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籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置的制作方法

2021-11-17 23:37:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种籽晶清洗用置放结构,其特征在于,包括:框架本体(1),包括至少三个侧板(3),所述至少三个侧板(3)均竖直设置,并且所述框架本体(1)为采用所述至少三个侧板(3)合围形成;多个限位凹槽(2),所述多个限位凹槽(2)均设置在所述侧板(3)的顶部,用于盛放籽晶。2.根据权利要求1所述的籽晶清洗用置放结构,其特征在于,所述框架本体(1)包括四个侧板(3),并且所述框架本体(1)采用所述四个侧板(3)合围形成的方形框架。3.根据权利要求2所述的籽晶清洗用置放结构,其特征在于,所述四个侧板(3)中相对的两个侧板(3)的高度相同。4.根据权利要求2或3所述的籽晶清洗用置放结构,其特征在于,所述四个侧板(3)中相邻的两个侧板(3)的高度不同。5.根据权利要求1所述的籽晶清洗用置放结构,其特征在于,所述限位凹槽(2)呈半圆形结构,所述限位凹槽(2)开口朝向设置。6.根据权利要求1或5所述的籽晶清洗用置放结构,其特征在于,相对设置的两个侧板(3)上的所述限位凹槽(2)的数量相同,且一一对应设置。7.一种应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置,其特征在于,包括清洗器皿(4)以及权利要求1

6任一项所述的籽晶清洗用置放结构,其中:所述清洗器皿(4)内部形成容纳腔,并且所述清洗器皿(4)的侧壁上开设有连通所述容纳腔的排出口(5);所述籽晶清洗用置放结构放置于所述容纳腔内。8.根据权利要求7所述的应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置,其特征在于,所述清洗器皿(4)为圆桶状结构,所述排出口(5)设置在所述清洗器皿(4)的底部。9.根据权利要求7所述的应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置,其特征在于,所述清洗器皿(4)的高度≥所述籽晶清洗用置放结构的高度。10.根据权利要求7所述的应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置,其特征在于,还包括管道(6),所述管道(6)外接所述排出口(5)。

技术总结
本实用新型提供了一种籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置,该籽晶清洗用置放结构包括框架本体和多个限位凹槽,框架本体包括至少三个侧板,所述至少三个侧板均竖直设置,并且所述框架本体为采用所述至少三个侧板合围形成;所述多个限位凹槽均设置在所述侧板的顶部,用于盛放籽晶。该籽晶清洗用置放结构通过在侧板的顶部侧面上设置限位凹槽,能更大限度地将籽晶全部浸润在清洗液中,清洗较为彻底;同时还起到限位作用,避免籽晶之间产生磕碰,使得籽晶清洗更加彻底、安全。安全。安全。


技术研发人员:王博 李燕 柴晨 雷同光 王宇 冯德伸 于洪国 林泉
受保护的技术使用者:有研新材料股份有限公司
技术研发日:2020.12.07
技术公布日:2021/11/16
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