iii)其中至少一个t4基团和至少一个t1基团稠合的稠合环状基团、iv)其中至少一个t4基团和至少一个t3基团彼此稠合的基团、或v)其中至少一个t4基团、至
少一个t1基团和至少一个t3基团稠合的基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基和类似物)。
[0486]
在实施方式中，t1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基、双环[1.1.1]戊烷基、双环[2.1.1]戊烷基、双环[2.2.2]辛烷基或苯基，
[0487]
t2基团可为呋喃基、噻吩团、1h-吡咯团、硅杂环戊二烯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基，
[0488]
t3基团可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、硅氧环戊二烯基或硼杂环戊二烯基，并且
[0489]
t4基团可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基(azasilole)、氮杂硼杂环戊二烯基(azaborole)、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0490]
本文中所使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基团”、“c
1-c
60
杂环基团”、“富含π电子的c
3-c
60
环状基团”或“缺乏π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”可依据应用术语的式的结构而为与任意合适的环状基团、一价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团或类似基团)稠合的基团。例如，“苯基”可为苯并基团、苯基、亚苯基或类似基团，并且依据包括“苯基”的式的结构，本领域普通技术人员可对此理解。
[0491]
一价c
3-c
60
碳环基团和一价c
1-c
60
杂环基团的示例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、一价非芳族稠合多环基团和一价非芳族稠合杂多环基团。二价c
3-c
60
碳环基团和二价c
1-c
60
杂环基团的示例可包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团以及二价非芳族稠合杂多环基团。
[0492]
本文中所使用的术语“c
1-c
60
烷基”是指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃一价基团，其示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。本文中所使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”是指具有与c
1-c
60
烷基相同的结构的二价基团。
[0493]
本文中所使用的术语“c
2-c
60
链烯基”是指具有在c
2-c
60
烷基的中间或末端的至少一个碳-碳双键的烃基。其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。本文中所使用的术语“c
2-c
60
亚链烯基”是指具有与c
2-c
60
链烯基相同的结构的二价基团。
[0494]
本文中所使用的术语“c
2-c
60
炔基”是指具有在c
2-c
60
烷基的中间或末端的至少一
个碳-碳三键的一价烃基。其示例包括乙炔基和丙炔基。本文中所使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”是指具有与c
2-c
60
炔基相同的结构的二价基团。
[0495]
本文中所使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”是指由-oa
101
表示的一价基团(其中，a
101
为c
1-c
60
烷基)。其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
[0496]
本文中所使用的术语“c
1-c
60
烷硫基”是指由-sa
104
表示的一价基团(其中，a
104
为c
1-c
60
烷基)，并且其示例包括甲硫基、乙硫基和异丙硫基。
[0497]
本文中所使用的术语“c
3-c
10
环烷基”是指包括3至10个碳原子的一价饱和烃单环基团。本文中所使用的术语“c
3-c
10
环烷基”的示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基或双环[2.2.1]辛基。本文中所使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”是指具有与c
3-c
10
环烷基相同的结构的二价基团。
[0498]
