掩膜版图修正方法与流程

1.本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版图修正方法。


背景技术：

2.光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。然而现有的光刻技术中往往伴随着光学邻近效应。
3.为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(opc：optical proximity correction)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
4.然而，现有技术中经过光学邻近校正后的掩膜版所形成的半导体结构的性能仍有待提升。


技术实现要素：

5.本发明解决的技术问题是提供一种掩膜版图修正方法，能够有效提升形成的半导体结构的性能。
6.为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种掩膜版图修正方法，包括：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括沿第一方向排布的若干初始第一目标图形和若干第二目标图形，并且在第二方向上，所述第二目标图形的长度小于初始第一目标图形的长度，所述第一方向和第二方向相互垂直；在所述初始目标版图中获取若干待处理图形、以及与每个待处理图形对应的若干参考图形，所述待处理图形为与第二目标图形相邻的初始第一目标图形，所述参考图形为与所述待处理图形相邻的第二目标图形；根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且对应的对应区域；根据与每个参考图形所对应的对应区域，对所述待处理图形进行补偿处理，获取目标版图。
7.可选的，根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且与所述参考图形对应的对应区域的方法包括：对所述待处理图形进行区域划分，获取m个相邻的初始区域，m为大于或等于1的自然数；提供n个预设范围，且不同的预设范围之间不重合，n为大于或等于1的自然数；获取第k个初始区域相对于任一参考图形的定位参数lk；当所述定位参数lk在第i个预设范围内时，所述第k个初始区域为所述参考图形对应的第i对应区域的至少一部分，k和i均为自然数，且1≤k≤m，1≤i≤n。
8.可选的，在第二方向上，所述待处理图形的轮廓包括相对的第一边和第二边；若干所述参考图形包括与所述第一边相邻的第一参考图形。
9.可选的，对所述待处理图形进行补偿处理的方法包括：当所述第k个初始区域为第i1对应区域的至少一部分时，获取与第i1对应区域对应的补偿参数ti，所述第i1对应区域为
所述第一参考图形对应的第i对应区域；根据所述补偿参数ti，对所述第k个初始区域的待处理图形进行补偿。
10.可选的，所述补偿参数ti包括：第一补偿参数ai，所述第一补偿参数ai用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形在第一方向上的线宽。
11.可选的，所述第一补偿参数ai＝(w
i-w
ipre
)/2，所述wi是第i1对应区域的未补偿处理线宽值，所述w
ipre
是第i1对应区域中的待处理图形在第一方向上的线宽。
12.可选的，所述补偿参数ti还包括：第二补偿参数bi，所述第二补偿参数bi用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形的中心在第一方向上的偏心尺寸。
13.可选的，所述第二补偿参数bi＝(s
i-s
ipre
)/2，所述si是第i1对应区域的未补偿处理轮廓间距值，所述s
ipre
是第i1对应区域中的第二边、以及与第二边相邻的初始第一目标图形的轮廓在第一方向上的间距。
14.可选的，若干所述参考图形还包括与所述第二边相邻的第二参考图形。
15.可选的，对所述待处理图形进行补偿处理的方法包括：当所述第k个初始区域为第i1对应区域的至少一部分，并且，所述第k个初始区域为第v2对应区域的至少一部分时，获取同时与第i1对应区域以及第v2对应区域对应的补偿参数t
iv
，所述第i1对应区域为所述第一参考图形对应的第i对应区域，所述第v2对应区域为所述第二参考图形对应的第v对应区域，v为自然数，且1≤v≤n；根据所述补偿参数t
iv
，对所述第k个初始区域的待处理图形进行补偿。
16.可选的，所述补偿参数t
iv
包括：第三补偿参数c
iv
，所述第三补偿参数c
iv
用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形在第一方向上的线宽。
17.可选的，对所述待处理图形进行补偿处理的方法还包括：将所述第k个初始区域中的第一边朝向待处理图形的方向偏移距离x
k1
，并将所述第k个初始区域中的第二边朝向待处理图形的方向偏移距离x
k2
，且x
k1
＝x
k2
＝c
iv
。
18.可选的，所述第三补偿参数c
iv
＝(w
iv-w
ivpre
)/2，所述w
iv
是同时与第i1对应区域以及第v2对应区域对应的未补偿处理线宽值，所述w
ivpre
是待处理图形同时位于第i1对应区域和第v2对应区域中的部分在第一方向上的线宽。
19.可选的，对所述待处理图形进行补偿处理的方法还包括：当所述第k个初始区域为第i1对应区域的至少一部分，并且，定位参数l
k2
不在n个所述预设范围内的任意1个预设范围内时，获取与第i1对应区域对应的补偿参数ti，所述定位参数l
k2
是第k个初始区域相对于第二参考图形的定位参数lk；根据所述补偿参数ti，对所述第k个初始区域的待处理图形进行补偿。
20.可选的，所述补偿参数ti包括：第一补偿参数ai，所述第一补偿参数ai用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形在第一方向上的线宽。
21.可选的，所述补偿参数ti还包括：第二补偿参数bi，所述第二补偿参数bi用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形的中心在第一方向上的偏心尺寸。
22.可选的，对所述待处理图形进行补偿处理的方法还包括：将所述第k个初始区域中的第一边朝向待处理图形的方向偏移距离x
k1
，且x
k1
＝ai bi；将所述第k个初始区域中的第二边背向待处理图形的方向偏移距离x
k2
，且x
k2
＝bi。
23.可选的，对所述待处理图形进行补偿处理的方法还包括：当所述第k个初始区域为
第v2对应区域的至少一部分，并且，定位参数l
k1
不在n个所述预设范围内的任意1个预设范围内时，获取与第v2对应区域对应的补偿参数tv，所述定位参数l
k1
是第k个初始区域相对于第一参考图形的定位参数lk；根据所述补偿参数tv，对所述第k个初始区域的待处理图形进行补偿。
24.可选的，所述补偿参数tv包括：第一补偿参数av，所述第一补偿参数av用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形在第一方向上的线宽。
25.可选的，所述补偿参数tv还包括：第二补偿参数bv，所述第二补偿参数bv用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形的中心在第一方向上的偏心尺寸。
26.可选的，对所述待处理图形进行补偿处理的方法还包括：将所述第k个初始区域中的第二边朝向待处理图形的方向偏移距离x
k2
，且x
k2
＝av bv；将所述第k个初始区域中的第一边背向待处理图形的方向偏移距离x
k1
，且x
k1
＝bv。
27.可选的，对所述待处理图形进行区域划分，获取m个相邻的初始区域的方法包括：获取m条沿第一方向延伸的定位线，m条所述定位线相邻且沿所述第二方向排布，并且，在所述第一方向上，m条所述定位线均贯穿所述待处理图形；根据m条所述定位线获取m个相邻的初始区域，每个初始区域被1条定位线贯穿。
28.可选的，获取m条沿第一方向延伸的定位线的方法包括：提供m个沿第一方向延伸的定位图形，m个所述定位图形相邻且沿所述第二方向排布；根据m个所述定位图形获取m条所述定位线，每条定位线是1个定位图形在第一方向上的中心线。
