提高沉积均匀性的机台及其操作方法与流程

技术特征：
1.一种提高沉积均匀性的机台，其特征在于，包含：两腔体；以及在两腔体之间的喷气孔，其中将两晶片分别送入两腔体中，其中该两晶片的缺角(notch)在分别送入该两腔体后互为180度排列。2.如权利要求1所述的机台，其中该半导体机台用来沉积材料层于该两晶片上。3.如权利要求2所述的机台，其中该喷气孔用来发出材料气体，并使该材料层分别沉积于该两晶片上。4.如权利要求1所述的机台，其中该两晶片具有相同的规格。5.一种操作机台的方法，包含：提供提高沉积均匀性的机台，该机台包含:两腔体；以及在两腔体之间的喷气孔；将两晶片分别送入两腔体中，其中该两晶片的缺角(notch)在分别送入该两腔体后互为180度排列。6.如权利要求5所述的方法，其中还包含沉积材料层分别于该两晶片上。7.如权利要求6所述的方法，其中该喷气孔用来发出材料气体，并使该材料层分别沉积于该两晶片上。8.如权利要求6所述的方法，其中在该材料层沉积于该两晶片上之后，将该两晶片从该两腔体中取出，并将该两晶片的该缺角排列成相同方向，并比对该两晶片之间的该材料层的厚度差异。9.如权利要求8所述的方法，其中该两晶片之间的该材料层的平均厚度差异在30埃以内。10.如权利要求6所述的方法，其中该沉积方法包含化学气相沉积(cvd)。11.如权利要求5所述的方法，其中该两晶片具有相同的规格。

技术总结
本发明公开一种提高沉积均匀性的机台及其操作方法，其中该提高沉积均匀性的机台包含两腔体，以及在两腔体之间的一喷气孔，其中将两晶片分别送入两腔体中，其中该两晶片的缺角(notch)在分别送入该两腔体后互为180度排列。(notch)在分别送入该两腔体后互为180度排列。(notch)在分别送入该两腔体后互为180度排列。


技术研发人员：符云飞 苏世芳 黄志坚 黄国良 谈文毅
受保护的技术使用者：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
技术研发日：2021.03.09
技术公布日：2021/11/4