掩膜版组件及其制造方法、显示基板、显示装置与流程

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜版组件及其制造方法、显示基板、显示装置。


背景技术：

2.amoled(active matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)显示器件是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。在amoled的器件结构中，功能层采用大开口的开放式掩膜版(open mask)进行蒸镀，由于这类开放式掩膜版为一整片，整版掩膜的面积较大，刻蚀和张网工艺的精度较低，使得张网后掩膜版的下垂量大，开口尺寸精度低，而开口位置精度低和下垂量大会导致开放式掩膜版蒸镀功能层材料的图形准确度降低，且容易产生阴影(shadow)不良的现象。这样，显示屏边框设计部分需要预留出足够的空间，以应对开放式掩膜版制作及蒸镀工艺产生的误差，不利于显示屏边框的窄边设计甚至是无边设计。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本公开的目的在于提出一种掩膜版组件及其制造方法、显示基板、显示装置。
4.第一方面，本公开提供了一种掩膜版组件，用于制作显示基板，包括：
5.掩膜框架，包括内侧凹槽区域和外侧区域，所述外侧区域具有第一厚度，所述内侧凹槽区域具有第二厚度；
6.掩膜版，固定于所述掩膜框架的所述内侧凹槽区域，包括开口区和遮挡区且具有第三厚度，所述开口区对应于所述显示基板的显示区域，所述掩膜版在所述掩膜框架上的正投影覆盖所述内侧凹槽区域；其中，所述第一厚度大于或等于所述第二厚度与所述第三厚度之和；
7.定位掩膜版，固定于所述掩膜框架的所述外侧区域，并设置有定位孔，所述定位孔用于将所述掩膜版与所述显示基板进行对准。
8.可选地，所述掩膜版组件还包括：
9.辅助掩膜版，固定在所述掩膜框架的所述外侧区域，且其在所述掩膜版上的正投影遮盖所述掩膜版上的所述开口区的至少一条边缘。
10.可选地，所述辅助掩膜版包括：具有第四厚度的凸起区域和具有第五厚度的中间区域，所述凸起区域固定于所述外侧区域，所述中间区域在所述掩膜版上的正投影覆盖所述开口区的至少一条边缘，所述第四厚度大于所述第五厚度。
11.可选地，所述开口区数量为多个且多个所述开口区形成阵列排布，所述辅助掩膜版在所述掩膜版上的正投影覆盖横向排列或纵向排列的多个所述开口区的同侧边缘。
12.可选地，所述开口区数量为多个且多个所述开口区形成阵列排布，所述辅助掩膜版在所述掩膜版上的正投影覆盖横向排列或纵向排列的多个所述开口区的相对侧的边缘
和所述相对侧的边缘之间的遮挡区。
13.可选地，横向设置的所述辅助掩膜版的凸起区域的朝向与纵向设置的所述辅助掩膜版的凸起区域的朝向相对。
14.可选地，所述第四厚度为所述第五厚度的2倍。
15.第二方面，本公开提供了一种掩膜版组件的制作方法，包括：
16.提供具有第一厚度的掩膜框架；
17.蚀刻所述掩膜框架内侧的边缘区域，形成具有第二厚度的内侧凹槽区域；
18.拉伸具有定位孔的定位掩膜版并固定在所述掩膜框架的外侧区域上；其中，所述定位孔用于将所述掩膜版与所述显示基板进行对准；
19.基于所述定位孔将掩膜版与所述掩膜框架对准后，拉伸所述掩膜版，并与所述内侧凹槽区域固定，所述掩膜版包括开口区和遮挡区，且具有第三厚度；其中，所述第一厚度大于或等于所述第二厚度与所述第三厚度之和。
20.第三方面，本公开提供了一种显示基板，包括：采用第一方面所述的掩膜版组件形成的功能层。
21.第四方面，本公开提供了一种显示装置，包括根据第三方面所述的显示基板。
