碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法与流程

技术特征：
1.碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：a）对待测定的抛光片进行外延生长形成外延层；b）测量抛光片连同外延层的整体总厚度t
总1
以及外延层的厚度t
外1
；c）进行双面抛光，所述双面抛光的时间为t；d）抛光后再次测试抛光片连同外延层的整体总厚度
t总2
和外延层厚度t
外2
；e）计算
△
t
总
和
△
t
硅面
：
△
t
总
＝t
总1
－t
总2
；
△
t
硅面
＝t
外1
－t
外2
；f）计算总抛光速率＝
△
t
总
/t；硅面抛光速率＝
△
t
硅面
/t；碳面抛光速率＝（
△
t
总
－
△
t
硅面
）/ t。2.根据权利要求1所述的碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法，其特征在于，所述抛光片的厚度为330
‑
350μm。3.根据权利要求2所述的碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法，其特征在于，所述抛光片的厚度为350
±
1μm。4.根据权利要求1所述的碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法，其特征在于，外延层的厚度为10
‑
100μm。5.根据权利要求4所述的碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法，其特征在于，外延层的厚度为20
‑
50μm。6.根据权利要求1或4或5所述的碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法，其特征在于，所述外延层的厚度均匀性≤5%。7.根据权利要求1所述的碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法，其特征在于，所述双面抛光的时间为1
‑
5h。8.根据权利要求1所述的碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法，其特征在于，所述双面抛光的时间为2
‑
3h。

技术总结
本发明属于半导体材料加工技术领域，是一种碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法；具体是先对待测定的抛光片进行外延生长形成外延层；测量抛光片连同外延层的整体总厚度T


技术研发人员：赵丽霞 魏汝省 李斌 李鹏 原帅武 牛玉龙 张峰 靳霄曦
受保护的技术使用者：山西烁科晶体有限公司
技术研发日：2021.07.29
技术公布日：2021/11/21