用于制造掩膜组件的方法和装置及制造显示设备的方法与流程

用于制造掩膜组件的方法和装置及制造显示设备的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年5月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2020
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0053387号的优先权，其全部内容通过引用合并入本文。
技术领域
3.本公开的各实施例的各方面涉及一种用于制造掩膜组件的装置、一种制造掩膜组件的方法以及一种制造显示设备的方法。


背景技术：

4.移动电子设备被广泛使用。作为移动电子设备，除了诸如移动手机的小型电子设备之外平板个人电脑(pc)近年来已得到广泛使用。
5.移动电子设备包括用于向用户提供诸如图像或视频的视觉信息以支持各种功能的显示设备。近来，随着用于驱动显示设备的其他部件已小型化，电子设备中的显示设备也变得越来越重要，并且也开发了可弯折以在平坦状态下具有一定角度的结构。
6.另一方面，在制造显示设备的过程中，可使用通过将薄膜金属掩膜粘附至基板从而在期望的位置处沉积有机材料等的方法，并且待制造的显示设备的图像质量越高，则掩膜的对准精度需求也越高。


技术实现要素：

7.根据本公开的一个或多个实施例的方面，提供一种用于制造掩膜组件的装置，其中减少了掩膜片的变形并提高了对准精度，还提供一种制造掩膜组件的方法和制造显示设备的方法。然而，该方面仅为示例，本公开的范围不限于此。
8.另外的方面将部分地陈述在下述描述中，并且部分地将根据描述显而易见，或者可以通过实施所提出的本公开的实施例而获悉。
9.根据一个或多个实施例，用于制造掩膜组件的装置，包括：张紧部，被配置以与包括至少一个开口的掩膜框架隔开，所述张紧部被配置以沿第一方向和第二方向中的至少一个方向张紧掩膜片，所述掩膜片包括对应于所述至少一个开口的单元区域和布置在所述单元区域外的虚拟部分；按压部，被配置以对应于所述虚拟部分并沿第三方向朝向所述掩膜框架按压所述虚拟部分，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向在其中延伸的平面交叉；以及头部，被配置以朝向所述掩膜片照射激光束，以将所述掩膜片固定至所述掩膜框架。
10.所述张紧部可包括：至少一对夹持部，被配置以夹持所述虚拟部分的边缘；和移动部，沿所述第一方向或所述第二方向移动所述至少一对夹持部，以向所述掩膜片施加张力。
11.所述张紧部可进一步包括旋转体，该旋转体使所述夹持部围绕平行于所述掩膜框架的表面的旋转轴线旋转。
12.所述头部可被配置以检查所述掩膜片与所述掩膜框架之间的对准。
13.所述头部可被配置以向所述掩膜片照射激光束，以从所述掩膜片的所述单元区域切割所述虚拟部分的一部分。
14.所述按压部可包括被放置为与所述虚拟部分直接接触的至少两个辊。
15.所述至少两个辊可被布置在对应于所述单元区域的区域的相对侧，以将该区域夹在所述至少两个辊之间。
16.所述按压部可包括被配置以沿所述第三方向将压缩空气喷射至所述虚拟部分的注射孔。
17.所述按压部可包括被布置为沿所述第三方向将磁力施加至所述虚拟部分的多个磁体。
18.所述按压部可被配置以使所述掩膜片弯折，使得所述单元区域比所述虚拟部分的边缘更靠近所述掩膜框架。
19.所述按压部可被配置以使所述掩膜片的一部分弯折为圆形。
20.根据一个或多个实施例，一种制造掩膜组件的方法，包括：制备包括至少一个开口的掩膜框架；制备掩膜片，该掩膜片包括对应于所述至少一个开口的单元区域和布置在所述单元区域外的虚拟部分；张紧所述掩膜片；将所述掩膜片对准至所述掩膜框架的一侧；朝向所述掩膜框架按压所述掩膜片的所述虚拟部分；以及通过向所述虚拟部分照射激光束将所述掩膜片固定至所述掩膜框架。
21.所述方法可进一步包括在所述掩膜片的所述单元区域中形成至少两个图案孔。
22.张紧所述掩膜片可包括夹持所述虚拟部分的边缘并沿第一方向或第二方向对所述掩膜片施加张力。
23.按压所述虚拟部分可包括：通过直接对所述虚拟部分施加力朝向所述掩膜框架按压所述掩膜片；使所述虚拟部分的一部分弯折；以及使所述虚拟部分接触所述掩膜框架。