22.从上面所述可以看出，本公开提供的掩膜版组件及其制造方法、显示基板、显示装置，通过将掩膜版的位置限定在内侧凹槽区域所围成的空间内，以及设置具有定位孔的定位掩膜版来进行掩膜版与显示基板对准，制作工艺更简单，从减小掩膜版拉伸的位置偏移和提高定位孔的对准精度等方面，实现掩膜版与显示基板之间的高精度对位，减小掩膜版的开口设计容差，有利于实现显示装置的窄边设计。
附图说明
23.为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
24.图1为一种掩膜版的示意性结构图；
25.图2为根据本公开实施例的掩膜版组件的示意性结构图；
26.图3为根据本公开实施例的掩膜框架的示意性结构图；
27.图4a为根据本公开实施例的定位掩膜版的示意性结构图；
28.图4b为根据本公开实施例的定位掩膜版中定位孔的示意性局部放大图；
29.图5为根据本公开实施例的辅助掩膜版的示意性结构图；
30.图6为根据本公开实施例的辅助掩膜版及其厚度方向截面的示意性结构图；
31.图7为根据本公开实施例的掩膜版组件的截面示意图；
32.图8a为根据本公开实施例的辅助掩膜版的示意性结构图；
33.图8b为根据本公开实施例的图8a中a
‑
a厚度方向的掩膜版组件的截面的示意性结构图；
34.图8c为根据本公开实施例的图8a中b
‑
b厚度方向的掩膜版组件的截面的示意性结构图；
35.图9为根据本公开实施例的辅助掩膜版的示意性结构图。
具体实施方式
36.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
37.需要说明的是，除非另外定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
38.amoled显示器件一般包括多层模组，在阴极和阳极中间包括电子注入层(eil)、电子传输层(etl)、发光层(eml)、空穴传输层(htl)、空穴注入层(hil)，其中发光层之外的其他层可以称为功能层。在外加电场作用下，阴极和阳极分别产生带负电的电子和带正电的空穴，电子和空穴通过对应的注入层和传输层向中间的发光层迁移，并在发光层形成电子空穴对(即激子)，由于电子空穴对不稳定，辐射跃迁释放能量，发出可见光。在制造中，发光层材料通过精密金属掩膜版(fmm)进行蒸镀，沉积到基板上；功能层材料通过开放式掩膜版进行蒸镀。现有的开放式掩膜版对位精度低，开口尺寸精度低，开口位置精度低和下垂量大，使得功能层材料蒸镀图形精度较差，阴影不良(shadow effect)较大。因此，开放式掩膜版的开口设计需要在显示基板上预留较大的容差范围，这会占用较大的边框空间，导致显示基板和显示装置的边框设计很难减小。然而，随着显示技术的发展迭代，显示装置的边框减小甚至是无边框设计需求越来越紧迫，如何满足窄边框技术所需的掩膜版设计和工艺能力的提升，成为了亟需待解决的技术问题。
39.如图1所示，掩膜版100包括金属框架101，在该金属框架101上焊接了一张开放式掩膜版102，开放式掩膜版102的开口排布与显示基板上显示屏的排布相对应。开放式掩膜版102上的定位孔103设置与蒸镀机的对位系统相匹配，用于进入蒸镀机后将开放式掩膜版102与显示基板进行对位。开放式掩膜版102目前采用湿法刻蚀制作，由于是一整片式生产，其定位孔103和开口区104的尺寸和位置精度难以精确管控，通常误差可达几十至几百微米。开放式掩膜版102的金属薄板制作完成后，需进行张网工艺，对其四边进行拉伸并焊接到金属框架101上，在张网拉伸过程中，开放式掩膜版102金属薄板不可避免的会发生变形和位置的偏移等。开放式掩膜版102的厚度一般为100～200um，张网工艺完成后整张掩膜的下垂量根据尺寸差别可达100～300微米。开放式掩膜版102厚度较厚及下垂量大在蒸镀工艺时会造成开放式掩膜版102与显示基板之间的间距增加，使得蒸镀材料分子沉积时产生较大的阴影区，导致显示基板上的蒸镀膜厚度不均，厚度较薄不能达到有效膜厚的部分。