本文中所使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”是指包括至少一个除碳原子以外的杂原子作为成环原子且具有1至10个碳原子的一价环状基团。其示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。本文中所使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”是指具有与c
1-c
10
杂环烷基相同的结构的二价基团。
[0499]
本文中所使用的术语“c
3-c
10
环烯基”是指具有3至10个碳原子以及其环中的至少一个碳-碳双键的一价环状基团，并且不为芳族的。其示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。本文中所使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”是指具有与c
3-c
10
环烯基相同的结构的二价基团。
[0500]
本文中所使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”是指包括至少一个除碳原子以外的杂原子作为成环原子、1至10个碳原子以及其环中的至少一个双键的一价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基的示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。本文中所使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”是指具有与c
1-c
10
杂环烷基相同的结构的二价基团。
[0501]
本文中所使用的术语“c
6-c
60
芳基”是指具有带有6至60个碳原子的碳环芳族体系的一价基团。本文中所使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”是指具有带有6至60个碳原子的碳环芳族体系的二价基团。c
6-c
60
芳基的示例包括苯基、并环戊二烯基(pentalenyl)、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基(phenalenyl)、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲、芘基、基、苝基、戊芬基(pentaphenyl)、庚搭烯、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、晕苯基和莪基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自独立地包括两个或更多个的环时，各自的环可为稠合的。
[0502]
本文中所使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”是指具有进一步包括至少一个除碳原子以外的杂原子作为成环原子和1至60个碳原子的杂环芳族体系的一价基团。本文中所使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”是指具有进一步包括至少一个除碳原子以外的杂原子作为成环原子和1至60个碳原子的杂环芳族体系的二价基团。c
1-c
60
杂芳基的示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自独立地包括两个或更多个的环时，各自的环可为稠合的。
[0503]
本文中所使用的术语“一价非芳族稠合的多环基团”是指具有两个或更多个稠合环并且只有碳原子作为成环原子(例如，8至60个碳原子)的一价基团，其中，当作为整体考虑时分子结构是非芳族的。一价非芳族稠合的多环基团的示例包括茚基、芴基、螺-双芴基、
苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。本文中所使用的术语“二价非芳族稠合的多环基团”是指与一价非芳族稠合的多环基团具有基本上相同的结构的二价基团。
[0504]
本文中所使用的术语“一价非芳族稠合的杂多环基团”是指具有两个或更多个稠合环和至少一个除碳原子(例如1至60个碳原子)以外的杂原子作为成环原子的一价基团，其中，当作为整体考虑时分子结构是非芳族的。一价非芳族稠合的杂多环基团的示例包括：吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并苯并噻吩基。本文中所使用的术语“二价非芳族稠合的杂多环基团”是指与一价非芳族稠合杂多环基团具有基本上相同的结构的二价基团。
[0505]
本文中所使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”由-oa
102
表示(其中，a
102
为c
6-c
60
芳基)。本文中所使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”为由-sa
103
表示(其中，a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0506]
本文中所使用的术语“c
1-c
60
杂芳氧基”是指-oa
105
(其中，a
105
为c
1-c
