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采用切割道沟槽工艺芯片的晶圆级芯片封装技术的制作方法

2021-12-01 01:47:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种采用切割道沟槽工艺芯片的晶圆级芯片封装技术,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上分别形成芯片结构、位于所述芯片结构周围的切割道以及位于所述切割道两侧的沟槽,所述芯片结构包括依次位于所述衬底上的金属pad和钝化层,所述钝化层露出部分所述金属pad;在所述钝化层和金属pad上形成第一介质层,所述第一介质层露出部分所述金属pad,所述第一介质层填充靠近所述芯片结构的沟槽;在所述第一介质层和金属pad上形成重分布层;在所述重分布层上形成第二介质层,所述第二介质层露出部分所述重分布层;以及在所述重分布层上形成锡球。2.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术,其特征在于,在所述第一介质层和金属pad的中间部分的表面上形成重分布层的方法包括:在所述第一介质层和金属pad上形成第一种子层;在所述第一种子层上形成图案化的第一光刻胶层;在所述图案化的第一光刻胶层未覆盖的第一种子层上进行金属布线,以形成第一金属层;以及去掉所述图案化的第一光刻胶层以及所述图案化的第一光刻胶层覆盖的第一种子层。3.如权利要求2所述的晶圆级芯片封装技术,其特征在于,形成所述图案化的第一光刻胶层的方法包括:在所述第一种子层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层;以及图案化所述第一光刻胶层并对所述第一光刻胶层进行烘烤,以形成所述图案化的第一光刻胶层。4.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术,其特征在于,所述第一介质层的光罩覆盖靠近所述芯片结构的沟槽。5.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术,其特征在于,所述第一介质层和所述第二介质层的材料为聚合物。6.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术,其特征在于,在形成锡球之前,还包括:在所述重分布层上形成球下金属层。7.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术,其特征在于,所述第二介质层露出的部分所述重分布层的位置位于所述钝化层上。8.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术,其特征在于,所述金属pad覆盖部分所述衬底。9.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术,其特征在于,所述钝化层露出的部分所述金属pad为所述金属pad的中间部分。10.如权利要求9所述的晶圆级芯片封装技术,其特征在于,所述金属pad为圆形或者方形,所述钝化层围绕所述金属pad的周围形成并且覆盖所述金属pad的边缘部分。

技术总结
本发明提供了一种采用切割道沟槽工艺芯片的晶圆级芯片封装技术,包括:在衬底上分别形成芯片结构、位于芯片结构周围的切割道以及位于切割道两侧的沟槽,芯片结构包括依次位于所述衬底上的金属pad和钝化层,钝化层露出部分所述金属pad;在钝化层和金属pad上形成第一介质层,第一介质层露出部分金属pad,第一介质层填充靠近芯片结构的沟槽;在第一介质层和金属pad上形成重分布层;在重分布层上形成第二介质层,第二介质层露出部分重分布层;在重分布层上形成锡球。本发明可以减少甚至杜绝重分布层在沟槽上方或附近出现金属多镀的情况发生,从而减少甚至杜绝重分布层出现外观问题或者电性问题的情况发生。者电性问题的情况发生。者电性问题的情况发生。


技术研发人员:韩国庆 吴姗姗 朱一鸣 成剑钧 曹秀亮
受保护的技术使用者:上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日:2021.08.30
技术公布日:2021/11/30
再多了解一些

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