40.基于上述考虑，本公开实施例提供了一种掩膜版组件及其制造方法、显示基板、显示装置，以提供一种高精度的掩膜版组件结构及制造方法，可以有效解决现有掩膜版对位精度低，开口尺寸精度低，开口位置精度低和下垂量大等问题，并且工艺简单，成本低廉。
41.参见图2，图2示出了根据本公开实施例的掩膜版组件的示意性结构图。
42.如图2所示，掩膜版组件200，用于制作显示基板，包括：
43.掩膜框架201，包括内侧凹槽区域和外侧区域，所述外侧区域具有第一厚度，所述内侧凹槽区域具有第二厚度；
44.掩膜版202，固定于所述掩膜框架的所述内侧凹槽区域，包括开口区203和遮挡区且具有第三厚度，所述开口区203对应于所述显示基板的显示区域，所述掩膜版202在所述掩膜框架上的正投影覆盖所述内侧凹槽区域；其中，所述第一厚度大于或等于所述第二厚度与所述第三厚度之和；
45.定位掩膜版204，固定于所述掩膜框架201的所述外侧区域，并设置有定位孔205，所述定位孔205用于将所述掩膜版202与所述显示基板进行对准。
46.其中，在掩膜框架的内侧边缘设置一圈内侧凹槽区域，与掩膜版的尺寸相匹配，将掩膜版嵌入并固定在该内侧凹槽区域内，并在掩膜框架的外侧区域上固定具有定位孔的定位掩膜版。通过将掩膜版的位置限定在内侧凹槽区域所围成的空间内，与传统的掩膜版拉伸后固定在框架上相比，能够减小掩膜版在拉伸过程中的位置偏移；而另外设置具有定位孔的定位掩膜版来进行掩膜版与显示基板对准，与传统的在掩膜框架上设置定位孔，定位孔受掩膜框架整体制作工艺能力限制，制作的精度较低的情况相比，具有定位孔的定位掩膜版制作工艺更简单，能够更好都控制定位孔的位置，使得定位孔的位置精度更高。如此，根据本公开实施例的掩膜组件可以从减小掩膜版拉伸的位置偏移和提高定位孔的对准精度等方面，实现掩膜版与显示基板之间的高精度对位，减小掩膜版的开口设计容差，有利于实现显示装置的窄边设计。
47.根据本公开实施例，在掩膜版组件200的制作工程中，可以先制作掩膜框架201，再于掩膜框架201的基础上形成定位掩膜版204，然后基于定位掩膜版204上的定位孔205形成掩膜版，以得到掩膜版组件200。
48.在一些实施例中，掩膜框架201可以采用金属材料制作。参见图3，图3示出了根据本公开实施例的掩膜框架的示意性结构图。如图3所示，首先，可以提供具有第一厚度的掩膜框架201。该掩膜框架201上设置有与蒸镀机对位系统相对应的定位孔201a，该定位孔201a受框架整体制作工艺能力限制，制作的精度较低，通常可达几十微米。定位孔201a位置的低精度十分影响后续制作工艺中掩膜版对待蒸镀的显示基板之间的对准精度，导致掩膜版的对位精度低。鉴于此，本公开实施例采用了设置了高精度的定位掩膜版(如图2中的定位掩膜版204)来替代该定位孔201a，那么掩膜框架201上的该定位孔201a的设计尺寸可远大于实际掩膜板在蒸镀机内定位孔所要求的尺寸，真正用于蒸镀工艺与显示基板对准的定位孔，将由高精度的定位掩膜版204提供。
49.然后，可以蚀刻掩膜框架201内侧的边缘区域，形成具有第二厚度的内侧凹槽区域201b。具体来说，如图2和图3所示，将掩膜框架201的内框边缘蚀刻一定厚度，与未蚀刻的区域形成台阶结构，未蚀刻的区域相对于蚀刻区域位于掩膜框架201的外侧，可以作为掩膜框架201的外侧区域，蚀刻区域可以作为掩膜框架201的内侧凹槽区域201b。由于内侧凹槽区域201b在后续制作工艺中将用于与掩膜版202固定，即内侧凹槽区域201b所形成的容纳空间将用于容纳放置掩膜版202，使掩膜版202在张网拉伸后始终固定于内侧凹槽区域201b，以减少掩膜版202在张网拉伸过程的位置偏移，从而提高掩膜版202的定位精度。内侧凹槽
