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导电薄膜的制备方法、电流汇集传输材料以及能量储存装置与流程

2022-02-24 14:30:01 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种导电薄膜的制备方法,其特征在于,该制备方法包括以下的步骤:s1、在薄膜基材其中一个表面采用真空镀膜设备进行镀膜,形成50-200nm厚的第一金属镀层;s2、通过水镀装置,在第一金属镀层的外表面形成600-900nm厚的第二金属镀层,从而形成单面金属膜;s3、采用涂布复合机,将2-4μm厚的pi料单面涂覆在单面金属膜的金属层表面上,再通过烘箱将单面金属膜上面的pi料初步烘干;s4、将步骤s2中得到的另一单面金属膜的金属层表面,与步骤s3中pi料的表面进行压合定型、冷却;s5、经高温熟化制成多层复合金属材料,将复合的多层金属材料上、下表面的薄膜基材剥离,形成导电薄膜成品。2.根据权利要求1所述的一种导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤s1中,所述的薄膜基材包括但不限于pp膜、pe膜或pet膜。3.根据权利要求1或2所述的一种导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述薄膜基材的厚度为8-20μm,所述导电薄膜的厚度为4-6μm。4.根据权利要求1所述的一种导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤s1中,所述的真空镀膜设备包括但不限于真空蒸发镀膜设备或者磁控溅射镀膜设备。5.根据权利要求1所述的一种导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤s2中,水镀装置为碱性水镀设备或者酸性水镀设备。6.根据权利要求1所述的一种导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的第一金属镀层和第二金属镀层均为镀铜层。7.根据权利要求1所述的一种导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤s3中,烘箱内温度为70-90℃,烘干时间为1-2min。8.根据权利要求1所述的一种导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤s5中,高温熟化的温度为50-60℃,时间为14-18h。9.根据权利要求1所述的一种导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤s5中,采用剥离机实现对薄膜基材的剥离。10.根据权利要求1所述的一种导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述导电薄膜的单面方阻在20mω以内。11.一种电流汇集传输材料,其特征在于:包括权利要求1-10中任意一项所述的导电薄膜。12.一种能量储存装置,包括阴极极片、阳极极片、隔离膜、电解液以及包装壳,其特征在于:所述阴极极片使用根据权利要求11所述的电流汇集传输材料。

技术总结
本发明公开了导电薄膜的制备方法、电流汇集传输材料以及能量储存装置,该制备方法包括步骤:S1、在薄膜基材其中一个表面采用真空镀膜设备进行镀膜,形成第一金属镀层;S2、通过水镀装置,在第一金属镀层的外表面形成第二金属镀层,从而形成单面金属膜;S3、采用涂布复合机,将PI料单面涂覆在单面金属膜的金属层表面上,再通过烘箱将单面金属膜上面的PI料初步烘干;S4、将步骤S2中得到的另一单面金属膜的金属层表面,与步骤S3中PI料的表面进行压合定型、冷却;S5、经高温熟化制成多层复合金属材料,将复合的多层金属材料上、下表面的薄膜基材剥离,形成导电薄膜;本发明的有益效果是:放宽了对外层薄膜基材厚度的限制,避免出现孔洞的现象,提高产品的优率。提高产品的优率。提高产品的优率。


技术研发人员:贾孟
受保护的技术使用者:昆山鑫美源电子科技有限公司
技术研发日:2020.08.22
技术公布日:2022/2/23
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