在处理室中衬底的高温加热的制作方法

在处理室中衬底的高温加热
相关申请的交叉引用
1.本技术要求于2019年4月26日申请的美国临时申请no.62/839,154的利益。上述引用的申请其全部公开内容通过引用合并于此。
技术领域
2.本公开涉及衬底处理系统，并且更具体地涉及在处理室中加热衬底的系统。


背景技术：

3.这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
4.衬底处理系统可以用来处理例如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上执行的处理的示例包含但不限于沉积、蚀刻、清洗和其他处理。衬底可以布置在处理室中的衬底支撑件上，例如基座、静电卡盘(esc)等上。在处理期间，将气体混合物引入处理室，而等离子体可以用来启动化学反应。
5.在处理室中，衬底(例如半导体晶片)的温度是可以被控制的。可以将加热器布置在衬底支撑组件中，且可以控制供应至加热器的功率，以控制衬底支撑件上的衬底的温度。可以使用阀来让冷却剂循环通过衬底支撑件中的一或多个冷却剂通道，以加热/冷却衬底以及衬底支撑件。


技术实现要素：

6.在一种特征中，一种处理室包含：下部；覆盖所述下部的上部；位于所述下部内的基座，所述基座用于：将衬底竖直地支撑于所述顶表面上方，以在所述基座的所述顶表面和所述衬底的第一表面之间分配前体，所述基座被配置成电连接至接地电位和射频电位中的一者；栅格，所述栅格耦合至所述上部并且被电连接至所述接地电位和所述射频电位中的另一者；覆盖所述上部中的开口的窗；以及红外线光源，其被配置成发射红外线穿过所述窗和所述栅格而到达所述衬底的第二表面。所述衬底的所述第二表面与所述衬底的所述第一表面相反。
7.在进一步的特征中，所述栅格具有约88％的开口面积。
8.在进一步的特征中，所述栅格具有至少80％的开口面积。
9.在进一步的特征中，所述红外线光源被配置成将所述衬底加热到至少500摄氏度。
10.在进一步的特征中，所述栅格包含抗氟蚀刻的涂层。
11.在进一步的特征中，所述栅格的外部被铝氧化物涂布。
12.在进一步的特征中，所述栅格的外部被钇氧化物涂布。
13.在进一步的特征中，所述处理室还包含射频产生器电路，该射频产生器电路被配置成施加所述接地电位和所述射频电位至所述栅格和所述基座，并且利用所述前体来激励
等离子体。
14.在进一步的特征中，所述处理室还包含真空源，该真空源被配置成在所述处理室中产生真空。
15.在进一步的特征中，所述处理室还包含固定至所述上部的第二窗，其中所述红外线光源被配置成发射所述红外线穿过所述窗、所述栅格以及所述第二窗而到达所述衬底的所述第二表面。
16.在进一步的特征中，所述第二窗位于所述栅格与所述衬底之间。
17.在进一步的特征中，所述第二窗位于所述窗与所述栅格之间。
18.在进一步的特征中，所述第二窗包含多个洞。
19.在进一步的特征中，所述处理室还包含至少一个清扫气体导管，其被配置成将清扫气体注入至所述窗和所述第二窗之间，其中所述清扫气体流经所述第二窗中的所述多个洞而朝向所述衬底的所述第二表面流动。
20.在进一步的特征中，所述窗的第一厚度大于所述第二窗的第二厚度。
21.在进一步的特征中，所述栅格嵌入所述第二窗内。
22.在进一步的特征中，所述第二窗选自于由石英和蓝宝石所组成的群组。
23.在进一步的特征中，所述窗选自于由石英和蓝宝石所组成的群组。
24.在进一步的特征中，所述红外线光源包含至少一个红外线灯泡。
25.在进一步的特征中，所述红外线光源包含多个蓝光发光二极管，其被配置成产生红外线。
26.在一种特征中，一种处理室包含：位于所述处理室内的基座，所述基座用于：竖直支撑衬底；以及电连接至接地电位和射频电位中的一者；栅格，其被电连接至所述接地电位和所述射频电位中的另一者；以及红外线光源，其用于发射红外线穿过所述窗和所述栅格而到达所述衬底的表面。
27.在进一步的特征中，所述栅格具有约88％的开口面积。
28.在进一步的特征中，所述栅格具有至少80％的开口面积。
29.在进一步的特征中，所述红外线光源用于将所述衬底加热到至少500摄氏度。
30.在进一步的特征中，所述栅格包含抗氟蚀刻的涂层。
31.在进一步的特征中，所述栅格的外部被铝氧化物涂布。
32.在进一步的特征中，所述栅格的外部被钇氧化物涂布。
33.在进一步的特征中，射频产生器电路将施加所述接地电位和所述射频电位至所述栅格和所述基座，并且利用前体来激励等离子体。