24.按压所述虚拟部分可包括：通过向所述虚拟部分喷射压缩空气朝向所述掩膜框架按压所述虚拟部分；使所述虚拟部分的一部分弯折；以及使所述虚拟部分接触所述掩膜框架。
25.按压所述虚拟部分可包括：通过向所述虚拟部分施加磁力朝向所述掩膜框架按压所述虚拟部分；使所述虚拟部分的一部分弯折；以及使所述虚拟部分接触所述掩膜框架。
26.所述方法可进一步包括使所述虚拟部分的至少一部分弯折为圆形。
27.所述方法可进一步包括通过向所述虚拟部分的一部分照射激光束而从所述掩膜片的所述单元区域切割所述虚拟部分的所述一部分。
28.根据一个或多个实施例，一种制造显示设备的方法，包括：制备掩膜组件；在腔内放置并对准基板和所述掩膜组件；以及将沉积材料从沉积源通过所述掩膜组件供应至所述基板，其中制备所述掩膜组件包括：张紧掩膜片，所述掩膜片包括单元区域和布置在所述单元区域外的虚拟部分；将所述掩膜片对准在包括至少一个开口的掩膜框架上方；朝向所述掩膜框架按压所述掩膜片的所述虚拟部分；以及通过向所述虚拟部分照射激光束，将所述掩膜片固定至所述掩膜框架。
29.这些和/或其他方面从一些实施例的以下描述、附图和权利要求书将变得明显并更易于理解。
30.这些和/或其他方面可通过使用系统、方法、计算机程序、或特定系统、方法和计算
机程序的组合来实施。
附图说明
31.根据结合附图的下述描述，本公开的特定实施例的上述和其他方面、特征和优点将更明显，在附图中：
32.图1是例示根据一实施例的掩膜组件的示意平面图；
33.图2是例示图1的掩膜组件的示意截面图；
34.图3是例示根据一实施例的掩膜片的示意平面图；
35.图4是例示根据一实施例的用于制造掩膜组件的装置的示意截面图；
36.图5是例示根据一实施例的用于制造掩膜组件的装置的一部分的示意立体图；
37.图6是例示根据一实施例的通过用于制造掩膜组件的装置制造掩膜组件的过程的一部分的示意平面图；
38.图7a至图7f是例示根据一实施例的制造掩膜组件的过程的示意截面图；
39.图8是例示根据一实施例的通过用于制造掩膜组件的装置制造掩膜组件的过程的一部分的示意截面图；
40.图9是例示根据另一实施例的通过用于制造掩膜组件的装置制造掩膜组件的过程的一部分的示意截面图；
41.图10是例示根据另一实施例的通过用于制造掩膜组件的装置制造掩膜组件的过程的一部分的示意截面图；
42.图11是例示根据一实施例的用于制造显示设备的装置的示意截面图；
43.图12是例示根据一实施例的由用于制造显示设备的装置制造的显示设备的示意平面图；并且
44.图13是例示图12的显示设备的一部分的示意截面图。
具体实施方式
45.现在将更详细参照一些实施例，其示例例示在附图中，在附图中相同的附图标记自始至终指代相同的元件。在这一点上，本实施例可具有不同的形式，并且不应被理解为限于本文所陈述的描述。因此，以下仅通过参照附图描述各实施例，以便解释本公开的各方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联列出项目的任意和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表明只有a、只有b、只有c、a和b二者、a和c二者、b和c二者、以及a、b和c的全部、或其变形。
46.以下将参照附图更详细地描述示例实施例。那些相同或对应的部件被赋予相同的附图标记，而与图号无关，并且可省略多余的解释。
47.尽管诸如“第一”、“第二”等的这种术语可用来描述各种部件，但这些部件不受上述术语限制。上述术语用于将一个部件与另一部分区分开。
48.以单数形式使用的表述包括复数表述，除非在上下文中具有明显不同的含义。
49.在本说明书中，应理解，术语“包括”、“具有”和“包含”意在表明存在说明书中所公开的特征、数字、步骤、动作、部件、部或其组合，并非意在排除可存在或可添加一个或多个其他特征、数字、步骤、动作、部件、部或其组合的可能性。
50.应理解，当一层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，其可直接或间接地形成在另一层、区域或部件上。也就是，例如，可存在一个或多个中间层、区域或部件。
51.附图中部件的尺寸为了便于解释可能夸大。换言之，因为附图中部件的尺寸和厚度为了便于解释可能被任意例示，下述实施例不限于此。