29.可选的，所述定位图形用于形成伪栅结构或栅极结构。
30.可选的，在所述第一方向上，每个参考图形被m条所述定位线中的至少1条贯穿；获取第k个初始区域相对于每个参考图形的定位参数lk的方法包括：获取每个参考图形的基准线，所述基准线是m条所述定位线中贯穿所述参考图形的定位线；根据所述基准线、以及贯穿第k个初始区域的定位线，获取第k个初始区域相对于每个参考图形的定位参数lk。
31.可选的，当所述基准线的数量为1条时，所述定位参数lk为：在所述第二方向上，贯穿第k个初始区域的定位线与所述基准线之间的间距；当所述基准线的数量为多条时，所述定位参数lk为：在所述第二方向上，贯穿第k个初始区域的定位线，与各条基准线之间的最小间距。
32.可选的，当贯穿第k个初始区域的定位线为基准线时，所述定位参数lk＝q；当贯穿第k个初始区域的定位线不是基准线时，所述定位参数lk＝q 1，所述q为在第二方向上，贯穿第k个初始区域的定位线与基准线之间间隔的定位线的数量。
33.可选的，所述定位参数lk是所述第k个初始区域与所述参考图形之间的间距。
34.与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
35.本发明技术方案提供的掩膜版图修正方法中，根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且对应的对应区域，并根据与每个参考图形所对应的对应区域，对所述待处理图形进行补偿处理，获取目标版图，因此，不仅能够对后续在曝光过程中受到第二目标图形(参考图形)影响(吸引)的初始第一目标图形(待处理图形)，预先进行补偿处理，在此基础上，还根据在曝光过程中每个参考图形对待处理图形在不同位置产生的不同影响，划分对应区域，因此，能够根据待处理图形受到的所述影响的程度，进行针对性更高、更准确的补偿处理，从而，更好地降低了曝光过程后，所形成的半导体结构的尺寸和位置与目
标尺寸和位置之间的偏差，进而，有效提升了半导体结构的性能。
36.进一步，由于所述定位图形用于形成伪栅结构或栅极结构，因此，在获取对应区域时，能够更明确地建立所述尺寸和位置的偏差，与实际半导体器件性能受到的影响程度之间的关联性，即，能够根据所述待处理图形所形成的半导体结构的偏差，在不同位置对半导体器件的性能所带来的不同影响程度，划分对应区域，从而，在提高目标版图所形成的半导体结构的性能的同时，减少待处理图形中需要补偿处理的区域，使得对待处理图形的补偿处理的效率得到了提高。
附图说明
37.图1是一种光学邻近修正方法中的待修正图形示意图；
38.图2是一种光学邻近修正方法中的曝光图形示意图；
39.图3是本发明一实施例的掩膜版图修正方法的流程示意图；
40.图4至图21是图3中流程示意图的各步骤的结构示意图。
具体实施方式
41.正如背景技术所述，现有技术中经过光学邻近修正后的图形效果仍有待提升。以下将结合附图进行具体说明。
42.现有的光学邻近修正过程为：提供目标版图；对所述目标版图进行若干次光学邻近修正处理，获取光学邻近修正版图；对所述光学邻近修正版图进行模拟曝光处理，获取曝光图像，当曝光图像符合预期设定的放置边缘误差(epe)时，则认为获取的曝光图像符合要求，并以所述光学邻近修正版图制作掩膜版。
43.然而，伪栅结构切断的目标版图(如图1所示)在进行光学邻近修正的过程中，由于所述目标版图中存在长切断图形100(long bars)和短切断图形101(short bars)，所述短切断图形101在光学邻近修正的过程中会对所述长切断图形100进行一定的吸引，使得最终经过曝光处理后所获取的长曝光切断图形200会向短曝光切断图形201方向靠近(如图2所示)，进而导致被吸引的长曝光切断图形200所形成的伪栅结构切断处与鳍部之间的间距d1较小，在后续去除伪栅结构时对应形成的栅极开口也较小，当栅极开口较小时，不利于栅介质材料的填充，导致最终形成的半导体结构的性能降低。
44.为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种掩膜版图修正方法，通过根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且对应的对应区域，并根据与每个参考图形所对应的对应区域，对所述待处理图形进行补偿处理，获取目标版图。因此，降低了所形成的半导体结构的尺寸和位置与目标尺寸和位置之间的偏差，进而，有效提升了半导体结构的性能。
45.为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
46.图3是本发明一实施例的掩膜版图修正方法的流程示意图。
47.请参考图3，所述掩膜版图修正方法包括：
48.步骤s100，提供初始目标版图，所述初始目标版图包括沿第一方向排布的若干初始第一目标图形和若干第二目标图形，并且在第二方向上，所述第二目标图形的长度小于
初始第一目标图形的长度，所述第一方向和第二方向相互垂直；
49.步骤s200，在所述初始目标版图中获取若干待处理图形、以及与每个待处理图形对应的若干参考图形，所述待处理图形为与第二目标图形相邻的初始第一目标图形，所述参考图形为与所述待处理图形相邻的第二目标图形；
50.步骤s300，根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且对应的对应区域；
51.步骤s400，根据与每个参考图形所对应的对应区域，对所述待处理图形进行补偿处理，获取目标版图。
52.由于根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且对应的对应区域，并根据与每个参考图形所对应的对应区域，对所述待处理图形进行补偿处理，获取目标版图，因此，不仅能够对后续在曝光过程中受到第二目标图形(参考图形)影响(吸引)的初始第一目标图形(待处理图形)，预先进行补偿处理，在此基础上，还根据在曝光过程中每个参考图形对待处理图形在不同位置产生的不同影响，划分对应区域，因此，能够根据待处理图形受到的所述影响的程度，进行针对性更高、更准确的补偿处理，从而，更好地降低了曝光过程后，所形成的半导体结构的尺寸和位置与目标尺寸和位置之间的偏差，进而，有效提升了半导体结构的性能。
53.图4至图21是图3中流程示意图的各步骤的结构示意图。
54.请参考图4，提供初始目标版图300，所述初始目标版图300包括沿第一方向x排布的若干初始第一目标图形301和若干第二目标图形302，并且在第二方向y上，所述第二目标图形302的长度h2小于初始第一目标图形301的长度h1，所述第一方向x和第二方向y相互垂直。
55.具体而言，在本实施例中，所述初始目标版图300用于对伪栅极结构或者栅极结构的切断。
56.需要说明的是，图4中仅示意性的表示出一部分的初始第一目标图形301以及第二目标图形302。各初始第一目标图形301的长度h1之间可以相同，也可以不相同。同样的，各第二目标图形302的长度h2之间可以相同，也可以不相同。
57.请参考图5至图8，在所述初始目标版图300中获取若干待处理图形、以及与每个待处理图形对应的若干参考图形，所述待处理图形为与第二目标图形302相邻的初始第一目标图形301，所述参考图形为与所述待处理图形相邻的第二目标图形302。
58.在本实施例中，若干所述待处理图形包括：待处理图形401、待处理图形501、待处理图形601和待处理图形701。
59.需要说明的是，为了便于说明，将待处理图形401及其参考图形、待处理图形501及其参考图形、待处理图形601及其参考图形、以及待处理图形701及其参考图形分别示意在不同的附图中，其中，图5示意性的表示出待处理图形401及其参考图形，图6示意性的表示出待处理图形501及其参考图形，图7示意性的表示出待处理图形601及其参考图形，图8示意性的表示出待处理图形701及其参考图形。
60.在其他实施例中，若干所述待处理图形和参考图形中，包括待处理图形401及其参考图形、待处理图形501及其参考图形、待处理图形601及其参考图形和待处理图形701及其参考图形中，除全部待处理图形及其参考图形以外的一个待处理图形及其参考图形，或者
多个。