34.在进一步的特征中，真空源将在所述处理室中产生真空。
35.在进一步的特征中，所述红外线光源用于发射所述红外线穿过所述窗、所述栅格以及第二窗而到达所述衬底的所述表面。
36.在进一步的特征中，所述第二窗位于所述栅格与所述衬底之间。
37.在进一步的特征中，所述第二窗位于所述窗与所述栅格之间。
38.在进一步的特征中，所述第二窗包含多个洞。
39.在进一步的特征中，至少一个清扫气体导管用于将清扫气体注入至所述窗和所述第二窗之间，其中所述清扫气体流经所述第二窗中的所述多个洞而朝向所述衬底的所述表
面流动。
40.在进一步的特征中，所述窗的第一厚度大于所述第二窗的第二厚度。
41.在进一步的特征中，所述栅格嵌入所述第二窗内。
42.在进一步的特征中，所述第二窗选自于由石英和蓝宝石所组成的群组。
43.在进一步的特征中，所述窗选自于由石英和蓝宝石所组成的群组。
44.在进一步的特征中，所述红外线光源包含至少一个红外线灯泡。
45.在进一步的特征中，所述红外线光源包含多个蓝光发光二极管以产生红外线。
46.根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
47.根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
48.图1为具有处理室的衬底处理系统的示例的功能框图；
49.图2为该处理室的示例性实现方案的横截面图；
50.图3为该处理室的示例性实现方案的横截面图；
51.图4为该处理室的示例性实现方案的横截面图；
52.图5为该处理室的栅格的示例性实现方案的部分俯视图；
53.图6为该处理室的窗的示例性实现方案的部分俯视图；以及
54.图7为一流程图，其描绘了在衬底上沉积膜的示例性方法。
55.在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。具体实现方案
56.当衬底位于基座上的同时，可以在处理室中将膜沉积在衬底上。例如在衬底位于处理室的喷头基座上的情况。喷头基座会将前体分配至衬底上。上部电极(例如栅格)和下部电极(例如喷头基座)被用于激励在喷头基座的顶表面与衬底的下表面之间的射频(rf)等离子体，从而在衬底的下表面上沉积膜。
57.在膜沉积之后，于衬底上执行一或多个其他工艺的期间，衬底可以被加热到至少第一温度(例如约摄氏530度)。如果在低于第一温度的情况下将膜沉积在衬底上，则因膜在较高温度下的内部应力，在其他工艺的执行期间衬底可能弯曲和/或翘曲。
58.根据本公开内容，处理室包含红外线(ir)光源，该红外线光源在膜沉积到衬底的下表面上期间，将ir光发射到衬底的顶表面上。来自该ir光源的ir光会使衬底变暖到至少第一温度。在将衬底加热到至少第一温度的期间将膜沉积至该衬底上，于膜沉积之后的其他工艺执行期间就可以防止或最小化膜应力特性的丧失(例如防止衬底可能翘曲及弯曲)。
59.图1包含衬底处理系统100，其包含位于处理室104内的喷头基座101。虽然此处提供了喷头基座101的示例，但也可以使用另一种类型的基座。虽然图1显示出电容耦合等离子体(ccp)系统，但本技术也可以适用于变压器耦合等离子体(tcp)系统、电子回旋共振(ecr)等离子体系统、电感耦合等离子体(icp)系统和/或其他包含衬底支撑件的系统和等离子体源。
60.喷头基座101包含例如铝之类的导电材料或由其制成。一或多个衬底支撑件106将衬底107竖直支撑于喷头基座101的顶表面108上方。衬底支撑件106可包含例如环形的衬底
支撑环。
61.喷头基座101包含一或多个内部气室110，其接收前体气体并通过洞114而将前体气体分配至衬底107的第一(下)表面112，以在衬底107的第一表面112上沉积膜。喷头基座101被包围在处理室104内。处理室104还包围其它部件，并且包含射频(rf)等离子体。
62.在诸多实现方案中，喷头基座101可以包含温度控制元件(tce)。附加地或可替代地，喷头基座101可包含一或多个冷却剂通道，从而使冷却剂流动通过喷头基座101。
63.rf产生系统120包含一或多个rf产生器，例如rf产生器122，其产生并输出rf电压。例如，rf产生器122产生rf电压并将其输出至作为上部电极的栅格123(rf栅格)以及作为下部电极的喷头基座101。上部电极和下部电极中的一者可以是dc接地、ac接地、或是浮动电位。上部电极和下部电极中的另一者可以接收rf电位。rf产生器122可以是产生例如6
