掩膜版图修正方法与流程

技术特征：
1.一种掩膜版图修正方法，其特征在于，包括：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括沿第一方向排布的若干初始第一目标图形和若干第二目标图形，并且在第二方向上，所述第二目标图形的长度小于初始第一目标图形的长度，所述第一方向和第二方向相互垂直；在所述初始目标版图中获取若干待处理图形、以及与每个待处理图形对应的若干参考图形，所述待处理图形为与第二目标图形相邻的初始第一目标图形，所述参考图形为与所述待处理图形相邻的第二目标图形；根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且对应的对应区域；根据与每个参考图形所对应的对应区域，对所述待处理图形进行补偿处理，获取目标版图。2.如权利要求1所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且与所述参考图形对应的对应区域的方法包括：对所述待处理图形进行区域划分，获取m个相邻的初始区域，m为大于或等于1的自然数；提供n个预设范围，且不同的预设范围之间不重合，n为大于或等于1的自然数；获取第k个初始区域相对于任一参考图形的定位参数l
k
；当所述定位参数l
k
在第i个预设范围内时，所述第k个初始区域为所述参考图形对应的第i对应区域的至少一部分，k和i均为自然数，且1≤k≤m，1≤i≤n。3.如权利要求2所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，在第二方向上，所述待处理图形的轮廓包括相对的第一边和第二边；若干所述参考图形包括与所述第一边相邻的第一参考图形。4.如权利要求3所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，对所述待处理图形进行补偿处理的方法包括：当所述第k个初始区域为第i1对应区域的至少一部分时，获取与第i1对应区域对应的补偿参数t
i
，所述第i1对应区域为所述第一参考图形对应的第i对应区域；根据所述补偿参数t
i
，对所述第k个初始区域的待处理图形进行补偿。5.如权利要求4所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述补偿参数t
i
包括：第一补偿参数a
i
，所述第一补偿参数a
i
用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形在第一方向上的线宽。6.如权利要求5所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述第一补偿参数a
i
＝(w
i-w
ipre
)/2，所述w
i
是第i1对应区域的未补偿处理线宽值，所述w
ipre
是第i1对应区域中的待处理图形在第一方向上的线宽。7.如权利要求5所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述补偿参数t
i
还包括：第二补偿参数b
i
，所述第二补偿参数b
i
用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形的中心在第一方向上的偏心尺寸。8.如权利要求7所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述第二补偿参数b
i
＝(s
i-s
ipre
)/2，所述s
i
是第i1对应区域的未补偿处理轮廓间距值，所述s
ipre
是第i1对应区域中的第二边、以及与第二边相邻的初始第一目标图形的轮廓在第一方向上的间距。9.如权利要求3所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，若干所述参考图形还包括与所述第二边相邻的第二参考图形。10.如权利要求9所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，对所述待处理图形进行补偿处理的方法包括：当所述第k个初始区域为第i1对应区域的至少一部分，并且，所述第k个初始区域为第v2对应区域的至少一部分时，获取同时与第i1对应区域以及第v2对应区域对应的补偿参数t
iv
，所述第i1对应区域为所述第一参考图形对应的第i对应区域，所述第v2对应
区域为所述第二参考图形对应的第v对应区域，v为自然数，且1≤v≤n；根据所述补偿参数t
iv
，对所述第k个初始区域的待处理图形进行补偿。11.如权利要求10所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述补偿参数t
iv
包括：第三补偿参数c
iv
，所述第三补偿参数c
iv
用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形在第一方向上的线宽。12.如权利要求11所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，对所述待处理图形进行补偿处理的方法还包括：将所述第k个初始区域中的第一边朝向待处理图形的方向偏移距离x
k1
，并将所述第k个初始区域中的第二边朝向待处理图形的方向偏移距离x
k2
，且x
k1
＝x
k2
＝c
iv
。13.如权利要求12所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述第三补偿参数c
iv
＝(w
iv-w
ivpre
)/2，所述w
iv
是同时与第i1对应区域以及第v2对应区域对应的未补偿处理线宽值，所述w
ivpre
是待处理图形同时位于第i1对应区域和第v2对应区域中的部分在第一方向上的线宽。14.如权利要求10所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，对所述待处理图形进行补偿处理的方法还包括：当所述第k个初始区域为第i1对应区域的至少一部分，并且，定位参数l
k2
不在n个所述预设范围内的任意1个预设范围内时，获取与第i1对应区域对应的补偿参数t
i
，所述定位参数l
k2
是第k个初始区域相对于第二参考图形的定位参数l
k
；根据所述补偿参数t
i
，对所述第k个初始区域的待处理图形进行补偿。15.如权利要求14所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述补偿参数t
i
包括：第一补偿参数a