区域201b的蚀刻厚度可以与掩膜版202的厚度相同或者大于掩膜版202的厚度，内侧凹槽区域201b的蚀刻尺寸可以基于掩膜框架201的内框尺寸和掩膜版202的尺寸确定，例如，蚀刻尺寸可以是掩膜版202的尺寸与掩膜框架201的内框尺寸之差，以使得蚀刻完后，掩膜版202在掩膜框架201上的正投影覆盖该内侧凹槽区域201b，即内侧凹槽区域201b的尺寸与掩膜版202的尺寸相匹配，便于将掩膜版202嵌入且固定在内侧凹槽区域201b内。
50.在一些实施例中，定位掩膜版204可以采用合金制作。进一步地，可以采用热膨胀系数较低的合金。例如invar合金、铁镍合金或镍钴合金等。
51.在一些实施例中，定位掩膜版204的厚度可以包括5～30um。在一些实施例中，定位掩膜版204可以为条状。
52.在一些实施例中，具有定位孔205的定位掩膜版204可以采用湿法刻蚀技术、电铸技术或激光打孔等方式制作。
53.参见图4a，图4a示出了根据本公开实施例的定位掩膜版的示意性结构图。如图4a所示，可以在图3所示的掩膜框架201的基础上，拉伸具有定位孔205的定位掩膜版204并固定在掩膜框架201的外侧区域上。具体来说，可以使用张网设备对定位掩膜版204两侧拉伸，通过拉力进行定位孔205的位置调整，定位孔205的位置精度可高达0～1.5um。再将调整好位置的定位掩膜版204固定(例如焊接)在掩膜框架201的外侧区域，即图2中的未蚀刻区域。进一步地，定位掩膜版204的数量可以是2个。更进一步地，该2个定位掩膜版204基于掩膜框架201的中心线对称设置。应了解，定位掩膜版204的数量可以根据需要进行设置，可以是更多或更少，在此不做限制。
54.参见图4b，图4b示出了根据本公开实施例的定位掩膜版中定位孔的示意性局部放大图。如图4b所示，由于定位掩膜版204的厚度较薄且设计极为简单，定位孔205的制作工艺管控比较容易，可以达成较高的精度，定位孔205尺寸的误差可以控制在0～3um以内。这样，定位孔205的高精度进一步保证了后续工艺中固定掩膜版的精度以及掩膜版与显示基板对准的精度。
55.在一些实施例中，掩膜版202以采用金属材料制作。进一步地，可以采用invar合金制作。在一些实施例中，掩膜版202具有第三厚度，该第三厚度可以包括50～250um。
56.在一些实施例中，掩膜版202可以包括多个开口区203，该多个开口区203形成阵列排布。在一些实施例中，开口区203的形状可以为方形。在一些实施例中，掩膜版202中的非开口区为遮挡区。应了解，开口区的数量可以根据需要设置，在此不做限制。
57.如图2和图4a所示，可以在图4a所示的固定有定位掩膜版204的掩膜框架201上，基于定位孔205将掩膜版202与掩膜框架201对准后，拉伸掩膜版202，并与内侧凹槽区域201b固定。具体来说，可以通过张网设备夹取包括开口区和遮挡区的掩膜版202，采用定位掩膜版204上高精度的定位孔205建立张网坐标系，将掩膜版202与掩膜框架201对位，然后张网设备将掩膜版202四边进行拉伸，并将拉伸后的掩膜版202与掩膜框架201固定，例如运用激光焊接的方式将拉伸后的掩膜版202固定在掩膜框架201的内侧凹槽区域201b，从而得到图2所示的掩膜版组件200。掩膜版202拉伸后的尺寸和位置均被限定在内侧凹槽区域201b的空间内，减小了掩膜版拉伸过程中的位置偏差，使得掩膜版的对位精度提高，以及避免了过度拉伸或拉伸度不够所造成的开口尺寸精度低的情况，进一步改善了拉伸工艺中开口的下垂量大等问题，有利于减小掩膜版的开口容差，实现显示装置的窄边设计或无边设计。
