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用于钨层的蚀刻溶液组合物、用其制作电子器件的方法及电子器件与流程

2022-06-25 06:24:52 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.用于钨层的蚀刻溶液组合物,包括:相对于所述用于钨层的蚀刻溶液组合物的总重量,25重量%至50重量%的n-甲基吗啉n-氧化物;和水。2.根据权利要求1所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物,还包括以下化学式1的组合物:[化学式1]其中,r1是具有4至18个碳原子的线性烷基。3.根据权利要求2所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物,其中,所述化学式1的化合物包括选自由十六烷基二甲胺n-氧化物和月桂基二甲胺n-氧化物组成的组中的一种或多种。4.根据权利要求2所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物,包括:相对于所述用于钨层的蚀刻溶液组合物的总重量,所述n-甲基吗啉n-氧化物为30重量%至50重量%;所述化学式1的化合物为0.3重量%至15重量%;和余量的水。5.根据权利要求1所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物,还包括:以下化学式2的化合物:[化学式2]nh2c2h4(nhc2h4)nnh2其中,n是0至2的整数。6.根据权利要求5所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物,其中,所述化学式2的化合物包括选自由乙二胺、二亚乙基三胺和三亚乙基四胺组成的组中的一种或多种。7.根据权利要求5所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物,包括:相对于所述用于钨层的蚀刻溶液组合物的总重量,所述n-甲基吗啉n-氧化物为30重量%至50重量%;所述化学式2的化合物为0.1重量%至1.2重量%;和余量的水。8.根据权利要求5所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物,其中,所述用于钨层的蚀刻溶液组合物的蚀刻温度为从30℃至80℃。9.用于制作电子器件的方法,包括使用根据权利要求1至8中的任一项所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物蚀刻钨基金属的工艺。

技术总结
本公开涉及包括N-甲基吗啉N-氧化物和水的、用于钨层的蚀刻溶液组合物,该蚀刻溶液组合物在仅选择性蚀刻钨基金属而不会蚀刻基于氮化钛的金属或碳化钛铝层方面有效。氮化钛的金属或碳化钛铝层方面有效。


技术研发人员:金成民 曺榕浚 李京浩
受保护的技术使用者:东友精细化工有限公司
技术研发日:2016.09.29
技术公布日:2022/6/24
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本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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