二次电子发射离子束的处理装置的制作方法

1.本实用新型属于电子机械技术领域，涉及一种二次电子发射离子束的处理装置。


背景技术：

2.离开互作用区的电子的能量存在一定方式的分布，通常采用多级降压收集极来提高能量收集效率，使离开互作用区的电子按不同的速度分类收集，对较低动能的电子则采用较高电位的收集极，使电子软着陆，降低电子与表面的碰撞损耗，将电子的部分动能回馈电源。利用二次电子能被收集的这一特性，被广泛应用于多个领域，例如雷达、通讯及制导等领域，二次电子这一特性在发射离子束后，溅射在工件表面形成导电膜层，被广泛应用于工业制造中，但如何控制离子束避免其轰击工件基底在工件表面形成均匀的膜层成为该领域的难题。


技术实现要素：

3.本实用新型所要解决的技术问题是提供一种二次电子发射离子束的处理装置, 结构简单，采用在处理中心的真空箱内设置夹持平台和溅射靶，溅射靶位于离子源和夹持平台之间，夹持座将工件夹持于夹持平台上，高真空泵和低真空泵对真空箱进行抽真空处理，氩气设备向真空箱内冲入氩气，离子源发射离子束，溅射靶将离子束引导至工件表面形成导电膜，有利于控制离子束，在工件表面形成均匀的导电膜层，便于集中控制，操作简单方便。
4.为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种二次电子发射离子束的处理装置，它包括处理中心、高真空泵、低真空泵、氩气设备和plc控制系统；所述高真空泵和氩气设备与处理中心的真空箱连接，低真空泵与高真空泵连接，处理中心内的电机、离子源、高真空泵、低真空泵和氩气设备皆与plc控制系统电性连接。
5.所述处理中心包括真空箱上下两侧分别连接的离子源和电机，位于真空箱内的夹持平台和溅射靶，溅射靶位于夹持平台和离子源之间的同一轴线上。
6.所述真空箱为中空的箱体，位于箱体一侧设置封板密封，位于箱体上下两侧分别设置氩气孔和真空孔。
7.所述夹持平台包括圆形平板两侧分别连接的夹持座和轴头，多个夹持座呈环形分布，轴头与电机的输出轴连接。
8.所述夹持座为块状体，位于一端设置夹持口，夹持口朝向圆形平板的中心，夹持把竖直穿过夹持口与块状体配合。
9.所述溅射靶包括支撑板下侧连接的支腿，围绕支撑板中心孔呈环形分布的多个齿翼。
10.所述齿翼为弧形结构，呈倾斜状向支撑板中心孔外延伸。
11.本实用新型的有益效果在于：
12.采用离子源在真空环境中利用稀薄气体中的高频放电现象使空气电离，产生低电
荷态正离子，从中引出负离子作为离子束使用，在溅射靶上形成溅射。
13.在离子源与工件之间设置溅射靶，利用溅射靶将离子束引导至工件表面，减小离子束的冲击作用，避免直接冲击工件基底。
14.溅射靶为向外倾斜的齿翼结构，有利于扩散、分散离子源，减小离子束的冲击并引导离子束的流向。
15.离子束作用于工件表面的同时，工件夹持平台带动被夹持的工件旋转，有利于提高导电膜层的均匀度。
附图说明
16.下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明：
17.图1为本实用新型的结构示意图。
18.图2为本实用新型真空箱的结构示意图。
19.图3为图2的主视示意图。
20.图4为图2的俯视示意图。
21.图5为图4的a-a处剖视示意图。
22.图6为本实用新型真空箱的内部结构示意图。
23.图中：处理中心1，真空箱11，离子源12，电机13，夹持平台14，溅射靶15，高真空泵2，低真空泵3，氩气设备4，plc控制系统5。
具体实施方式
24.如图1~图6中，一种二次电子发射离子束的处理装置，它包括处理中心1、高真空泵2、低真空泵3、氩气设备4和plc控制系统5；所述高真空泵2和氩气设备4与处理中心1的真空箱11连接，低真空泵3与高真空泵2连接，处理中心1内的电机13、离子源12、高真空泵2、低真空泵3和氩气设备4皆与plc控制系统5电性连接。结构简单，使用时，离子源12发射离子束，溅射靶15将离子束引导至工件表面形成导电膜，有利于控制离子束，在工件表面形成均匀的导电膜层，便于集中控制，操作简单方便。
25.优选地，plc控制系统5控制接电机13、离子源12、高真空泵2、低真空泵3和氩气设备4的启停，便于集中控制，有利于提高工件处理的连贯性。
26.优选的方案中，所述处理中心1包括真空箱11上下两侧分别连接的离子源12和电机13，位于真空箱11内的夹持平台14和溅射靶15，溅射靶15位于夹持平台14和离子源12之间的同一轴线上。结构简单，使用时，离子源12利用二次电子发射使真空箱11内的气体电离，并产生离子束，离子束作用于溅射靶15上，减小冲击后由溅射靶15引导至工件表面。