58.在显示基板的实际制作中，由于掩膜版202的整片制作工艺，很难保证每个开口区的尺寸及位置精度达到较高水平，且在拉伸过程中，掩膜版202的下垂量较大，这些都使得功能层材料蒸镀图形精度较差，阴影不良(shadow effect)较大，制约了显示装置的窄边设计。因此，本公开实施例提供的掩膜版组件还可以设置有辅助掩膜版，来对掩膜版的开口区的实际蒸镀区域进行调整，提高对显示基板的功能层材料蒸镀的图形精度，改善阴影不良。
59.根据本公开实施例，掩膜版组件200还可以包括：
60.辅助掩膜版，固定在所述掩膜框架的所述外侧区域，且其在所述掩膜版上的正投影遮盖所述掩膜版上的所述开口区的至少一条边缘。
61.在一些实施例中，辅助掩膜版可以采用采用热膨胀系数较低的合金。例如invar合金、铁镍合金或镍钴合金等。
62.参见图5，图5示出了根据本公开实施例的辅助掩膜版的示意性结构图。如图5所述，掩膜框架201的外侧区域上设置有具有定位孔205的定位掩膜版(未示出)，掩膜版202固定于掩膜框架201的内侧凹槽区域，掩膜版202的每个开口区203为方形，均包括上下左右四侧边缘。辅助掩膜版206的两端固定在掩膜框架201的外侧区域，其在掩膜版202上的投影覆盖至少一个开口区203的一侧边缘，即辅助掩膜版206的一部分宽度搭接在开口区203的边缘上，一部分悬空，用于形成蒸镀过程中的实际开口区。因此，通过辅助掩膜版206对开口区的覆盖程度来调整蒸镀过程中的实际开口区的尺寸，以改善开口区的尺寸和位置精度；且辅助掩膜版206的尺寸相对较小，张网工艺后平坦度好，下垂量小，辅助掩膜版206的下垂量可控制在0～40um以内，与传统的掩膜版的100～300um下垂量相比，辅助掩膜版206能够与待蒸镀的显示基板贴合得更紧密，从而提高了蒸镀的图形精度以及改善了阴影不良。
63.图5中，辅助掩膜版206固定在掩膜框架201上可以包括：首先基于定位孔205建立张网坐标系，以保证张网后辅助掩膜版206与蒸镀工艺对位系统的坐标统一，提高实际开口区的开口精度。然后，对辅助掩膜版206进行对位和拉伸，并将拉伸后的辅助掩膜版206的两端凸起区域固定在掩膜框架201的外侧区域上。具体来说，可以使用张网设备对辅助掩膜版206进行对位和拉伸，通过张网设备输出的拉力大小及位置的调整精确控制辅助掩膜版206边缘的位置精度，然后采用激光焊接将辅助掩膜版206的两端凸起区域固定在掩膜框架201的外侧区域上。因为仅需保证辅助掩膜版206悬空在掩膜版202的一侧边缘的位置精度，对辅助掩膜版206张网工艺可以进行精准的调整，实际开口区的四边通过掩膜版202的开口区边缘和/或辅助掩膜版206的边缘围挡形成，从而极大提升蒸镀过程中实际开口区的尺寸和位置精度。
64.辅助掩膜版206的凸起区域与掩膜框架201固定，则可以保证该凸起区域在开口区的外侧以及横向和纵向辅助掩膜条重叠部分以外，确保辅助掩膜条形成的实际开口区的边缘均是在中间区域。这样，凸起区域在蒸镀的实际有效开口区之外，掩膜版202的厚度不会对功能层材料沉积阴影产生影响，且有利于加强辅助掩膜版206的强度和稳定性，有利于焊接工艺，使得焊接更加容易及焊点牢固。
65.由于掩膜版的开口区包括上下左右四侧边缘，当需要对开口区横向的上侧边缘和/或下侧边缘，以及纵向的左侧边缘和/或右侧边缘均设置辅助掩膜版时，多个辅助掩膜版将会存在交叠区域，那么该交叠区域中位于上层的辅助掩膜版将会受到下层辅助掩膜版的厚度影响，无法在保持平整，导致实际开口区的尺寸和位置精度降低。根据本公开实施