52.当特定实施例可被不同地实施时，可与所描述顺序不同地执行具体过程顺序。例如，两个连续描述的过程可基本上同时执行，或者以与所描述顺序相反的顺序执行。
53.在说明书中，措辞“a和/或b”表示a、b或、a和b。另外，措辞“a和b中的至少一个”表示a、b、或a和b。
54.在以下实施例中，当层、区域或元件等被称为被“连接”时，应理解，其可被直接连接，或者在层、区域或元件之间可存在一个或多个中间部分。例如，当层、区域或元件等被称为被“电连接”时，其可被直接电连接，或者层、区域或元件可以被间接电连接，并且可存在一个或多个中间部分。
55.x轴线、y轴线和z轴线不限于直角坐标系的三个轴线，并且可以更广泛的含义来解释。例如，x轴线、y轴线和z轴线可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。
56.除非以其他方式进行限定，本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域的普通技术人员普遍理解相同的含义。还应理解，在常用词典中定义的术语应被解释为具有与在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且不应以理想化或者过于正式的含义来理解，除非其在本文中被明确地如此定义。
57.图1是例示根据一实施例的掩膜组件ma的示意平面图；并且图2是例示图1的掩膜组件ma的示意截面图。图2可对应于沿图1的线ii
‑
ii’截取的掩膜组件ma的截面。
58.参照图1和图2，掩膜组件ma可包括掩膜框架mf和掩膜片ms。例如，掩膜组件ma可包括一个掩膜框架mf和至少一个掩膜片ms。尽管图1中的掩膜组件ma被显示为提供有总共十二个掩膜片ms，但本公开不限于此，并且用户可根据掩膜框架mf和掩膜片ms的尺寸不同地设计掩膜组件ma。
59.掩膜框架mf可在平面上具有四边形形状，但不限于此。例如，掩膜框架mf可具有各种形状中的任一种，例如多边形，例如三角形或五边形、圆形和椭圆形。然而，在本文中，为了便于描述，将描述其中掩膜框架mf具有矩形形状的情况。
60.掩膜框架mf可具有与其水平长度或竖直长度相比非常小的厚度。当掩膜框架mf的厚度过大时，在使用掩膜组件ma的沉积过程中可能会限制沉积材料经过掩膜片ms。相反，当掩膜框架mf的厚度过小时，可能难以确保用于支撑掩膜片ms的刚性。因此，考虑上述观点，掩膜框架mf可具有合适的厚度。
61.在一实施例中，掩膜框架mf可包括诸如因瓦合金、镍或镍钴的材料。因为这些材料具有低的热膨胀系数，因此可以减小因制造掩膜组件ma的过程期间的热所导致的掩膜框架mf的变形。
62.掩膜框架mf可包括至少一个开口op。因为掩膜片ms被固定至掩膜框架mf的一侧，因此位于掩膜框架mf中的开口op在图1中未显示。然而，在图2和图4中显示了开口op。开口op例如可在平面上具有四边形形状，或者可具有各种形状中的任一种，例如多边形，例如三角形或五边形、圆形和椭圆形。然而，在本文中，为了便于描述，将描述其中开口op具有四边
形形状的情况。
63.在掩膜框架mf中形成多个开口op时，掩膜框架mf可具有网格结构，例如窗框或筛网。在一实施例中，开口op可具有相同面积。在一实施例中，开口op可等间隔布置。
64.沿掩膜框架mf的厚度方向截取的截面可具有四边形形状，例如矩形、菱形或平行四边形，并且四边形形状的拐角可为圆形。
65.掩膜框架mf可支撑掩膜片ms，这将在下文中进行描述。
66.掩膜片ms可在平面上具有四边形形状，但不限于此。例如，掩膜片ms可具有各种形状中的任一种，例如多边形，例如三角形或五边形、圆形和椭圆形。然而，在本文中，为了便于描述，将描述其中掩膜片ms具有四边形形状的情况。
67.在一实施例中，一个掩膜片ms可布置在掩膜框架mf的一个开口op中。在此情况下，掩膜片ms可遮蔽掩膜框架mf的开口op。在张紧状态下的掩膜片ms可被固定至掩膜框架mf。例如，掩膜片ms可通过焊接固定至掩膜框架mf。在此情况下，可沿着掩膜片ms的边缘执行焊接，并因此，掩膜片ms可通过焊点w固定至掩膜框架mf。