61.在本实施例中，在第二方向y上，所述待处理图形的轮廓包括相对的第一边和第二边。
62.具体而言，在第二方向上y上，所述待处理图形401的轮廓包括相对的第一边411和第二边412，所述待处理图形501的轮廓包括相对的第一边511和第二边512，所述待处理图形601的轮廓包括相对的第一边611和第二边612，所述待处理图形701的轮廓包括相对的第一边711和第二边712。
63.在本实施例中，若干所述参考图形包括与所述第一边相邻的第一参考图形。
64.具体而言，若干所述参考图形包括第一参考图形430、第一参考图形530、第一参考图形630和第一参考图形730。其中，第一参考图形430是与第一边411相邻的第一参考图形，第一参考图形530是与第一边511相邻的第一参考图形，第一参考图形630是与第一边611相邻的第一参考图形，第一参考图形730是与第一边711相邻的第一参考图形。
65.在本实施例中，若干所述参考图形还包括与所述第二边相邻的第二参考图形。
66.具体而言，若干所述参考图形还包括第二参考图形540、第二参考图形640和第二参考图形740。其中，第二参考图形540是与第二边512相邻的第二参考图形，第二参考图形640是与第二边612相邻的第二参考图形，第二参考图形740是与第二边712相邻的第二参考图形。
67.需要说明的是，在本实施例中，若干所述参考图形中不具有与所述待处理图形401的第二边412相邻的第二参考图形。
68.从而，通过本实施例中后续的补偿处理方法，能够根据待处理图形在第一方向x上的两侧，受到1个参考图形(第一参考图形或第二参考图形)的影响的情况，或是待处理图形沿第一方向x的两侧，同时受到第一参考图形和第二参考图形的影响的情况，分别进行更有针对性的补偿，从而更好的提高了掩膜版图修正方法的补偿处理的精度。
69.接着，根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且对应的对应区域。
70.在本实施例中，根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且对应的对应区域的方法包括：对所述待处理图形进行区域划分，获取m个相邻的初始区域，m为大于或等于1的自然数；提供n个预设范围，且不同的预设范围之间不重合，n为大于或等于1的自然数；获取第k个初始区域相对于任一参考图形的定位参数lk；当所述定位参数lk在第i个预设范围内时，所述第k个初始区域为所述参考图形对应的第i对应区域的至少一部分，k和i均为自然数，且1≤k≤m，1≤i≤n。具体获取所述对应区域的过程请参考图9至图13。
71.请在图5至图8的基础上参考图9至图12，对所述待处理图形进行区域划分，获取m个相邻的初始区域r，m为大于或等于1的自然数。
72.需要说明的是，可以分别对各个待处理图形进行区域划分，也可以同时对多个或者所有的待处理图形进行区域划分，并获取各个待处理图形各自的m个初始区域r。并且，每个待处理图形的初始区域r的数量根据实际情况，可以采用相同的数量，也可以采用不同的数量。例如，可以分别对待处理图形401和待处理图形501进行区域划分，并且，获取的待处理图形401上的初始区域r的数量，与获取的待处理图形501上的初始区域r的数量不同。或者，还可以分别对待处理图形401和待处理图形501进行区域划分，并且，获取的待处理图形401上的初始区域r的数量，与获取的待处理图形501上的初始区域r的数量相同。同样的，根
据实际情况，各个待处理图形的初始区域r在第二方向y上，可以采用相同的区域长度hn(如图5所示)，也可以采用不同的区域长度hn。
73.在本实施例中，同时对待处理图形401、待处理图形501、待处理图形601以及待处理图形701进行区域划分。因此，能够减少掩膜版图修正方法中，修正过程中的运算量，从而，提高了修正过程的效率。
74.在本实施例中，对所述待处理图形进行区域划分，获取m个相邻的初始区域r的方法包括：获取m条沿第一方向x延伸的定位线801，m条所述定位线801相邻且沿所述第二方向y排布，并且，在所述第一方向x上，m条所述定位线801均贯穿所述待处理图形；根据m条所述定位线801获取m个相邻的初始区域r，每个初始区域r被1条定位线801贯穿。
75.在其他实施例中，对待处理图形进行区域划分，获取m个相邻的初始区域的方法包括：提供在第二方向上的区域长度；沿第一方向，根据所述区域长度，自所述待处理图形的一端至另一端，对待处理图形划分区域，获取m个相邻的初始区域。
76.在本实施例中，获取m条沿第一方向x延伸的定位线801的方法包括：提供m个沿第一方向x延伸的定位图形810(如图13所示)，m个所述定位图形810相邻且沿所述第二方向y排布；根据m个所述定位图形810获取m条所述定位线801，每条定位线801是1个定位图形810在第一方向x上的中心线。
77.在本实施例中，所述定位图形810用于形成伪栅结构或栅极结构。
78.由于所述定位图形810用于形成伪栅结构或栅极结构，因此，在获取对应区域时，能够更明确地建立所述尺寸和位置的偏差，与实际半导体器件性能受到的影响程度之间的关联性，即，能够根据所述待处理图形所形成的半导体结构的偏差，在不同位置对半导体器件的性能所带来的不同影响程度(例如，去除伪栅材料后，所述偏差对填充栅极材料的影响程度大小，或者对在所述位置填充其他材料的影响程度大小等)，划分对应区域，从而，在提高目标版图所形成的半导体结构的性能的同时，减少待处理图形中需要补偿处理的区域，使得对待处理图形的补偿处理的效率得到了提高。
79.在其他实施例中，定位线还可以是其他体现定位图形位置的线段或直线，例如是定位图形在第二方向上的轮廓所在的直线等。
80.在其他实施例中，定位图形可以用于形成其他半导体器件的结构。
81.在其他实施例中，根据实际需要直接提供用于定位的定位线。
82.需要说明的是，为了提供更简洁的附图以便于理解，图9至图12中仅示意性的显示定位线801，不显示作为定位线801的来源的定位图形810。
83.不仅如此，为了便于说明，本实施例中，将以各待处理图形在第二方向y上的长度h1(如图4所示)相同，并且，各待处理图形上获取的初始区域r的数量、以及初始区域r在第二方向y上的区域长度hn(如图5所示)相同为例，进行说明。
84.具体而言，在本实施例中，待处理图形401、待处理图形501、待处理图形601和待处理图形701在第二方向y上的长度h1(如图4所示)相同。
85.在本实施例中，获取m条沿第一方向x延伸的定位线801，m条定位线801相邻且沿所述第二方向y排布，并且，在所述第一方向x上，m条定位线801均贯穿待处理图形401、m条定位线801均贯穿待处理图形501、m条定位线801均贯穿待处理图形601、m条定位线801均贯穿待处理图形701。
86.接着，根据m条定位线801获取m个相邻的初始区域r1，每个初始区域r1被1条定位线801贯穿，初始区域r1是在待处理图形401上获取的初始区域r。
87.同样的，根据m条定位线801获取m个相邻的初始区域r2，每个初始区域r2被1条定位线801贯穿，初始区域r2是在待处理图形501上获取的初始区域r。
88.同样的，根据m条定位线801获取m个相邻的初始区域r3，每个初始区域r3被1条定位线801贯穿，初始区域r3是在待处理图形601上获取的初始区域r。
89.同样的，根据m条定位线801获取m个相邻的初始区域r4，每个初始区域r4被1条定位线801贯穿，初始区域r4是在待处理图形701上获取的初始区域r。
90.所获取的m个相邻的初始区域r1、所获取的m个相邻的初始区域r2、所获取的m个相邻的初始区域r3、以及所获取的m个相邻的初始区域r4中，各m为大小相同的自然数，各初始区域r1、初始区域r2、初始区域r3、以及初始区域r4在第二方向y上的区域长度hn也相同。
91.在本实施例中，在所述第一方向x上，每个参考图形被m条所述定位线801中的至少1条贯穿。
92.具体而言，在所述第一方向x上，第一参考图形430被1条定位线801贯穿；第一参考图形530和第二参考图形540被同1条定位线801贯穿；第一参考图形630和第二参考图形640分别被1条定位线801贯穿，并且，贯穿第一参考图形630的定位线801、以及贯穿第二参考图形640的定位线801为不同且相邻的2条定位线801；第一参考图形730被2条定位线801贯穿，第二参考图形740被1条定位线801贯穿，并且，贯穿第一参考图形730的定位线801与贯穿第二参考图形740的定位线801之间，是不同且不相邻的定位线801。