i
，所述第一补偿参数a
i
用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形在第一方向上的线宽。16.如权利要求15所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述补偿参数t
i
还包括：第二补偿参数b
i
，所述第二补偿参数b
i
用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形的中心在第一方向上的偏心尺寸。17.如权利要求7或16所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，对所述待处理图形进行补偿处理的方法还包括：将所述第k个初始区域中的第一边朝向待处理图形的方向偏移距离x
k1
，且x
k1
＝a
i
b
i
；将所述第k个初始区域中的第二边背向待处理图形的方向偏移距离x
k2
，且x
k2
＝b
i
。18.如权利要求14所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，对所述待处理图形进行补偿处理的方法还包括：当所述第k个初始区域为第v2对应区域的至少一部分，并且，定位参数l
k1
不在n个所述预设范围内的任意1个预设范围内时，获取与第v2对应区域对应的补偿参数t
v
，所述定位参数l
k1
是第k个初始区域相对于第一参考图形的定位参数l
k
；根据所述补偿参数t
v
，对所述第k个初始区域的待处理图形进行补偿。19.如权利要求18所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述补偿参数t
v
包括：第一补偿参数a
v
，所述第一补偿参数a
v
用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形在第一方向上的线宽。20.如权利要求19所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述补偿参数t
v
还包括：第二补偿参数b
v
，所述第二补偿参数b
v
用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形的中心在第一方向上的偏心尺寸。21.如权利要求20所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，对所述待处理图形进行补偿处理的方法还包括：将所述第k个初始区域中的第二边朝向待处理图形的方向偏移距离x
k2
，
且x
k2
＝a
v
b
v
；将所述第k个初始区域中的第一边背向待处理图形的方向偏移距离x
k1
，且x
k1
＝b
v
。22.如权利要求2所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，对所述待处理图形进行区域划分，获取m个相邻的初始区域的方法包括：获取m条沿第一方向延伸的定位线，m条所述定位线相邻且沿所述第二方向排布，并且，在所述第一方向上，m条所述定位线均贯穿所述待处理图形；根据m条所述定位线获取m个相邻的初始区域，每个初始区域被1条定位线贯穿。23.如权利要求22所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，获取m条沿第一方向延伸的定位线的方法包括：提供m个沿第一方向延伸的定位图形，m个所述定位图形相邻且沿所述第二方向排布；根据m个所述定位图形获取m条所述定位线，每条定位线是1个定位图形在第一方向上的中心线。24.如权利要求23所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述定位图形用于形成伪栅结构或栅极结构。25.如权利要求23所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，在所述第一方向上，每个参考图形被m条所述定位线中的至少1条贯穿；获取第k个初始区域相对于每个参考图形的定位参数l
k
的方法包括：获取每个参考图形的基准线，所述基准线是m条所述定位线中贯穿所述参考图形的定位线；根据所述基准线、以及贯穿第k个初始区域的定位线，获取第k个初始区域相对于每个参考图形的定位参数l
k
。26.如权利要求25所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，当所述基准线的数量为1条时，所述定位参数l
k
为：在所述第二方向上，贯穿第k个初始区域的定位线与所述基准线之间的间距；当所述基准线的数量为多条时，所述定位参数l
k
为：在所述第二方向上，贯穿第k个初始区域的定位线，与各条基准线之间的最小间距。27.如权利要求25所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，当贯穿第k个初始区域的定位线为基准线时，所述定位参数l
k
＝q；当贯穿第k个初始区域的定位线不是基准线时，所述定位参数l
k
＝q 1，所述q为在第二方向上，贯穿第k个初始区域的定位线与基准线之间间隔的定位线的数量。28.如权利要求2所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述定位参数l
k
是所述第k个初始区域与所述参考图形之间的间距。

技术总结
一种掩膜版图修正方法，包括：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括沿第一方向排布的若干初始第一目标图形和若干第二目标图形，并且在第二方向上，所述第二目标图形的长度小于初始第一目标图形的长度，所述第一方向和第二方向相互垂直；在所述初始目标版图中获取若干待处理图形、以及与每个待处理图形对应的若干参考图形，所述待处理图形为与第二目标图形相邻的初始第一目标图形，所述参考图形为与所述待处理图形相邻的第二目标图形；根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且对应的对应区域；根据与每个参考图形所对应的对应区域，对所述待处理图形进行补偿处理，获取目标版图。从而，能够有效提升形成的半导体结构的性能。构的性能。构的性能。


技术研发人员：贺婷 王杰 覃柳莎 王占雨 张迎春
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2020.09.02
技术公布日：2022/3/18