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10千瓦(kw)或更高功率的高功率等离子体rf产生器。rf产生系统120可以包含一或多个其他rf产生器(例如偏置rf功率产生器和/或其他rf功率产生器)，从而产生并输出一或多个其他rf电压。
64.rf产生器122的输出通过rf匹配和分配网络124馈送到上部电极和/或下部电极。其它rf产生器的输出可以是由其他rf匹配和分配网路馈送至其他电极。
65.气体输送系统130包括一或多个气体源132
‑
1、132
‑
2、......和132
‑
n(统称为气体源132)，其中n是大于零的整数。气体源132提供一或多种前体(precursor)以及其气体混合物。气体源132还可以提供一或多种蚀刻气体、载气、清洁气体(清洁)以及清扫气体(清扫)。前体蒸气可以用于多种实现方案中。
66.气体源132可以通过阀134
‑
1、134
‑
2、.....和134
‑
n(统称为阀134)和质量流量控制器136
‑
1、136
‑
2、.....和136
‑
n(统称为mfc136)连接至例如歧管140之类的一或多个歧管。从歧管输出的气体被馈送到处理室104。仅作为示例，歧管140的输出可以馈送至喷头基座101。不同的歧管可以用来提供不同类型的气体到处理室104中的不同的位置。
67.衬底处理系统100可以包含冷却系统，该冷却系统包含温度控制器142。尽管温度控制器142与系统控制器160分开显示，但是可以将温度控制器142实现作为系统控制器160的一部分。喷头基座101可以包含多个温度控制区域(例如4个区域)，其中每个温度控制区域包含一或多个温度传感器和一或多个tce。附加地或可替代地，喷头基座101可以包含一或多个冷却剂通道。温度控制器142可基于由区域的一或多个温度传感器所测量到的温度来控制该区域的tce的操作。温度控制器142可基于一或多个测得的温度而附加地或替代性地控制流过冷却剂通道的冷却剂流量。
68.阀156和泵158在处理室104内产生真空。例如，系统控制器160可控制泵158，以将处理室104内的压强调整至约第一真空。该第一真空可以是例如约1
‑
2torr、大约1.5torr或另一合适的真空度。如本文所使用的，约可意指 /
‑
10％。阀156和泵158或另一阀及另一泵可用于将处理室104内的气体排空。
69.机械手170可以将衬底传送至喷头基座101上并将衬底自喷头基座101移除。例如，机械手170可以将衬底在喷头基座101和装载锁172之间传送。系统控制器160可以控制机械手170的操作。系统控制器160还可以控制装载锁172的操作。
70.红外线(ir)光源180包含一或多个产生ir光的装置。ir光源180将ir光发送通过第一窗182、栅格123和第二窗184而到达衬底107的第二(顶)表面186上。系统控制器160控制
ir光源180，以在将膜沉积到衬底107的第一表面112上的期间，将ir光传输至衬底107。来自ir光源180的ir光将衬底107加热至第一温度或大于第一温度。该第一温度可以例如是约500摄氏度、约530摄氏度、或其他大于500摄氏度的合适温度。虽然此处是提供ir光源180的示例，但也可以使用另一种类型的光源来取代ir光源180。本技术可适用于ir、非ir、以及输出能够加热衬底107的光的其他类型的光源和元件。
71.在膜沉积之后，在衬底107上进行的一或多个其他工艺期间，衬底107可以被加热至第一温度或更高的温度。在ir光源180将衬底107加热到至少第一温度的期间将膜沉积至衬底107上，这可以在其他工艺的执行期间防止或最小化膜的应力特性的丧失。如果在较低温度下将膜沉积到衬底107上，则由于膜的内部应力，在其他工艺的执行期间，衬底107可能会弯曲和/或翘曲。
72.图2为处理室104的示例性实现方案的横截面图。处理室104包含下部204和上部208。一或多个密封装置212(例如一或多个垫圈和/或一或多个o形环)可密封下部204与上部208之间的界面。
73.上部208包含开口216。第一窗182密封开口216。例如，第一窗182可以位于在开口216中形成或加工的肩部220上。一或多个密封装置224(例如一或多个垫圈和/或一或多个o型环)可以密封第一窗182和肩部220之间的界面。