93.需要说明的是，贯穿各参考图形的定位线801的数量、以及相互之间的位置关系根据实际的设计需求决定，图9至图12中仅示意性的表示出一些具体的情况以便于说明和理解。具体而言，为了便于理解，图9至图12中以m＝7为例进行说明。
94.请在图9至图12的基础上参考图14至图17，提供n个预设范围，且不同的预设范围之间不重合，n为大于或等于1的自然数；获取第k个初始区域相对于任一参考图形的定位参数lk；当所述定位参数lk在第i个预设范围内时，所述第k个初始区域为所述参考图形对应的第i对应区域的至少一部分，k和i均为自然数，且1≤k≤m，1≤i≤n。
95.需要说明的是，为了便于解释，图14至图17中，设定各初始区域r1、各初始区域r2、各初始区域r3、以及各初始区域r4中，沿第二方向y，k值均自下而上逐渐增加。即，对各初始区域r1、各初始区域r2、各初始区域r3、以及各初始区域r4进行排序。以各初始区域r1为例，在第二方向y上，各初始区域r1自下而上分别依次为：第1个初始区域r1、第2个初始区域r1、第2个初始区域r1、第3个初始区域r1、
……
、第7个初始区域r1。因此，图14中沿第二方向y自下而上表示出第1个初始区域r1至第7个初始区域r1、图15中沿第二方向y自下而上表示出第1个初始区域r2至第7个初始区域r2、图16中沿第二方向y自下而上表示出第1个初始区域r3至第7个初始区域r3、图17中沿第二方向y自下而上表示出第1个初始区域r4至第7个初始区域r4，以便对本实施中的修正方法进行说明。
96.需要说明的是，是否对m个初始区域r进行排序、以及所述排序的方式不影响本发明技术方案的效果。在实际的修正过程中，可以对m个初始区域r进行排序，也可以不对m个初始区域r进行排序。并且，当对m个初始区域r进行排序时，可以根据实际的修正运算需求，进行任意的排序，例如，可以将m个初始区域r中正中间的初始区域r作为第1个初始区域r，
或者在第二方向y上，k值均自上而下逐渐增加等。
97.在本实施例中，提供2个预设范围，其中，第1个预设范围为0，第2个预设范围为1。
98.在本实施例中，获取第k个初始区域r相对于每个参考图形的定位参数lk的方法包括：获取每个参考图形的基准线811，所述基准线811是m条所述定位线801中贯穿所述参考图形的定位线801；根据所述基准线811、以及贯穿第k个初始区域r的定位线801，获取第k个初始区域r相对于每个参考图形的定位参数lk。
99.在其他实施例中，所述定位参数lk是所述第k个初始区域与所述参考图形之间的间距。具体而言，所述间距可以是第k个初始区域的中心、以及参考图形的中心之间的间距，或者所述间距还可以是第k个初始区域中待处理图形的轮廓、以及参考图形的轮廓之间的最小间距等。
100.在本实施例中，当贯穿第k个初始区域r的定位线801为基准线811时，所述定位参数lk＝q；当贯穿第k个初始区域r的定位线801不是基准线811时，所述定位参数lk＝q 1，所述q为在第二方向y上，贯穿第k个初始区域r的定位线801与基准线811之间间隔的定位线801的数量。
101.需要说明的是，本实施例中为了区分各待处理图形的定位参数lk所针对的参考图形，将定位参数lk分为定位参数l
k1
和定位参数l
k2
，其中，定位参数l
k1
是第k个初始区域相对于第一参考图形的定位参数lk，定位参数l
k2
是第k个初始区域相对于第二参考图形的定位参数lk。
102.在m个初始区域r1中，由于第4个初始区域r1被基准线811贯穿，因此第4个初始区域r1的定位参数l
41
＝0，其中，基准线811是贯穿第一参考图形430的定位线801。
103.同时，定位参数l
41
＝0，即定位参数l
41
在第1个预设范围内，因此，第4个初始区域r1是第一参考图形430对应的第0对应区域的至少一部分。
104.在m个初始区域r1中，由于贯穿第1个初始区域r1的定位线801不是基准线811，因此，第1个初始区域r1的定位参数l
11
＝2 1＝3。
105.同时，定位参数l
11
不在2个所述预设范围内的任意1个预设范围内，因此，第1个初始区域r1不是对应区域。
106.同样的，第2个初始区域r1的定位参数l
21
＝1 1＝2，第3个初始区域r1的定位参数l
31
＝0 1＝1，第5个初始区域r1的定位参数l
51
＝0 1＝1，第6个初始区域r1的定位参数l
61
＝1 1＝2，第7个初始区域r1的定位参数l
71
＝2 1＝3。
107.同样的，第3个初始区域r1以及第5个初始区域r1均是第一参考图形430对应的第1对应区域的至少一部分。第2个初始区域r1、第6个初始区域r1、以及第7个初始区域r1不是对应区域。
108.在m个初始区域r2中，由于贯穿第4个初始区域r2的定位线801不仅是贯穿第一参考图形530的基准线811，同时还是贯穿第二参考图形540的基准线811，因此，第4个初始区域r2相对于第一参考图形530的定位参数l
41
，与第4个初始区域r2相对于第二参考图形540的定位参数l
42
相等，且l
41
＝l
42
＝0。
109.同时，第4个初始区域r2是第一参考图形530对应的第0对应区域、以及第二参考图形540对应的第0对应区域的至少一部分。
110.同样的，第1个初始区域r2的定位参数l
11
＝l
12
＝2 1＝3，第2个初始区域r2的定位
参数l
21
＝l
22
＝1 1＝2，第3个初始区域r2的定位参数l
31
＝l
32
＝0 1＝1，第5个初始区域r2的定位参数l
51
＝l
52
＝0 1＝1，第6个初始区域r2的定位参数l
61
＝l
62
＝1 1＝2，第7个初始区域r2的定位参数l
71
＝l
72
＝2 1＝3。
111.同样的，第3个初始区域r2以及第5个初始区域r2，同时是第一参考图形530对应的第1对应区域、以及第二参考图形540对应的第1对应区域的至少一部分。并且，第1个初始区域r2、第2个初始区域r2、第6个初始区域r2、以及第7个初始区域r2不是对应区域。
112.在m个初始区域r3中，由于贯穿第3个初始区域r3的定位线801是贯穿第一参考图形630的基准线811，因此，第3个初始区域r3相对于第一参考图形630的定位参数l
31
＝0。同时，由于贯穿第3个初始区域r3的定位线801不是贯穿第二参考图形640的基准线811，并且，贯穿第3个初始区域r3的定位线801，与贯穿第二参考图形640的基准线811之间间隔的定位线801的数量为0个，因此，第3个初始区域r3相对于第二参考图形640的定位参数l
32
＝0 1＝1。
113.同时，第3个初始区域r3是第一参考图形630对应的第0对应区域的至少一部分，并且，第3个初始区域r3是第二参考图形640对应的第1对应区域的至少一部分。
114.同样的，第1个初始区域r3的定位参数l
11
＝1 1＝2且定位参数l
12
＝2 1＝3，第2个初始区域r3的定位参数l
21
＝0 1＝1且定位参数l
22
＝1 1＝2，第4个初始区域r3的定位参数l
41
＝0 1＝1且定位参数l
42
＝0，第5个初始区域r3的定位参数l
51
＝1 1＝2且定位参数l
52
＝0 1＝1，第6个初始区域r3的定位参数l
61
＝2 1＝3且定位参数l
62
＝1 1＝2，第7个初始区域r3的定位参数l
71
＝3 1＝4且定位参数l
72
＝2 1＝3。
115.同样的，第2个初始区域r3、第4个初始区域r3是第一参考图形630对应的第1对应区域的至少一部分。第1个初始区域r3、第5个初始区域r3、第6个初始区域r3、以及第7个初始区域r3不是第一参考图形630的对应区域。
116.同样的，第4个初始区域r3是第二参考图形640对应的第0对应区域的至少一部分。第5个初始区域r3是第二参考图形640对应的第1对应区域的至少一部分。第1个初始区域r3、第2个初始区域r3、第6个初始区域r3、以及第7个初始区域r3不是第二参考图形640的对应区域。
117.在m个初始区域r4中，由于贯穿第5个初始区域r4的定位线801是贯穿第一参考图形730的基准线811，因此，第5个初始区域r4相对于第一参考图形730的定位参数l