60
杂芳基)，并且本文中所使用的术语“c
1-c
60
杂芳硫基”指示-sa
106
(其中，a
106
为c
1-c
60
杂芳基)。
[0507]
本文中所使用的术语“r
10a”可为：
[0508]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0509]c1-c
60
烷基、c
2-c
60
链烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷硫基、或c
1-c
60
烷氧基，它们各自独立地未被取代或被如下基团取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳氧基、c
1-c
60
杂芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)、或其任意组合；
[0510]c3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
1-c
60
杂芳氧基、c
1-c
60
杂芳硫基或c
6-c
60
芳硫基，它们各自独立地为未被取代或被如下基团取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
链烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
1-c
60
烷硫基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳氧基、c
1-c
60
杂芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)、或其任意组合；或者
[0511]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0512]
q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
链烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；c
1-c
60
烷硫基；c
3-c
60
碳环基团、或c
1-c
60
杂环基团，它们各自独立地为未被取代或被如下基团取代：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、c
1-c
60
烷硫基、苯基、联苯基、或者其任意组合。
[0513]
本文中所使用的术语“杂原子”是指除碳原子以外的任何原子。杂原子的示例可包括o、s、n、p、si、b、ge、se、或其任意组合。
[0514]
本文中所使用“ph”表示苯基，本文中所使用的“me”表示甲基，本文中所使用的“et”表示乙基，本文中所使用的“ter-bu”或“bu
t”表示叔丁基，并且本文中所使用的“ome”表示甲氧基。
[0515]
本文中所使用的“联苯基”是指被至少一个苯基取代的苯基。“联苯基”属于具有“c
6-c
60
芳基”作为取代基的“被取代的苯基”。
[0516]
本文中所使用的术语“三联苯基”是指被至少一个苯基取代的苯基。“三联苯基”属于具有“被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基”作为取代基的“被取代的苯基”。
[0517]
除非另有定义，否则本文中所使用的符号*、*'、*”和*”'是指对应式中与相邻原子的结合位点。
[0518]
在下文中，将参考合成示例和示例详细描述根据一个或多个实施方式的化合物和发光器件。在描述合成示例中使用的用语“用b代替a”意味着就摩尔当量而言使用的b的量与使用的a的量相同。
[0519]
示例
[0520]
1、有机基团的前体的合成
[0521]
通过可逆加成断裂链转移(raft)方法来制备硫醇封端的嵌段共聚物。氯苯乙烯和三甲胺单体被蒸馏和纯化，并且双硫酯结构被用作raft试剂。
[0522]
合成示例1-1(前体1的合成)
[0523]
前体1，m＝10，n＝10
[0524][0525]
将5克(g)的4-乙烯基苄基氯单体(0.033摩尔(mol))、0.0028g的偶氮二异丁腈(aibn)(0.00017mol)、0.5g的双硫酯raft试剂(0.0017mol)和10g的苯混合一起。通过三次冷冻-泵-解冻循环方法，从中去除气体。然后，所得混合物在真空下在70℃的温度下搅拌2小时，产物在丙酮中沉淀，从而获得2g中间体1-1(mn：1,550g/mol，pdi：1.1)。
[0526]
双硫酯raft试剂
[0527]
[0528]
将2.1g的n,n-二苯基-4-乙烯基苯胺(tpa)单体(0.0078mol)、0.001g的aibn(0.000065mol)、1.0g的中间体1-1(0.00065mol)和10g的苯混合一起。通过三次冷冻-泵-解冻循环方法，从中去除气体。然后，所得混合物在真空下在70℃的温度下搅拌2小时，产物在丙酮中沉淀，从而获得1.2g中间体1-2(mn：4,350g/mol，pdi：1.2)。
[0529]
将中间体1-2、0.057g的己胺(0.00056mol)和5g的无水(干燥)四氢呋喃(thf)混合，然后，在氮气氛围下搅拌12小时所得的产物，在甲醇中沉淀，从而获得1.2g的中间体1-3。