74.一或多个夹持装置228将第一窗182朝向上部208(例如肩部220)偏置，并将第一窗182夹持至上部208。仅举例来说，该一或多个夹持装置228可以包含夹持环，该夹持环包含与形成在上部208中的螺纹啮合的螺纹。
75.清扫气体配件232接收清扫气体。清扫气体从清扫气体配件232经过上部208中的导管234而流至第一窗182和第二窗184之间。清扫气体流经栅格123和第二窗184而朝向衬底107，如下面进一步讨论的。
76.一或多个夹持装置236将第二窗184和栅格123朝向上部208的下表面240偏置。仅作为示例，一或多个夹持装置236可以包含夹持环，该夹持环包含与形成在上部208中的螺纹啮合的螺纹。该一或多个夹持装置236可包含竖直支撑第二窗184和栅格123的肩部244。
77.ir光源180包含产生ir光的一或多个装置。产生ir光的装置的示例包含例如ir灯泡、蓝光发光二极管(led)和其他类型的ir产生装置。虽然显示ir光源180位于第一窗182上，但ir光源180可以位于一或多个夹持装置228上、上部208上、一或多个夹持装置228和上部208两者上、或者位于一或多个夹持装置228和上部208上方的支腿上。
78.ir光源180将ir光传输通过第一窗182、栅格123以及第二窗184而到达衬底107的第二(顶)表面186上。第一窗182的第一厚度(t1)大于第二窗184的第二厚度(t2)。第一窗182被配置成承受处理室104中的第一真空。第一窗182可以由例如石英、蓝宝石、或另一种合适的红外线透射材料制成。仅作为示例，在第一窗182由石英制成的示例中，第一厚度可以是约0.8
‑
0.9英寸，在第一窗182由蓝宝石制成的示例中，第一厚度可以是约0.50
‑
0.6英寸。
79.栅格123穿过上部而电连接到电位，如248所示。栅格123与其他导电表面电隔离。在图2的示例中，栅格123被显示位于第一窗182和第二窗184之间。然而，第二窗184可以位于栅格123和第一窗182之间。例如，图3包含处理室104的示例性实现方案的横截面图，该处理室104包含位于栅格123和第一窗182之间的第二窗184。
80.在多种实现方案中，栅格123可以被嵌入在第二窗184内。例如，图4包含处理室104的示例性实现方案的横截面图，该处理室104包含嵌入在第二窗184内的栅格123。在多种实现方案中，可以省略第二窗184。
81.栅格123由导电材料形成。仅作为示例，栅格123可以由铝或另一种合适的导电材料形成。图5包含栅格123的示例性实现方案的部分俯视图。栅格123可以是例如圆形或矩形。
82.栅格123包含多个洞504，来自ir光源180的红外线会行进穿过洞504。栅格123包括大于或等于约80％的开口面积。仅作为示例，栅格123可以包含88％、约88％、或更高的开口面积。具有大于或等于约80％的开口面积的栅格能够使充分的ir光透射到衬底107，以在膜沉积期间将衬底107加热到至少第一温度。在多种实现方案中，洞504可以是圆形、矩形、三角形或其他合适的形状。栅格123的开口面积由洞504的尺寸(例如长度和宽度或半径)以及洞504的间距(例如三角形、矩形、交错等)所限定。栅格123的开口面积是指相对于栅格123的总面积(包含洞的总面积)的洞504的总面积。例如，栅格123的开口面积可以通过将洞123的总面积除以栅格123(包含洞和非洞)的总面积来确定。清扫气体也流过洞504。在多种实现方案中，栅格123可以包含50
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300个洞或更多。在图5的示例中，栅格123被显示为具有大于80％的开口面积。在图5的示例中，栅格123被显示为具有约88％的开口面积。
83.在多种实现方案中，栅格123可以包含导电材料的编织网。替代地，栅格123可以包含(例如化学)蚀刻的导电材料片。替代地，栅格123可以包含具有例如通过钻洞或水刀形成的洞504的导电材料板。
84.在多种实现方案中，栅格123可以被涂覆。例如，栅格123可以被涂覆一或多种材料，所述材料可抗氟蚀刻(例如三氟化氮(nf3)远程等离子体或原位等离子体清洗)。例如，栅格123可以包含铝氧化物涂层或钇氧化物涂层。
85.再次参考图2，第二窗184将清扫气体引导到衬底107的中心并且可以竖直地支撑栅格123。第二窗184可以由例如石英、蓝宝石、或另一种合适的红外线透射材料制成。第二窗184的第二厚度(t2)小于第一窗182的第一厚度(t1)。