51
＝0。同时，由于贯穿第5个初始区域r4的定位线801不是贯穿第二参考图形740的基准线811，并且，贯穿第5个初始区域r4的定位线801，与贯穿第二参考图形740的基准线811之间间隔的定位线801的数量为1个，因此，第5个初始区域r4相对于第二参考图形740的定位参数l
52
＝1 1＝2。
118.同时，第5个初始区域r4是第一参考图形730对应的第0对应区域的至少一部分，并且，第5个初始区域r4不是第二参考图形740的对应区域。
119.同样的，第1个初始区域r4的定位参数l
11
＝3 1＝4且定位参数l
12
＝1 1＝2，第2个初始区域r4的定位参数l
21
＝2 1＝3且定位参数l
22
＝0 1＝1，第3个初始区域r4的定位参数l
31
＝1 1＝2且定位参数l
32
＝0，第4个初始区域r4的定位参数l
41
＝0 1＝1且定位参数l
42
＝0 1＝1，第6个初始区域r4的定位参数l
61
＝0且定位参数l
62
＝2 1＝3，第7个初始区域r4的定位参数l
71
＝0 1＝1且定位参数l
72
＝3 1＝4。
120.同样的，第4个初始区域r4和第7个初始区域r4是第一参考图形730对应的第1对应区域的至少一部分。第6个初始区域r4是第一参考图形730对应的第0对应区域的至少一部
分。第1个初始区域r4、第2个初始区域r4、以及第3个初始区域r4不是第一参考图形730的对应区域。
121.同样的，第2个初始区域r4和第4个初始区域r4是第二参考图形740对应的第1对应区域的至少一部分。第3个初始区域r4是第二参考图形740对应的第0对应区域的至少一部分。第6个初始区域r4以及第7个初始区域r4不是第二参考图形740的对应区域。
122.在其他实施例中，当所述基准线的数量为1条时，所述定位参数lk为：在所述第二方向上，贯穿第k个初始区域的定位线与所述基准线之间的间距；当所述基准线的数量为多条时，所述定位参数lk为：在所述第二方向上，贯穿第k个初始区域的定位线，与各条基准线之间的最小间距。具体而言，贯穿第k个初始区域的定位线，与各条基准线之间的最小间距是指：贯穿第k个初始区域的定位线，与最靠近第k个初始区域的定位线的基准线之间沿第二方向的间距。
123.需要说明的是，可以根据实际需求提供预设范围。例如，第1个预设范围可以是0到2，第2个预设范围可以3到5等。并且，根据实际情况，也可以提供大于2个的预设范围。不仅如此，所提供的预设范围的类型与定位参数lk的类型相关，即，根据定位参数lk的类型定义预设范围的类型，例如，当定位参数lk是第k个初始区域与第一参考图形之间的间距时，预设范围是一个间距的参数或者一个间距范围的参数。
124.在本实施例中，所述掩膜版图修正方法还包括：在后续对所述待处理图形进行补偿处理前，对所述待处理图形进行分类；根据所述待处理图形的类型以及与每个参考图形所对应的对应区域，对所述待处理图形进行补偿处理。从而，能够在补偿处理的过程中，根据所述分类，去除各分类中无需使用到的补偿方法，简化实际补偿过程的运算量，提高补偿处理的效率。
125.具体而言，当待处理图形的参考图形仅包括与第一边相邻的第一参考图形或者与第二边相邻的第二参考图形中的一者时，所述待处理图形为第一类待处理图形(如图14所示)。
126.当待处理图形的参考图形同时包括与第一边相邻的第一参考图形、以及与第二边相邻的第二参考图形，并且，m条定位线中，至少具有1条同时贯穿第一参考图形和第二参考图形的定位线时，所述待处理图形为第二类待处理图形(如图15所示)。
127.当待处理图形的参考图形同时包括与第一边相邻的第一参考图形、以及与第二边相邻的第二参考图形，并且，m条定位线中，贯穿第一参考图形的定位线、以及贯穿第二参考图形的定位线相邻时，所述待处理图形为第三类待处理图形(如图16所示)。
128.当待处理图形的参考图形同时包括与第一边相邻的第一参考图形、以及与第二边相邻的第二参考图形，并且，m条定位线中，贯穿第一参考图形的定位线、以及贯穿第二参考图形的定位线之间间隔若干条定位线时，所述待处理图形为第四类待处理图形(如图17所示)，其中，所述间隔的定位线的数量根据提供的预设范围获取。
129.本实施例中，间隔的定位线的数量与2个预设范围中的最大预设值1相同，为1条。
130.在其他实施例中，在对所述待处理图形进行补偿处理前，不对所述待处理图形进行分类，从而，增加了补偿处理的普适性。
131.需要说明的是，在本实施例中，由于根据1个待处理图形的第一参考图形、以及第二参考图形所处的位置，以第i对应区域为例，与所述待处理图形的第一参考图形对应的第
i对应区域、以及与所述待处理图形的第二参考图形对应的第i对应区域，在该待处理图形上可以在相同或者不同的位置。因此，为了便于理解和说明，在本实施例中，根据每个待处理图形的第一参考图形和第二参考图形，将与第一参考图形对应的对应区域、以及与第二参考图形对应的对应区域进行区分。
132.以1个待处理图形同时具有第一参考图形以及第二参考图形为例：针对所述待处理图形，第i1对应区域为该处理图形的第一参考图形所对应的第i对应区域，第v2对应区域为该处理图形的第二参考图形所对应的第v对应区域，v为自然数，且1≤v≤n。
133.具体而言，在本实施例中，对于待处理图形401，第i1对应区域为第一参考图形430所对应的第i对应区域。
134.对于待处理图形501，第i1对应区域为第一参考图形530所对应的第i对应区域，第v2对应区域为第二参考图形540所对应的第v对应区域。
135.对于待处理图形601，第i1对应区域为第一参考图形630所对应的第i对应区域，第v2对应区域为第二参考图形640所对应的第v对应区域。
136.对于待处理图形701，第i1对应区域为第一参考图形730所对应的第i对应区域，第v2对应区域为第二参考图形740所对应的第v对应区域。
137.需要说明的是，为了便于理解，在图14至图17中，将与第一参考图形对应的第i1对应区域以标记“i
1”示意于第一参考图形与第一边之间。例如，对于待处理图形401，将第01对应区域以标记“0
1”示意于第一参考图形430与第一边411之间。同样的，将与第二参考图形对应的第v2对应区域以标记“v
2”示意于第二参考图形与第二边之间。
138.接着，根据与每个参考图形所对应的对应区域，对所述待处理图形进行补偿处理，获取目标版图。具体过程请参考图18至图21。
139.需要说明的是，对所述待处理图形进行补偿处理获取目标版图是指，将各个被补偿处理后的待处理图形，替代初始目标版图300中相对应的待处理图形，形成目标版图。
140.请在图14的基础上参考图18，对所述待处理图形401进行补偿处理的方法包括：当所述第k个初始区域r1为第i1对应区域的至少一部分时，获取与第i1对应区域对应的补偿参数ti；根据所述补偿参数ti，对所述第k个初始区域r1的待处理图形401进行补偿。
141.因此，对于第一类的待处理图形401而言，仅需采用与单个参考图形时的补偿处理对应的运算，可以去除同时与第一参考图形、以及第二参考图形相关的补偿处理对应的运算，从而，简化了补偿处理的运算量。
142.在本实施例中，所述补偿参数ti包括：第一补偿参数ai，所述第一补偿参数ai用于补偿所述第k个初始区域r1的待处理图形401在第一方向x上的线宽d1。
143.所述第一补偿参数ai＝(w
i-w
ipre
)/2，所述wi是第i1对应区域的未补偿处理线宽值，所述w
ipre
是第i1对应区域中的待处理图形401在第一方向x上的线宽d1。
144.在本实施例中，所述wi是一个真实检测值，或是多个真实检测值的均值。具体而言，获取wi的方法包括：对所述初始目标版图300进行光学临近修正，获取与初始目标版图300对应的初始修正版图(未图示)；根据所述初始修正版图，形成检测用图形层(未图示)，所述检测用图形层同时与初始目标版图300以及初始修正版图对应，所述检测用图形层包括与待处理图形401对应的半导体结构(未图示)；测量检测用图形层上，与第i1对应区域所对应的区域中(未图示)，与待处理图形401对应的半导体结构的任意1处线宽(未图示)或者
多处线宽，并将所述任意1处线宽或者所述多处线宽的均值，作为所述wi。