[0530]
将1.2g的中间体1-3(0.00028mol)、0.022g的叠氮化钠(0.00033mol)和5g的二甲基甲酰胺(dmf)混合，并且然后将所得混合物在氮气氛围下搅拌12小时，产物在甲醇中沉淀，从而获得1.2g的前体1。
[0531]
合成示例1-2(前体2的合成)
[0532]
前体2，m＝10，n＝30
[0533][0534]
将6.3g的n,n-二苯基-4-乙烯基苯胺(tpa)单体(0.0234mol)、0.001g的aibn(0.000065mol)、1.0g的中间体1-1(0.00065mol)和20g的苯混合一起。通过三次冷冻-泵-解冻循环方法，从中去除气体。然后，所得混合物在真空下在70℃的温度下搅拌4小时，产物在丙酮中沉淀，从而获得3.0g中间体2-2(mn：10,000g/mol，pdi：1.2)。
[0535]
将3.0g的中间体2-2(0.0003mol)、0.0606g的己胺(0.0006mol)和10g的无水(干燥)thf混合，并且然后将所得混合物在氮气氛围下搅拌12小时，产物在甲醇中沉淀，从而获得3.0g的中间体2-3。
[0536]
将3.0g的中间体2-3(0.0003mol)、0.24g的叠氮化钠(0.00036mol)和10g的dmf混合，并且然后将所得混合物在氮气氛围下搅拌12小时，产物在甲醇中沉淀，从而获得3.0g的前体2。
[0537]
合成示例1-3(前体3的合成)
[0538]
前体3，m＝10，n＝60
[0539][0540]
将12.6g的n,n-二苯基-4-乙烯基苯胺(tpa)单体(0.0468mol)、0.001g的aibn
(0.000065mol)、1.0g的中间体1-1(0.00065mol)和30g的苯混合一起。通过三次冷冻-泵-解冻循环方法，从中去除气体。然后，所得混合物在真空下在70℃的温度下搅拌4小时，产物在丙酮中沉淀，从而获得5.0g中间体3-2(mn：18,600g/mol，pdi：1.3)。
[0541]
将5.0g的中间体3-2(0.00027mol)、0.06g的己胺(0.00054mol)和10g的无水(干燥)thf混合，并且然后将所得混合物在氮气氛围下搅拌12小时。所得产物在甲醇中沉淀，从而获得5.0g的中间体3-3。
[0542]
将5.0g的中间体3-3(0.00027mol)、0.3g的叠氮化钠(0.00033mol)和15g的dmf混合，并且然后将所得混合物在氮气氛围下搅拌12小时，产物在甲醇中沉淀，从而获得5.0g的前体3。
[0543]
合成示例1-4(前体4的合成)
[0544]
前体4，m＝10，n＝10
[0545][0546]
将1.5g的9-乙烯基咔唑单体(0.0078mol)、0.001g的aibn(0.000065mol)、1.0g的中间体1-1(0.00065mol)和10g的苯混合一起。通过三次冷冻-泵-解冻循环方法，从中去除气体。然后，所得混合物在真空下在70℃的温度下搅拌2小时，产物在丙酮中沉淀，从而获得2.0g中间体4-2(mn：3,520g/mol，pdi：1.2)。
[0547]
将2.0g的中间体4-2(0.00057mol)、0.11g的己胺(0.0011mol)和5g的无水(干燥)thf混合，并且然后将所得混合物在氮气氛围下搅拌12小时，产物在甲醇中沉淀，从而获得1.8g的中间体4-3。
[0548]
将1.8g的中间体4-3(0.00051mol)、0.04g的叠氮化钠(0.00061mol)和5g的dmf混合，并且然后将所得混合物在氮气氛围下搅拌12小时，产物在甲醇中沉淀，从而获得5.0g的前体4。
[0549]
合成示例1-5(前体5的合成)
[0550]
前体5，m＝10，n＝30
[0551][0552]
将4.5g的9-乙烯基咔唑单体(0.0234mol)、0.001g的aibn(0.000065mol)、1.0g的中间体1-1(0.00065mol)和15g的苯混合一起。通过三次冷冻-泵-解冻循环方法，从中去除气体。然后，所得混合物在真空下在70℃的温度下搅拌2小时，产物在丙酮中沉淀，从而获得
5.0g中间体5-2(mn：7,400g/mol，pdi：1.2)。
[0553]
将5.0g的中间体5-2(0.00068mol)、0.14g的己胺(0.0014mol)和10g的无水(干燥)thf混合，并且然后将所得混合物在氮气氛围下搅拌12小时，产物在甲醇中沉淀，从而获得4.6g的中间体5-4。
[0554]
将4.6g的中间体5-4(0.00062mol)、0.05g的叠氮化钠(0.00075mol)和15g的dmf混合，并且然后将所得混合物在氮气氛围下搅拌12小时，产物在甲醇中沉淀，从而获得4.3g的前体5。
[0555]
合成示例1-6(前体6的合成)
[0556]
前体6，m＝10，n＝60
[0557][0558]
将9.0g的9-乙烯基咔唑单体(0.047mol)、0.001g的aibn(0.000065mol)、1.0g的中间体1-1(0.00065mol)和20g的苯混合一起。通过三次冷冻-泵-解冻循环方法，从中去除气体。然后，所得混合物在真空下在70℃的温度下搅拌9小时，产物在丙酮中沉淀，从而获得9.2g中间体6-2(mn：13,400g/mol，pdi：1.3)。