27.优选的方案中，所述真空箱11为中空的箱体，位于箱体一侧设置封板密封，位于箱体上下两侧分别设置氩气孔和真空孔。结构简单，安装时，氩气孔与氩气设备4设备连接，真空孔与高真空泵2连接，使用时，先采用低真空泵3抽取真空箱11内的真空，再采用高真空泵2抽取真空箱11，使其达到设定真空度值，之后再采用氩气设备4向真空箱11内注入氩气。
28.优选地，锁紧把穿过封板各侧与真空箱11连接，位于封板内侧面设置密封条与真空箱11上的边框抵触密封。
29.优选的方案中，所述夹持平台14包括圆形平板两侧分别连接的夹持座和轴头，多
个夹持座呈环形分布，轴头与电机13的输出轴连接。结构简单，使用前，将工件置于圆形平板上，夹持座夹持工件，之后再对真空箱11进行密封，使用时，电机13驱动夹持平台14带动工件旋转。
30.优选的方案中，所述夹持座为块状体，位于一端设置夹持口，夹持口朝向圆形平板的中心，夹持把竖直穿过夹持口与块状体配合。结构简单，安装时，工件边沿位于夹持座的夹持口内，旋转夹持把将工件压持在圆形平板上，避免夹持平台14旋转时工件打滑。
31.优选的方案中，所述溅射靶15包括支撑板下侧连接的支腿，围绕支撑板中心孔呈环形分布的多个齿翼。结构简单，安装时，溅射靶15的支腿与真空箱11连接固定，当离子束抵达齿翼时，部分被齿翼分散，部分经齿翼的弧形面引向支撑板中心孔，再穿过中心孔引到工件表面。
32.优选的方案中，所述齿翼为弧形结构，呈倾斜状向支撑板中心孔外延伸。结构简单，使用时，多个齿翼间隔分布呈倾斜状向外扩散，有利于分散并减缓离子束的冲击，将减缓后的离子束引至工件表面，避免冲击工件基底。
33.上述的实施例仅为本实用新型的优选技术方案，而不应视为对于本实用新型的限制，本申请中的实施例及实施例中的特征在不冲突的情况下，可以相互任意组合。本实用新型的保护范围应以权利要求记载的技术方案，包括权利要求记载的技术方案中技术特征的等同替换方案为保护范围。即在此范围内的等同替换改进，也在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种二次电子发射离子束的处理装置，其特征是：它包括处理中心（1）、高真空泵（2）、低真空泵（3）、氩气设备（4）和plc控制系统（5）；所述高真空泵（2）和氩气设备（4）与处理中心（1）的真空箱（11）连接，低真空泵（3）与高真空泵（2）连接，处理中心（1）内的电机（13）、离子源（12）、高真空泵（2）、低真空泵（3）和氩气设备（4）皆与plc控制系统（5）电性连接。2.根据权利要求1所述的二次电子发射离子束的处理装置，其特征是：所述处理中心（1）包括真空箱（11）上下两侧分别连接的离子源（12）和电机（13），位于真空箱（11）内的夹持平台（14）和溅射靶（15），溅射靶（15）位于夹持平台（14）和离子源（12）之间的同一轴线上。3.根据权利要求2所述的二次电子发射离子束的处理装置，其特征是：所述真空箱（11）为中空的箱体，位于箱体一侧设置封板密封，位于箱体上下两侧分别设置氩气孔和真空孔。4.根据权利要求2所述的二次电子发射离子束的处理装置，其特征是：所述夹持平台（14）包括圆形平板两侧分别连接的夹持座和轴头，多个夹持座呈环形分布，轴头与电机（13）的输出轴连接。5.根据权利要求4所述的二次电子发射离子束的处理装置，其特征是：所述夹持座为块状体，位于一端设置夹持口，夹持口朝向圆形平板的中心，夹持把竖直穿过夹持口与块状体配合。6.根据权利要求2所述的二次电子发射离子束的处理装置，其特征是：所述溅射靶（15）包括支撑板下侧连接的支腿，围绕支撑板中心孔呈环形分布的多个齿翼。7.根据权利要求6所述的二次电子发射离子束的处理装置，其特征是：所述齿翼为弧形结构，呈倾斜状向支撑板中心孔外延伸。

技术总结
一种高二次电子发射离子束的处理装置，它包括处理中心、高真空泵、低真空泵、氩气设备和PLC控制系统，通过在处理中心的真空箱内设置夹持平台和溅射靶，溅射靶位于离子源和夹持平台之间，通过夹持座将工件夹持于夹持平台上，高真空泵和低真空泵对真空箱进行抽真空处理，氩气设备向真空箱内冲入氩气，离子源发射离子束，溅射靶将离子束引导至工件表面形成导电膜，有利于控制离子束，在工件表面形成均匀的导电膜层，便于集中控制，操作简单方便。操作简单方便。操作简单方便。


技术研发人员：秦工 邹丽
受保护的技术使用者：湖北三峡职业技术学院
技术研发日：2021.08.04
技术公布日：2022/2/25