86.图6包含第二窗184的示例实现方案的部分俯视图。第二窗184包含多个洞604，清扫气体会流经洞604而穿过第二窗184。洞604仅在距离第二窗184的中心(c)的第一距离范围内形成。在距离第二窗184的边缘的第二距离范围内不形成洞。第二距离大于零。第二窗184可例如为圆形或矩形。第二窗184的中心c位于衬底107中心的正上方。仅在第二窗184中心附近形成的洞604会使清扫气体集中流向衬底107并使清扫气体能从衬底107的中心径向向外流动。清扫气体流会使得在衬底107的第二表面186上的膜沉积最小化或防止膜在衬底107的第二表面186上沉积。穿过栅格123的洞504中的一些或全部竖直地对齐(例如同轴)于穿过窗184的洞604中的多个。
87.图7为一流程图，其说明在衬底上沉积膜的示例性方法。控制始于704，其中系统控制器160开启ir光源180。系统控制器160也可以开始提供清扫气体，并且在处理室104内产生真空。清扫气体流过栅格123和第二窗184。ir光源180发出ir光穿过第一窗182、栅格123和第二窗184而到达衬底107上，以将衬底107加热到至少第一温度。在多种实现方案中，系统控制器160可以开启和关闭ir光源180。
88.在708处，系统控制器160可以确定衬底107的温度是否等于或近似等于第一温度。
如果708为真，则控制可以继续至712。如果708为假，则控制可以维持在708，以继续加热衬底107。例如，从ir光源180首次开启已经经过了第一时段之后，系统控制器160可以确定衬底107的温度等于或近似等于第一温度。替代地，一或多个温度传感器可以测量衬底107的温度，且系统控制器160可以将所测量的温度与第一温度进行比较。
89.在712处，系统控制器160可通过喷头基座101而将前体供应到衬底107的第一表面112。在716处，系统控制器160通过栅格123和喷头基座101而在衬底107和喷头的顶表面108之间激励等离子体。例如，系统控制器160可以控制rf产生器122，以施加接地电位和rf电位中的一者到栅格123，并且将接地电位和rf电位中的另一者施加到喷头基座101。
90.在720，系统控制器160可以确定在衬底107的第一表面112上的膜沉积是否完成。例如，系统控制器160可以确定从等离子体被激励以及膜开始沉积以来是否已经经过了第一时段。如果720为真，则控制可以结束。如果720为假，则控制可以维持在720，并继续将来自于前体的膜沉积在衬底107的第一表面112上。当衬底107处于约第一温度的期间将膜沉积在衬底107上，这使得在后续的被执行的工艺期间，在将衬底107加热到约第一温度时，膜应力特性的丧失会被最小化或被防止。
91.前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方案的特征中实现和/或与任何其它实施方案的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方案不是相互排斥的，并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。
92.使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“a、b和c中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(or)的逻辑(a或b或c)，并且不应被解释为表示“a中的至少一个、b中的至少一个和c中的至少一个”。
93.在一些实现方式中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(rf)产生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出
工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。
94.概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。
95.在一些实现方式中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。
96.示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
97.如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。