例，将辅助掩膜版两端区域的厚度设置为大于中间区域的厚度，避免中间区域相互影响，保证位于下层和上层的辅助掩膜版均能保持平整。
66.在一些实施例中，所述辅助掩膜版包括：具有第四厚度的凸起区域和具有第五厚度的中间区域，所述凸起区域固定于所述外侧区域，所述中间区域在所述掩膜版上的正投影覆盖所述开口区的至少一条边缘，所述第四厚度大于所述第五厚度。
67.在一些实施例中，第五厚度可以包括5～30um。
68.参见图6，图6示出了根据本公开实施例的辅助掩膜版及其厚度方向截面的示意性结构图。图6中，辅助掩膜版206包括两侧的凸起区域206a、206b和中间区域；凸起区域206a的厚度可以比中间区域的厚度大t(例如5～30um)。即辅助掩膜版206的厚度存在差异，两端的厚度加厚，中间厚度减薄，而中间区域的厚度较薄在蒸镀时产生的阴影影响也较小。辅助掩膜版206的这种结构可以通过电沉积工艺制作而成，电铸工艺有利于制备较薄的金属材料，辅助掩膜版206的两端的凸起区域可以采用二次电沉积工艺在端部加厚厚度t形成凸起区域，还可以用压延工艺制备的成品金属材料，通过蚀刻工艺将中间部位减薄厚度t以形成中间区域。
69.参见图7，图7示出了根据本公开实施例的图5中掩膜版组件的截面示意图。图5中a
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a厚度方向的掩膜版组件的截面如图7中所示，掩膜版202固定在掩膜框架201的内侧凹槽区域内，辅助掩膜版206设置于掩膜版202上，辅助掩膜版206的凸起区域206a、206b分别固定在掩膜框架201的外侧区域上，中间区域覆盖掩膜版202的开口区横向的边缘。
70.在一些实施例中，掩膜版组件200可以包括一个或更多个辅助掩膜版。
71.在一些实施例中，所述辅助掩膜版在所述掩膜版上的正投影覆盖横向排列或纵向排列的多个所述开口区的同侧边缘。
72.参见图8a，图8a示出了根据本公开实施例的辅助掩膜版的示意性结构图。如图8a中所示，由于图8a与图5的差别在于辅助掩膜版的设置不同，为了描述的简洁性，仅对二者的区别进行描述，相同部分不再赘述。图8a中，横向设置的辅助掩膜版206c、206d、206e、206f，纵向设置的辅助掩膜版206g、206h、206i、206j。那么，横向设置的辅助掩膜版在掩膜版202上的正投影覆盖横向排列的多个开口区的同侧边缘，具体包括：辅助掩膜版206c在掩膜版202上的正投影覆盖了第一行横向的开口区203a和开口区203b的上侧边缘；辅助掩膜版206d在掩膜版202上的正投影覆盖了第一行横向上的开口区203a和开口区203b的下侧边缘。同样地，辅助掩膜版206e在掩膜版202上的正投影覆盖第二行横向的开口区203c和开口区203d的上侧边缘，辅助掩膜版206f在掩膜版202上的正投影覆盖第二行横向的开口区203c和开口区203d的下侧边缘。而纵向设置的辅助掩膜版在掩膜版202上的正投影覆盖纵向排列的多个开口区的同侧边缘，具体包括：辅助掩膜版206g在掩膜版202上的正投影覆盖了第一列纵向的开口区203a和开口区203c的左侧边缘；辅助掩膜版206h在掩膜版202上的正投影覆盖了第一列纵向的开口区203a和开口区203c的右侧边缘。同样地，辅助掩膜版206i在掩膜版202上的正投影覆盖第二列纵向的开口区203b和开口区203d的左侧边缘，辅助掩膜版206j在掩膜版202上的正投影覆盖第二列纵向的开口区203c和开口区203d的右侧边缘。图8a中a
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a厚度方向的掩膜版组件的截面如图8b中所示，图8a中b