68.在一个掩膜片ms中，可提供对应于掩膜框架mf的一个开口op的一个单元区域ca。一个单元区域ca可对应于一个显示设备。在单元区域ca中可形成至少一个图案孔ph。图案孔ph可以是在掩膜片ms的厚度方向上穿透的孔，从而沉积材料可从中穿过。也就是，沉积材料可通过掩膜框架mf的开口op和掩膜片ms的图案孔ph沉积在物体(例如，基板等)上。
69.在一实施例中，图案孔ph可在平面上具有矩形或正方形形状，但可具有各种形状中的任一种，例如圆形、椭圆形和例如三角形的多边形。在一实施例中，当提供多个图案孔ph时，图案孔ph在平面上的面积可以相同。
70.在一实施例中，掩膜片ms可包括具有的热膨胀系数与掩膜框架mf的热膨胀系数相同或相似的诸如因瓦合金、镍和镍钴的材料。
71.作为比较示例，掩膜片ms可具有棒型或板型，并且在一个棒或板上可提供多个单元区域。在此情况下，随着待制造的显示设备的尺寸增大，对应于显示设备的掩膜片的一个单元区域也可增大。随着一个单元区域的尺寸增大，包括多个单元区域的掩膜片可能会变得非常大。因为掩膜片具有非常小的厚度，因此掩膜片的尺寸越大，则其可能更容易因负载而翘曲或下垂。为了减少该现象，掩膜片可被张紧并固定至掩膜框架。然而，在此情况下，随着掩膜片的尺寸增大，需要更大的张力，并且由于下垂和翘曲可能难以确保精度。另外，因为在一个掩膜片中存在多个单元区域，可能会花费相当多的处理时间来测量所有单元区域的对准程度并执行掩膜片的张紧和对准。另外，当在一个单元区域中出现缺陷时，可能出现维修或丢弃整个掩膜片的问题。
72.然而，在根据本公开的一个或多个实施例的掩膜片ms的情况下，因为在一个掩膜片ms中提供一个单元区域ca，因此一个掩膜片ms的水平或竖直长度可能相对短。也就是说，能够减小掩膜片ms的尺寸和重量。在一实施例中，一个单元区域ca可对应于掩膜框架mf的一个开口op，并可由掩膜框架mf支撑。因此，可以减少由于掩膜片ms的负载导致的下垂和翘曲。另外，用于张紧一个掩膜片ms的张力也可相对小。如此，可减少掩膜片ms的变形程度，并可提高掩膜片ms的图案孔ph的像素位置精度(ppa)。
73.另外，因为显著减少了执行一个掩膜片ms的张紧和对准所需的处理时间，即使制造包括相同单元区域ca的掩膜组件ma，处理时间也可能少于比较示例的处理时间。如此，可
提高掩膜组件ma的成品率。
74.另外，即使在一个单元区域ca中形成的图案孔ph中出现缺陷，仅一个掩膜片ms需要维修或丢弃，并因此，制造掩膜组件ma的过程可能是高效的。
75.图3是例示根据一实施例的掩膜片ms的示意平面图。
76.参照图3，掩膜片ms如上所述可包括单元区域ca和布置在单元区域ca中的图案孔ph。此外，掩膜片ms可包括布置在单元区域ca外的虚拟部分dp。虚拟部分dp可被限定为在掩膜片ms中的除单元区域ca之外的区域。
77.虚拟部分dp可包括在单元区域ca外与单元区域ca相邻的固定区域dp1、沿着掩膜片ms的边缘位于最外侧的夹持区域dp3、以及在固定区域dp1与夹持区域dp3之间的按压区域dp2。
78.夹持区域dp3可以是掩膜片ms在其中由张紧部100(见图4)夹持的区域，如下文中参照图4所述。因此，夹持区域dp3位于掩膜片ms的最外侧，以便由张紧部100夹持，并且可为夹持区域dp3提供足够的面积。例如，夹持区域dp3可沿着相对于彼此定位且单元区域ca位于其间的两个边缘布置。作为示例，夹持区域dp3可沿着掩膜片ms的四个边缘布置。
79.按压区域dp2可布置在夹持区域dp3内。如下文中参照图4所述，按压区域dp2可以是接收由按压部200(见图4)朝向掩膜框架mf的方向上的力的区域。因此，掩膜片ms的弯折可基本上出现在按压区域dp2中。
80.固定区域dp1可以是用于将掩膜片ms固定至掩膜框架mf的区域。例如，在固定区域dp1中可执行用于将掩膜片ms固定至掩膜框架mf的焊接，并因此，焊点可布置在固定区域dp1中。当掩膜片ms被固定至掩膜框架mf时，固定区域dp1可定位为与掩膜片ms的单元区域ca相邻，从而防止或基本上防止掩膜片ms翘曲或弯折。
81.图4是例示根据一实施例的用于制造掩膜组件的装置10(在本文中，被称为掩膜组件制造装置)的示意截面图。
82.参照图4，掩膜组件制造装置10可包括张紧部100、按压部200和头部300。