[0559]
将9.2g的中间体6-2(0.00068mol)、0.14g的己胺(0.0014mol)和10g的无水(干燥)thf混合，并且然后将所得混合物在氮气氛围下搅拌12小时，产物在甲醇中沉淀，从而获得9.0g的中间体6-3。
[0560]
将9.0g的中间体6-3(0.00067mol)、0.053g的叠氮化钠(0.0008mol)和20g的dmf混合，并且然后将所得混合物在氮气氛围下搅拌12小时，产物在甲醇中沉淀，从而获得8.7g的前体6。
[0561]
2、含有量子点的材料的合成
[0562]
合成示例2-1(化合物1的合成)
[0563]
处理1：inp/znses的合成
[0564]
1)inp核的合成
[0565]
将0.2g乙酸铟前体(0.69毫摩尔(mmol))、0.38g乙酸锌(2.1mmol)、1.2毫升(ml)的油酸(3.4mmol)和70ml的1-十八碳烯(ode)加入到250ml的三颈烧瓶中。用氮气吹扫后，在150℃的温度下加热40分钟，然后冷却至室温。在室温下，剧烈搅拌2.3ml的p(tms)3(0.91mmol)并注入圆烧瓶中。在注入p(tms)3之后，反应温度从室温升至300℃持续20分钟。然后，将所得产物冷却至230℃的温度，并在该温度下保持40分钟，从而形成inp核。
[0566]
2)znses壳的形成
[0567]
在合成的inp-gap核-壳上形成znses梯度壳。将0.275g的zn(oac)2(1.5mmol)加入到反应混合物中，并在230℃的温度下反应1小时。将0.16克硒加入到2ml的三辛基膦(top)溶液中，并混合混合物以使得se-top溶液变得透明。随后，在230℃的温度下，在15秒内，将
0.6ml的se-top溶液(3mmol)加入圆烧瓶中。在15秒内，向其中滴加0.72ml的ddt(3mmol)用于注射。然后，迅速将反应温度升至300℃，接着反应20分钟。接着，将温度下降至230℃，并将反应在该温度下保持20分钟或更长。最后，将最终反应溶液冷却至室温，并交替使用甲醇和丙酮2至3次进行离心分离和纯化，从而制备inp/znses(620nm)量子点。
[0568]
处理2：含有量子点的材料1的合成
[0569]
将0.04g的前体1溶解在4ml的甲苯中，将0.01g的inp/znses一起混合，接着搅拌48小时。将反应产物在冷的正己烷中沉淀，并溶于甲苯中以再沉淀。这个过程重复三次。然后，从中除去羧酸配体，从而合成化合物1。
[0570]
合成示例2-1至合成示例2-6(化合物2至化合物6的合成)
[0571]
在方法2中，除了各自使用前体2至前体6代替前体1之外，以与合成示例2-1中的基本上相同的方式合成化合物2至化合物6。
[0572]
3、交联材料(薄膜)的制备
[0573]
示例1(薄膜1的制备)
[0574]
处理1：墨水组合物1的合成
[0575]
将化合物1溶解在苯甲醚溶剂中至1.5重量百分比(wt％)，从而制备墨水组合物1(在下文中，被称为“墨水1”)。
[0576]
护理2：薄膜1的制备
[0577]
通过使用旋涂机将墨水1旋涂以形成单层膜。然后，通过使用热板在180℃的温度下进行干燥和热处理30分钟，从而制备单层膜。将50微升(μl)苯甲醚溶剂涂覆到单层膜上，并且30分钟后，通过使用擦拭器来吸收苯甲醚溶剂，随后通过使用热板在100℃的温度下干燥和热处理1分钟。
[0578]
在氮气氛围下，在180℃的温度下在加热炉中将溶剂处理的单层膜后烘烤30分钟，从而制备厚度为40纳米(nm)的薄膜1。
[0579]
示例2至示例6和比较示例1至比较示例3(薄膜2至薄膜6和对比薄膜1至对比薄膜3)
[0580]
除了使用表1中所示的化合物代替处理1中的化合物1并且使用表1中所示的墨水代替处理2中的墨水1以外，以与示例1中的基本上相同的方式制备薄膜2至薄膜6和对比薄膜1至对比薄膜3。
[0581]
评价示例1
[0582]
为了评价示例1至示例6和比较示例1至比较示例3中制备的薄膜的特性，通过使用空间电荷限制电流(sclc)测量薄膜的空穴迁移率。薄膜的评价结果示出在表1中。表1中薄膜的残留率各自通过使用曝光系统以如下方式来测量：通过以200毫焦耳每平方厘米(mj/cm2)的曝光量照射紫外光(365nm)，计算薄膜的紫外(uv)面积和单层膜的uv面积，并将薄膜的测量的uv面积除以单层膜的测量的uv面积。
[0583]
表1
[0584][0585]
化合物1至化合物6以及化合物b和化合物c的有机基团
[0586]
[0587][0588]
在化合物1至化合物6以及化合物b和化合物c中，*指示与inp/znses的结合位点。
[0589]
在表1中，发现与比较示例1至比较示例3的薄膜相比，示例1至示例6的薄膜具有显著改善的空穴迁移率。
[0590]
从前面的描述显而易见的是，发现通过含有量子点的组合物的交联制备的交联材料具有优异或改善的空穴迁移率以及长的或改善的寿命，并且因此，该交联材料可用于制造高质量的设备。
[0591]
应理解的是，本文中描述的实施方式应仅被认为是描述性的，而不出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由所附权利要求限定的本详细描述的精神和范围的情况下，其中可在形式和细节上作出各种改变。