145.在其他实施例中，获取wi的方法包括：对所述初始目标版图进行光学临近修正，获取与初始目标版图对应的初始修正版图；对所述初始修正版图进行模拟曝光，获取分别与初始目标版图、以及初始修正版图对应的模拟曝光版图，所述模拟曝光版图包括与待处理图形对应的模拟待处理图形；测量模拟曝光版图上，与第i1对应区域所对应的区域中，与待处理图形对应的模拟待处理图形的任意1处线宽或者多处线宽，并将所述任意1处线宽或者所述多处线宽的均值，作为所述wi。
146.在其他实施例中，还可以根据经验，直接提供未补偿处理线宽值wi。
147.在本实施例中，所述补偿参数ti还包括：第二补偿参数bi，所述第二补偿参数bi用于补偿所述第k个初始区域r1的待处理图形401的中心fk在第一方向x上的偏心尺寸。
148.所述第二补偿参数bi＝(s
i-s
ipre
)/2，所述si是第i1对应区域的未补偿处理轮廓间距值，所述s
ipre
是第i1对应区域中的第二边402、以及与第二边402相邻的初始第一目标图形301的轮廓在第一方向x上的间距。
149.在本实施例中，所述si是一个真实检测值，或是多个真实检测值的均值。具体而言，获取si的方法包括：对所述初始目标版图300进行光学临近修正，获取与初始目标版图300对应的初始修正版图(未图示)；根据所述初始修正版图，形成检测用图形层(未图示)，所述检测用图形层同时与初始目标版图300以及初始修正版图对应；测量检测用图形层上的轮廓间距，并将所述轮廓间距作为所述未补偿处理轮廓间距值si。
150.所述轮廓间距是：检测用图形层中，与第i1对应区域所对应的区域中(未图示)的第二边结构(未图示)、以及与所述对应的区域中的第二边结构相邻的参考轮廓之间，任意1个沿第一方向x的间距(未图示)、或者多个间距的均值。
151.所述第二边结构是检测用图形层中，与第二边440对应的半导体结构。
152.所述参考轮廓是检测用图形层中，与所述对应的区域中的第二边结构相邻、且与初始第一目标图形301对应的半导体结构的轮廓。
153.同样的，在其他实施例中，获取si的方法与本实施例中获取si的方法的区别之处在于，将所述模拟曝光版图代替所述检测用图形层，并根据所述模拟曝光版图获取未补偿处理轮廓间距值si。
154.在其他实施例中，还可以根据经验，直接提供未补偿处理轮廓间距值si。
155.具体而言，本实施例中，待处理图形的第一边和第二边受到参考图形的影响包括两类，第1类是参考图形对待处理图形的线宽的影响，第2类是参考图形对待处理图形的中心的偏心影响。
156.对于待处理图形401，由于在第一边411和第二边412中，第一边411与第一参考图形430之间的间距较小，因此，第一参考图形530对第一边411的吸引更大，使得第一边411同时受到了第一参考图形530对线宽以及中心的偏心影响，而第二边412仅受到第一参考图形530对中心的偏心影响。
157.在本实施例中，对所述待处理图形401进行补偿处理的方法还包括：将所述第k个初始区域r1中的第一边411朝向待处理图形401的方向偏移距离x
k1
，且x
k1
＝ai bi；将所述第k个初始区域r1中的第二边412背向待处理图形401的方向偏移距离x
k2
，且x
k2
＝bi。
158.从而，对第一边411受到的线宽以及中心的偏心影响进行了补偿，并对第二边412
受到的中心的偏心影响进行了补偿，使得对所述待处理图形401进行的补偿处理的方法的针对性更强，提高了补偿处理的精度。
159.具体而言，在本实施例中，由于第4个初始区域r1是第01对应区域的至少一部分，因此，获取与第01对应区域对应的补偿参数t0；根据所述补偿参数t0，对所述第4个初始区域r1的待处理图形401进行补偿，其中，补偿参数t0包括a0和b0。
160.本实施例中，将所述第4个初始区域r1中的第一边411朝向待处理图形401的方向偏移距离x
41
，且x
41
＝a0 b0；将所述第4个初始区域r1中的第二边412背向待处理图形401的方向偏移距离x
42
，且x
42
＝b0。
161.同样的，由于第3个初始区域r1以及第5个初始区域r1均是第11对应区域的至少一部分，因此，获取与第11对应区域对应的补偿参数t1；根据所述补偿参数t1，对所述第3个初始区域r1以及第5个初始区域r1的待处理图形401进行补偿，其中，补偿参数t1包括a1和b1。
162.本实施例中，将所述第3个初始区域r1以及第5个初始区域r1中的第一边411朝向待处理图形401的方向分别偏移距离x
31
以及x
51
，且x
31
＝x
51
＝a1 b1；将所述第3个初始区域r1以及第5个初始区域r1中的第二边412背向待处理图形401的方向分别偏移距离x
32
以及x
52
，且x
32
＝x
52
＝b1。
163.在本实施例中，由于第2个初始区域r1、第6个初始区域r1、以及第7个初始区域r1不是对应区域，因此，不对第2个初始区域r1、第6个初始区域r1、以及第7个初始区域r1中的待处理图形401进行补偿。
164.请在图15的基础上参考图19，对所述待处理图形501进行补偿处理的方法包括：针对待处理图形501，当所述第k个初始区域r2为第i1对应区域的至少一部分，并且，所述第k个初始区域r2为第v2对应区域的至少一部分时，获取同时与第i1对应区域以及第v2对应区域对应的补偿参数t
iv
；根据所述补偿参数t
iv
，对所述第k个初始区域r2的待处理图501进行补偿。
165.需要说明的是，本实施例中，为了提高掩膜版图的修正方法在实际运用过程中的效率，因此，补偿参数t
iv
＝补偿参数t
vi
。在其他实施例中，还可以根据1个待处理图形在第一方向上两侧的2个参考图形，分别与待处理图形之间的间距的大小的差距，对补偿参数t
iv
和补偿参数t
vi
进行区分，从而进一步根据参考图形对待处理图形的影响，对待处理图形进行补偿，使得能够提高修正方法的针对性和精确度。
166.在本实施例中，所述补偿参数t
iv
包括：第三补偿参数c
iv
，所述第三补偿参数c
iv
用于补偿所述第k个初始区域r2的待处理图形501在第一方向x上的线宽d2。
167.在本实施例中，所述第三补偿参数c
iv
＝(w
iv-w
ivpre
)/2，所述w
iv
是同时与第i1对应区域以及第v2对应区域对应的未补偿处理线宽值，所述w
ivpre
是待处理图形501同时位于第i1对应区域和第v2对应区域中的部分在第一方向x上的线宽d2。
168.在本实施例中，所述w
iv
是一个真实检测值，或是多个真实检测值的均值。具体而言，所述检测用图形层还包括与待处理图形501对应的半导体结构(未图示)。获取w
iv
的方法包括：测量检测用图形层上，同时与所述第i1对应区域以及第v2对应区域所对应的区域中(未图示)，与待处理图形501对应的半导体结构的任意1处线宽(未图示)或者多处线宽，并将所述任意1处线宽或者所述多处线宽的均值，作为所述w
iv
。
169.在其他实施例中，获取w
iv
的方法包括：对所述初始目标版图进行光学临近修正，获
取与初始目标版图对应的初始修正版图；对所述初始修正版图进行模拟曝光，获取分别与初始目标版图、以及初始修正版图对应的模拟曝光版图，所述模拟曝光版图包括与待处理图形对应的模拟待处理图形；测量模拟曝光版图上，同时与第i1对应区域以及第v2对应区域所对应的区域中，与待处理图形对应的模拟待处理图形的任意1处线宽或者多处线宽，并将所述任意1处线宽或者所述多处线宽的均值，作为所述w
iv
。
170.在其他实施例中，还可以根据经验，直接提供未补偿处理线宽值w
iv
。
171.对于待处理图形501，由于第一参考图形530和第二参考图形540在第一方向x上，以待处理图形501沿第二方向y的中心线为对称轴对称，因此，第一边511受到第一参考图形530对线宽的影响，第二边512受到第二参考图形540对线宽的影响。需要说明的是，由于第一参考图形530和第二参考图形540在第一方向x上，以待处理图形501沿第二方向y的中心线为对称轴对称，因此，第一参考图形530和第二参考图形540对第一边511的中心的偏心影响抵消，同样的，第一参考图形530和第二参考图形540对第二边512的中心的偏心影响抵消。
172.在本实施例中，根据所述补偿参数t
iv
，对所述待处理图形501进行补偿处理的方法还包括：将所述第k个初始区域r2中的第一边511朝向待处理图形501的方向偏移距离x
k1