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b厚度方向的掩膜版组件的截面如图8c中所示。
73.需要说明的是，上述实施例仅为举例说明，并不旨在对辅助掩膜版的设置进行限
制，掩膜版组件可以仅设置横向的辅助掩膜版，也可以仅设置纵向的辅助掩膜版，还可以同时设置横向和纵向的辅助掩膜版，在此不做限制。
74.在一些实施例中，所述辅助掩膜版在所述掩膜版上的正投影覆盖横向排列或纵向排列的多个所述开口区的相对侧的边缘和所述相对侧的边缘之间的遮挡区。
75.其中，开口区的上侧边缘与下侧边缘为相对侧的边缘，左侧边缘与右侧边缘为相对侧的边缘。为了进一步简化工艺，可以采用辅助掩膜版同时对相邻开口区的临近边缘以及该临近边缘之间的遮挡区进行覆盖，这样能够减少辅助掩膜版的数量，进而减少辅助掩膜版整体的制作工艺。参见图9，图9示出了根据本公开实施例的辅助掩膜版的示意性结构图。如图9所示，横向设置的辅助掩膜版206k在掩膜版202上的正投影覆盖横向排列的开口区203a、203b的下侧边缘和横向排列的开口区203c、203d的上侧边缘，和上述边缘之间的遮挡区；而横向设置的辅助掩膜版206l在掩膜版202上的正投影覆盖纵向排列的开口区203a、203c的右侧边缘和纵向排列的开口区203b、203d的左侧边缘，和上述边缘之间的遮挡区。应了解，图9中的辅助掩膜版206k和辅助掩膜版206l与前述实施例中的辅助掩膜版区别仅在于尺寸不同，其制作工艺以及与掩膜框架201的对位工艺、拉伸工艺和固定工艺均相同。
76.在一些实施例中，横向设置的所述辅助掩膜版的凸起区域的朝向与纵向设置的所述辅助掩膜版的凸起区域的朝向相对。
77.其中，当同时设置横向的和纵向的辅助掩膜版时，可以将同一方向的辅助掩膜版设置在同一层，即可以先固定横向的辅助掩膜版后固定纵向的辅助掩膜版，也可以先固定纵向的辅助掩膜版后固定横向的辅助掩膜版。先固定的一个方向的辅助掩膜版可以在张网时两端凸起区域朝向上面，即远离掩膜版的一侧，后固定的另一个方向的辅助掩膜版则是两端凸起区域朝下，即朝向先固定的一个方向的辅助掩膜版的凸起区域，类似于相扣交叠的方式，这样可以保证横向的和纵向的辅助掩膜版固定完成后整体的最高平面一致。
78.在一些实施例中，所述第四厚度为所述第五厚度的2倍。其中，辅助掩膜版的凸起区域的凸起的厚度正好是中间区域的厚度的2倍时，当横向设置的辅助掩膜版和纵向设置的辅助掩膜版贴合交叠时，纵向的辅助掩膜版的中间区域的高度正好与横向的辅助掩膜版的凸起区域的一致，保证了横向的和纵向的辅助掩膜版都能直接焊接在掩膜框架上，不产生高度差。而直接与掩膜框架焊接，有利于保证辅助掩膜版焊接的稳定性和平坦性，不受掩膜版的影响，且更方便修复和更换新的辅助掩膜版。还能够在保证辅助掩膜版平整的同时，尽可能减小辅助掩膜版所占用的空间，有利于减少掩膜版组件的体积。
79.根据本公开实施例，还提供了一种显示基板，包括：采用根据本公开实施例所述的掩膜版组件形成的功能层。
80.根据本公开实施例，还提供了一种显示装置，包括根据本公开实施例所述的显示基板。
81.所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本公开实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
82.尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。本公
开实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本公开实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。