籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置的制作方法

1.本实用新型涉及锗单晶生长技术领域，具体涉及一种籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置。


背景技术：

2.在锗单晶生长过程中，通常采用高纯区熔锗锭作为原料。锗作为一种稀缺资源，在地球上的含量极其稀少，因此，锗单晶生长的原料成本极其高昂，为了提高锗原料的利用率和节约锗料成本，通常将锗单晶在拉制或者截断、切片、加工等过程中产生的埚底料、头尾料和碎锗等进行重复利用。然而，这些循环使用的锗料在加工、运输及储存的过程中，极易受到污染。污染源主要有氧化层、带锯和金刚线上带来的金属离子、有机物等。这些污染源极易导致单晶出现晶变、电阻率异常等情况，造成重大损失。因此，这些循环锗料必须经过严格的清洗流程才能投入使用。
3.锗单晶通常采用直拉法生长，在直拉单晶中，需要一定晶向的晶种作为直拉单晶引晶，这种晶种即为籽晶。锗单晶的籽晶通常是由品质较好的锗单晶棒加工而成，籽晶的品质决定了最终生长的单晶的品质，价格昂贵且易碎。因此，籽晶的清洗需要更加严格，在清洗的时候既不能互相磕碰，又要将籽晶表面的杂质清洗干净无残留。
4.目前，籽晶的清洗没有特定装置，只是随意摆放在器皿中进行清洗，容易产生磕碰现象，而且籽晶与其他籽晶及器皿的接触部分清洗不到，严重影响籽晶质量。因此，急需一种籽晶清洗装置，以解决以上问题。