，并将所述第k个初始区域r2中的第二边512朝向待处理图形501的方向偏移距离x
k2
，且x
k1
＝x
k2
＝c
iv
。
173.从而，分别对第一边511和第二边512的线宽进行了补偿，使得对所述待处理图形501进行的补偿处理的方法的针对性更强，提高了补偿处理的精度。
174.具体而言，在本实施例中，由于第4个初始区域r2同时是第01对应区域以及第02对应区域的至少一部分，因此，获取同时与第01对应区域以及第02对应区域对应的补偿参数t
00
；根据所述补偿参数t
00
，对所述第4个初始区域r2的待处理图501进行补偿，其中，t
00
＝c
00
。
175.本实施例中，将所述第4个初始区域r2中的第一边511朝向待处理图形501的方向偏移距离x
41
，并将所述第4个初始区域r2中的第二边512朝向待处理图形501的方向偏移距离x
42
，且x
41
＝x
42
＝c
00
。
176.同样的，由于第3个初始区域r2以及第5个初始区域r2，同时是第11对应区域以及第12对应区域的至少一部分，因此，获取同时与第11对应区域以及第12对应区域对应的补偿参数t
11
；根据所述补偿参数t
11
，分别对所述第3个初始区域r2以及第5个初始区域r2的待处理图501进行补偿，其中，t
11
＝c
11
。
177.本实施例中，将所述第3个初始区域r2中的第一边511朝向待处理图形501的方向偏移距离x
31
，并将所述第3个初始区域r2中的第二边512朝向待处理图形501的方向偏移距离x
32
，且x
31
＝x
32
＝c
11
。
178.本实施例中，对第5个初始区域r2的待处理图形501进行补偿处理的方法，与对第3个初始区域r2的待处理图形501进行补偿处理的方法相同，在此不再赘述。
179.在本实施例中，由于第1个初始区域r2、第2个初始区域r2、第6个初始区域r2以及第7个初始区域r2即不是第一参考图形530的对应区域，也不是第二参考图形540的对应区域，因此，不对第1个初始区域r2、第2个初始区域r2、第6个初始区域r2以及第7个初始区域r2中的待处理图形501进行补偿。
180.请在图16的基础上参考图20，对所述待处理图形601进行补偿处理的方法包括：针对待处理图形601，当所述第k个初始区域r3为第i1对应区域的至少一部分，并且，所述第k个初始区域r3为第v2对应区域的至少一部分时，获取同时与第i1对应区域以及第v2对应区域对应的补偿参数t
iv
；根据所述补偿参数t
iv
，对所述第k个初始区域r3的待处理图601进行补偿。
181.在本实施例中，所述补偿参数t
iv
包括：第三补偿参数c
iv
，所述第三补偿参数c
iv
用于补偿所述第k个初始区域r3的待处理图形601在第一方向x上的线宽d3。
182.在本实施例中，所述第三补偿参数c
iv
＝(w
iv-w
ivpre
)/2，所述w
iv
是同时与第i1对应区域以及第v2对应区域对应的未补偿处理线宽值，所述w
ivpre
是待处理图形601同时位于第i1对应区域和第v2对应区域中的部分在第一方向x上的线宽d3。
183.具体获取补偿待处理图形601的未补偿处理线宽值w
iv
的方法，与获取待处理图形501的未补偿处理线宽值w
iv
的方法相同，在此不再赘述。
184.在本实施例中，根据所述补偿参数t
iv
，对所述待处理图形601进行补偿处理的方法还包括：将所述第k个初始区域r3中的第一边611朝向待处理图形601的方向偏移距离x
k1
，并将所述第k个初始区域r6中的第二边612朝向待处理图形601的方向偏移距离x
k2
，且x
k1
＝x
k2
＝c
iv
。
185.具体而言，在本实施例中，由于第3个初始区域r3是第01对应区域以及第12对应区域的至少一部分，因此，获取同时与第01对应区域以及第12对应区域对应的补偿参数t
01
；根据所述补偿参数t
01
，对所述第3个初始区域r3的待处理图601进行补偿，其中，t
01
＝c
01
。
186.本实施例中，将所述第3个初始区域r3中的第一边611朝向待处理图形601的方向偏移距离x
31
，并将所述第3个初始区域r3中的第二边612朝向待处理图形601的方向偏移距离x
32
，且x
31
＝x
32
＝c
01
。
187.同样的，由于第4个初始区域r3是第11对应区域以及第02对应区域的至少一部分，因此，获取同时与第11对应区域以及第02对应区域对应的补偿参数t
10
；根据所述补偿参数t
10
，对所述第4个初始区域r3的待处理图601进行补偿，其中，t
10
＝t
01
＝c
01
。
188.本实施例中，将所述第4个初始区域r3中的第一边611朝向待处理图形601的方向偏移距离x
41
，并将所述第4个初始区域r3中的第二边612朝向待处理图形601的方向偏移距离x
42
，且x
41
＝x
42
＝c
01
。
189.需要说明的是，由于第0对应区域中的待处理图形受到参考图形的影响最大，第1对应区域受到参考图形的吸引相对较小，因此，当第k个初始区域r是1个参考图形的第0对应区域的至少一部分，且同时还是另一个参考图形的第1对应区域的至少一部分时，为了平衡修正方法在实际运用中的效率和效果，还可以直接使c
01＝c00
。从而，减少了获取c
01
的过程，进而在降低所形成的半导体结构的尺寸和位置与目标尺寸和位置之间的偏差的同时，提高了对掩膜版图修正的效率。
190.在本实施例中，对所述待处理图形601进行补偿处理的方法还包括：当所述第k个初始区域r3为第i1对应区域的至少一部分，并且，定位参数l
k2
不在n个所述预设范围内的任意1个预设范围内时，获取与第i1对应区域对应的补偿参数ti；根据所述补偿参数ti，对所述第k个初始区域r3的待处理图形601进行补偿。
191.在本实施例中，所述补偿参数ti包括：第一补偿参数ai，所述第一补偿参数ai用于
补偿所述第k个初始区域r3的待处理图形601在第一方向x上的线宽d3。
192.所述补偿参数ai＝(w
i-w
ipre
)/2，所述wi是第i1对应区域的未补偿处理线宽值，所述w
ipre
是第i1对应区域中的待处理图形601在第一方向x上的线宽d3。
193.具体获取补偿待处理图形601的未补偿处理线宽值wi的方法，与获取补偿待处理图形401的未补偿处理线宽值wi的方法相同，在此不再赘述。
194.在本实施例中，所述补偿参数ti还包括：第二补偿参数bi，所述第二补偿参数bi用于补偿所述第k个初始区域r3的待处理图形601的中心fk在第一方向x上的偏心尺寸。
195.所述第二补偿参数bi＝(s
i-s
ipre
)/2，所述si是第i1对应区域的未补偿处理轮廓间距值，所述s
ipre
是第i1对应区域中的第二边612、以及与第二边612相邻的初始第一目标图形301的轮廓在第一方向x上的间距。
196.具体获取补偿待处理图形601的未补偿处理轮廓间距值si的方法，与获取补偿待处理图形401的未补偿处理轮廓间距值si的方法相同，在此不再赘述。
197.在本实施例中，根据所述补偿参数ti，对所述第k个初始区域r3的待处理图形601进行补偿处理的方法还包括：将所述第k个初始区域r3中的第一边611朝向待处理图形601的方向偏移距离x
k1
，且x
k1
＝ai bi；将所述第k个初始区域r3中的第二边612背向待处理图形601的方向偏移距离x
k2
，且x
k2
＝bi。
198.具体而言，由于第2个初始区域r3是第11对应区域的至少一部分，且第2个初始区域r3不是第二参考图形640的对应区域，因此，获取与第11对应区域对应的补偿参数t1；根据所述补偿参数t1，对所述第2个初始区域r3的待处理图形601进行补偿，其中，补偿参数t1包括a1和b1。
199.本实施例中，将所述第2个初始区域r3中的第一边611朝向待处理图形601的方向偏移距离x
21
，且x
21
＝a1 b1；将所述第2个初始区域r3中的第二边612背向待处理图形601的方向偏移距离x
22
，且x
22
＝b1。
200.在本实施例中，对所述待处理图形601进行补偿处理的方法还包括：当所述第k个初始区域r3为第v2对应区域的至少一部分，并且，定位参数l
k1
不在n个所述预设范围内的任意1个预设范围内时，获取与第v2对应区域对应的补偿参数tv；根据所述补偿参数tv，对所述第k个初始区域r3的待处理图形601进行补偿。
201.在本实施例中，所述补偿参数tv包括：第一补偿参数av，所述第一补偿参数av用于补偿所述第k个初始区域r3的待处理图形601在第一方向x上的线宽d3。
202.所述补偿参数av＝(w
v-w
vpre
)/2，所述wv是第v2对应区域的未补偿处理线宽值，所述w
vpre
是第v2对应区域中的待处理图形601在第一方向x上的线宽d3。
203.具体获取补偿待处理图形601的未补偿处理线宽值wv的方法，与获取补偿待处理图形601的未补偿处理线宽值wi的方法相同，在此不再赘述。
204.在本实施例中，所述补偿参数tv还包括：第二补偿参数bv，所述第二补偿参数bv用于补偿所述第k个初始区域r3的待处理图形601的中心fk在第一方向x上的偏心尺寸。
205.所述第二补偿参数bv＝(s
v-s
vpre
)/2，所述sv是第v2对应区域的未补偿处理轮廓间距值，所述s
vpre
是第v2对应区域中的第一边611、以及与第一边611相邻的初始第一目标图形301的轮廓在第一方向x上的间距。
206.具体获取补偿待处理图形601的未补偿处理轮廓间距值sv的方法，与获取补偿待
处理图形601的未补偿处理轮廓间距值si的方法相同，在此不再赘述。
207.在本实施例中，根据所述补偿参数tv，对所述第k个初始区域r3的待处理图形601进行补偿处理的方法还包括：将所述第k个初始区域r3中的第二边612朝向待处理图形601的方向偏移距离x
k2
，且x
k2
＝av bv；将所述第k个初始区域r3中的第一边611背向待处理图形601的方向偏移距离x
k1
，且x
k1
＝bv。
208.具体而言，在本实施例中，由于第5个初始区域r3是第12对应区域的至少一部分，且第5个初始区域r3不是第一参考图形630的对应区域，因此，获取与第12对应区域对应的补偿参数t1；根据所述补偿参数t1，对所述第5个初始区域r3的待处理图形601进行补偿，其中，补偿参数t1包括a1和b1。
209.本实施例中，将所述第5个初始区域r3中的第二边612朝向待处理图形601的方向偏移距离x
52
，且x
52
＝a1 b1；将所述第5个初始区域r3中的第一边611背向待处理图形601的方向偏移距离x
51
，且x
51
＝b1。
210.在本实施例中，由于第1个初始区域r3、第6个初始区域r3、以及第7个初始区域r3即不是第一参考图形630的对应区域，也不是第二参考图形640的对应区域，因此，不对第1个初始区域r3、第6个初始区域r3、以及第7个初始区域r3中的待处理图形601进行补偿。
211.请在图17的基础上参考图21，对所述待处理图形701进行补偿处理的方法包括：针对待处理图形701，当所述第k个初始区域r4为第i1对应区域的至少一部分，并且，所述第k个初始区域r4为第v2对应区域的至少一部分时，获取同时与第i1对应区域以及第v2对应区域对应的补偿参数t
iv
；根据所述补偿参数t
iv
，对所述第k个初始区域r4的待处理图701进行补偿。
212.具体获取补偿参数t
iv
、以及根据所述补偿参数t
iv
对所述第k个初始区域r4的待处理图701进行补偿的方法，与针对待处理图601获取补偿参数t
iv
、以及根据所述补偿参数t
iv
对所述第k个初始区域r3的待处理图601进行补偿的方法相同，在此不再赘述。
213.具体而言，在本实施例中，由于第4个初始区域r4是第11对应区域以及第12对应区域的至少一部分，因此，获取同时与第11对应区域以及第12对应区域对应的补偿参数t
11
；根据所述补偿参数t
11
，对所述第4个初始区域r4的待处理图701进行补偿，其中，t
11
＝c
11
。
214.本实施例中，将所述第4个初始区域r4中的第一边711朝向待处理图形701的方向偏移距离x
41
，并将所述第4个初始区域r4中的第二边712朝向待处理图形701的方向偏移距离x
42
，且x
41
＝x
42
＝c
11
。
215.在本实施例中，对所述待处理图形701进行补偿处理的方法还包括：当所述第k个初始区域r4为第i1对应区域的至少一部分，并且，定位参数l
k2
不在n个所述预设范围内的任意1个预设范围内时，获取与第i1对应区域对应的补偿参数ti；根据所述补偿参数ti，对所述第k个初始区域r4的待处理图形701进行补偿。
216.具体获取补偿参数ti、以及根据所述补偿参数ti，对所述第k个初始区域r4的待处理图701进行补偿的方法，与针对待处理图601获取补偿参数ti、以及根据所述补偿参数ti，对所述第k个初始区域r3的待处理图601进行补偿的方法相同，在此不再赘述。
217.具体而言，在本实施例中，由于第5个初始区域r4以及第6个初始区域r4均是第01对应区域的至少一部分，并且，第5个初始区域r4以及第6个初始区域r4均不是第二参考图形740的对应区域，因此，获取与第01对应区域对应的补偿参数t0；根据所述补偿参数t0，对所
述第5个初始区域r4以及第6个初始区域r4的待处理图形701进行补偿，其中，补偿参数t0包括a0和b0。
218.本实施例中，将所述第5个初始区域r4以及第6个初始区域r4中的第一边711分别朝向待处理图形701的方向偏移距离x
51
以及距离x
61
，且x
51
＝x
61
＝a0 b0；将所述第5个初始区域r4以及第6个初始区域r4中的第二边712分别背向待处理图形701的方向偏移距离x
52
以及距离x
62
，且x
52
＝x
62
＝b0。
219.同样的，由于第7个初始区域r4是第11对应区域的至少一部分，并且，第7个初始区域r4不是第二参考图形740的对应区域，因此，获取与第11对应区域对应的补偿参数t1；根据所述补偿参数t1，对所述第7个初始区域r4的待处理图形701进行补偿，其中，补偿参数t1包括a1和b1。
220.本实施例中，将所述第7个初始区域r4中的第一边711朝向待处理图形701的方向偏移距离x
71
，且x
71
＝a1 b1；将所述第7个初始区域r4中的第二边712背向待处理图形701的方向偏移距离x
72
，且x
72
＝b1。
221.在本实施例中，对所述待处理图形701进行补偿处理的方法还包括：当所述第k个初始区域r4为第v2对应区域的至少一部分，并且，定位参数l
k1
不在n个所述预设范围内的任意1个预设范围内时，获取与第v2对应区域对应的补偿参数tv；根据所述补偿参数tv，对所述第k个初始区域r4的待处理图形701进行补偿。
222.具体获取补偿参数tv、以及根据所述补偿参数tv，对所述第k个初始区域r4的待处理图701进行补偿的方法，与针对待处理图601获取补偿参数tv、以及根据所述补偿参数tv，对所述第k个初始区域r3的待处理图601进行补偿的方法相同，在此不再赘述。
223.具体而言，在本实施例中，由于第3个初始区域r4是第02对应区域的至少一部分，并且，第3个初始区域r4不是第一参考图形730的对应区域，因此，获取与第02对应区域对应的补偿参数t0；根据所述补偿参数t0，对所述第3个初始区域r4的待处理图形701进行补偿，其中，补偿参数t0包括a0和b0。
224.本实施例中，将所述第3个初始区域r4中的第二边712朝向待处理图形701的方向偏移距离x
32
，且x
32
＝a0 b0；将所述第7个初始区域r4中的第一边711背向待处理图形701的方向偏移距离x
31
，且x
31
＝b0。
225.同样的，在本实施例中，由于第2个初始区域r4是第12对应区域的至少一部分，并且，第2个初始区域r4不是第一参考图形730的对应区域，因此，获取与第12对应区域对应的补偿参数t1；根据所述补偿参数t1，对所述第2个初始区域r4的待处理图形701进行补偿，其中，补偿参数t1包括a1和b1。
226.本实施例中，将所述第2个初始区域r4中的第二边712朝向待处理图形701的方向偏移距离x
22
，且x
22
＝a1 b1；将所述第7个初始区域r4中的第一边711背向待处理图形701的方向偏移距离x
21
，且x
21
＝b1。
227.在本实施例中，由于第1个初始区域r4即不是第一参考图形730的对应区域，也不是第二参考图形740的对应区域，因此，不对第1个初始区域r4进行补偿。
228.虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。