技术实现要素：

5.本实用新型的主要目的在于提供一种籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置，该籽晶清洗用置放结构通过在侧板的顶部侧面上设置限位凹槽，能更大限度地将籽晶全部浸润在清洗液中，清洗较为彻底；同时还起到限位作用，避免籽晶之间产生磕碰，使得籽晶清洗更加彻底、安全，以解决现有技术中籽晶清洗装置清洗不彻底且易产生磕碰影响籽晶质量的技术问题。
6.为了实现上述目的，根据本实用新型的第一方面，提供了一种籽晶清洗用置放结构。
7.该籽晶清洗用置放结构包括：
8.框架本体，包括至少三个侧板，所述至少三个侧板均竖直设置，并且所述框架本体为采用所述至少三个侧板合围形成；
9.多个限位凹槽，所述多个限位凹槽均设置在所述侧板的顶部，用于盛放籽晶。
10.进一步的，所述框架本体包括四个侧板，并且所述框架本体采用所述四个侧板合围形成的方形框架。
11.进一步的，所述四个侧板中相对的两个侧板的高度相同。
12.进一步的，所述四个侧板中相邻的两个侧板的高度不同。
13.进一步的，所述限位凹槽呈半圆形结构，所述限位凹槽开口朝向设置。
14.进一步的，相对设置的两个侧板上的所述限位凹槽的数量相同，且一一对应设置。
15.为了实现上述目的，根据本实用新型的第二方面，提供了一种应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置。
16.该应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置包括清洗器皿以及上述的籽晶清洗用置放结构，其中：
17.所述清洗器皿内部形成容纳腔，并且所述清洗器皿的侧壁上开设有连通所述容纳腔的排出口；
18.所述籽晶清洗用置放结构放置于所述容纳腔内。
19.进一步的，所述清洗器皿为圆桶状结构，所述排出口设置在所述清洗器皿的底部。
20.进一步的，所述清洗器皿的高度≥所述籽晶清洗用置放结构的高度。
21.进一步的，还包括管道，所述管道外接所述排出口。
22.本实用新型中应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置，具有以下优点：
23.1、应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置结构简单、操作方便，使用时只需将籽晶清洗用置放结构与清洗器皿进行组装。
24.2、籽晶清洗用置放结构可以采用聚四氟乙烯材质，耐腐蚀、耐高温，不会引入新的杂质。
25.3、籽晶清洗用置放结构采用方形城墙式结构，四个面采用两种不同的高度，极大地增加空间利用率。
26.4、籽晶清洗用置放结构的四个面上设置有圆形凹槽，与方形籽晶的接触面积最小，能更大限度地将籽晶全部浸润在清洗液中，同时凹槽起到限位作用，避免籽晶之间产生磕碰，使得籽晶清洗更加彻底、安全。
附图说明
27.通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
28.图1为本实用新型实施例中籽晶清洗用置放结构的结构示意图；
29.图2为本实用新型实施例中清洗器皿的结构示意图。
30.图中：
31.1、框架本体；2、限位凹槽；3、侧板；4、清洗器皿；5、排出口；6、管道。
具体实施方式
32.下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
33.本实用新型公开了一种籽晶清洗用置放结构，如图1所示，该籽晶清洗用置放结构包括框架本体1和多个限位凹槽2，其中：
34.框架本体1包括至少三个侧板3，也即侧板3的数量可以为3个、4个或5个，可以根据实际需要进行选择设计；侧板3竖直设置，框架本体1主要采用上述侧板3合围形成；
35.多个限位凹槽2均设置在侧板3的顶部，主要用于盛放籽晶，可以理解为通过在侧板3的顶部设置多个限位凹槽2，可以将籽晶搁置在限位凹槽2中，形成对籽晶的有效支撑。
36.作为本实用新型的另一种实施例，框架本体1包括四个侧板3，如图1所示，采用四个侧板3合围形成方形框架，框架本体1的顶部以及底部均敞口设置。
37.作为本实用新型的另一种实施例，四个侧板3中相对的两个侧板3的高度相同，如图1所示，相对设置的两个侧板3的高度一致，因而可以将籽晶水平搁置在相对的两个侧面上，提高籽晶放置的稳定性。
38.作为本实用新型的另一种实施例，四个侧板3中相邻的两个侧板3的高度不同，如图1所示，四个立面11采用两种高度，如此设置，可以极大地增加籽晶清洗用置放结构的空间利用率，从而增加清洗效率。
39.作为本实用新型的另一种实施例，限位凹槽2呈半圆形结构，如图1所示，限位凹槽2开口朝向设置，且呈半圆形结构，如此设置，限位凹槽2与方形籽晶的接触面积最小，能更大限度地将籽晶全部浸润在清洗液中，同时凹槽起到限位作用，避免籽晶之间产生磕碰，使得籽晶清洗更加彻底、安全。
40.作为本实用新型的另一种实施例，相对设置的两个侧板3上的限位凹槽2的数量相同，如图1所示，相对设置的两个侧板3上的限位凹槽2一一对应设置，能够最大化提高籽晶清洗用置放结构的空间利用率。
41.本实用新型还公开了一种应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置，结合图1和图2所示，该应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置包括清洗器皿4以及上述的籽晶清洗用置放结构，其中：
42.清洗器皿4内部形成容纳腔，籽晶清洗用置放结构放置于容纳腔内，并且清洗器皿4的侧壁上开设有连通容纳腔的排出口5，用于清洗后洗液的排出。
43.在上述实施例中，清洗器皿4以及上述的籽晶清洗用置放结构组装形成应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置，清洗器皿4内部形成容纳空间，使用时只需将籽晶清洗用置放结构放置于清洗器皿4的容纳空间内，再将清洗液注入清洗器皿4内部即可，清洗后的洗液通过排出口5排出。
44.作为本实用新型的另一种实施例，清洗器皿4为圆桶状结构，当然本领域技术人员也可以根据实际情况，将清洗器皿4设计为其他结构，如方形；如图1所示，排出口5设置在清洗器皿4的底部。
45.作为本实用新型的另一种实施例，清洗器皿4的高度大于等于籽晶清洗用置放结构的高度，可以将籽晶清洗用置放结构完全置放在清洗器皿4的容纳空间内，从而确保清洗液能够浸没籽晶清洗用置放结构。
46.作为本实用新型的另一种实施例，应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置还包括管道6，管道6外接排出口5，清洗后洗液通过排出口以及管道6排放。
47.作为本实用新型的另一种实施例，清洗器皿4采用石英材质。
48.作为本实用新型的另一种实施例，籽晶清洗用置放结构采用聚四氟乙烯材质。
49.采用该应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置对籽晶进行清洗的操作方法，具体为：
50.(1)使用时首先将籽晶清洗用置放结构放置在清洗器皿底部；
51.(2)再将籽晶依次摆放在限位凹槽中；
52.(3)在清洗器皿中注入去离子水直至完全没过籽晶清洗用置放结构，然后加入腐蚀剂进行清洗；
53.(4)完成清洗后，将清洗液通过排出口以及管道排出。
54.需要说明的是，本实用新型的说明书和权利要求书中的术语“包括”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列部件不必限于清楚地列出的那些部件，而是可包括没有清楚地列出的或对于部件固有的其它部件。
55.在本实用新型中，术语“上”、“下”、“底”、“顶”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本实用新型及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或者组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。
56.并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或者位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或者连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本实用新型中的具体含义。
57.另外，本实用新型中涉及的“第一”、“第二”等的描述，该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
58.另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
59.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。