83.张紧部100可与掩膜框架mf隔开。例如，张紧部100可布置在掩膜框架mf上方。在此情况下，掩膜片ms可支撑在掩膜框架mf的上侧。作为另一示例，张紧部100可布置在掩膜框架mf下方。在此情况下，掩膜片ms可支撑在掩膜框架mf的下侧。在本文中，为了便于描述，将描述其中张紧部100布置在掩膜框架mf上方的情况。
84.张紧部100可沿第一方向dr1和第二方向dr2中的至少一个方向张紧掩膜片ms。第一方向dr1和第二方向dr2可彼此交叉。例如，第一方向dr1和第二方向dr2彼此交叉的角度可为直角或锐角。例如，当掩膜片ms将在分别垂直于在平面上具有矩形形状的掩膜片ms的四个边缘的方向上被张紧时，第一方向dr1和第二方向dr2可形成直角。作为另一示例，当掩膜片ms将在从掩膜片ms的中心朝向掩膜片ms的四个顶点的方向上被张紧时，第一方向dr1和第二方向dr2彼此交叉的角度可为锐角。在本文中，为了便于描述，将描述其中第一方向dr1和第二方向dr2形成直角并且掩膜片ms在分别垂直于掩膜片ms的四个边缘的方向上被张紧的情况。
85.张紧部100可包括夹持掩膜片ms的夹持部110。作为示例，张紧部100可包括夹持掩膜片ms的虚拟部分dp的相对边缘二者的至少一对夹持部110。掩膜片ms可位于一对夹持部110之间。
86.此外，张紧部100可包括沿第一方向dr1或第二方向dr2移动夹持部110的移动部120。移动部120可通过在彼此远离的方向上移动夹持掩膜片ms的夹持部110而对掩膜片ms施加张力，并因此，掩膜片ms可沿第一方向dr1和/或第二方向dr2被张紧。移动部120可包括线性驱动器(未显示)，例如气压缸、液压缸、线性电机或具有齿条齿轮的电机。
87.在一实施例中，张紧部100可包括使夹持部110围绕平行于掩膜框架mf的平面的旋转轴线r旋转的旋转体130。旋转体130可包括旋转驱动器(未显示)，例如伺服电机、气动电机、旋转缸、具有v型带的电机等。
88.按压部200可与掩膜框架mf隔开。例如，按压部120可布置在掩膜框架mf上方并与其隔开。按压部200可沿第三方向dr3移动，第三方向dr3与张紧掩膜片ms沿其被张紧的第一方向dr1和第二方向dr2在其中延伸的平面交叉，并且按压部200可沿第三方向dr3对掩膜片ms施加力。例如，按压部200可布置在掩膜框架mf和掩膜片ms上方，并可沿垂直于掩膜片ms放置于其上的平面的方向上下移动。按压部200可朝向掩膜片ms向下施加力。
89.当按压部200沿第三方向dr3移动时，按压部200可经过面向彼此的一对张紧部100之间。为此，按压部200在第一方向dr1或第二方向dr2上的长度可小于面向彼此的一对张紧部100之间的距离。
90.在一实施例中，按压部200可包括被放置为与掩膜片ms接触的至少两个辊210。以下将参照图5更详细地描述按压部200的形状。
91.头部300可布置在按压部200上方，并可布置在掩膜框架mf的相对侧上，以将按压部200夹在其间。在一实施例中，头部300可包括照射激光束的激光单元310和对掩膜片ms的对准状态进行拍照并感测的感测单元320。
92.头部300可通过朝向掩膜片ms照射激光束将掩膜片ms固定至掩膜框架mf。例如，头部300可通过照射焊接激光束焊接掩膜片ms和掩膜框架mf。在一实施例中，头部300可通过朝向掩膜片ms照射激光束切割掩膜片ms。例如，头部300可通过照射切割激光束激光切割掩膜片ms的一部分。在一实施例中，激光单元310可通过改变激光条件来发射激光束，由此发射焊接激光束和切割激光束二者。
93.头部300可通过感测单元320对掩膜片ms的图案孔ph的对准状态进行拍照和感测。基于此，通过精细调节夹持掩膜片ms的张紧部100的位置，可将掩膜片ms对准至期望位置。
94.在一实施例中，张紧部100、按压部200和头部300可彼此互锁，并可在掩膜框架mf的一侧上一起移动。例如，张紧部100、按压部200和头部300可在掩膜框架mf上沿第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3一起移动。在图4中，掩膜框架mf被显示为具有一个开口op。然而，掩膜框架mf可包括多个开口op，并且在此情况下，张紧部100、按压部200和头部300可一起移动，以将掩膜片ms定位在对应的开口op上。在一实施例中，按压部200在张紧部100和头部300静止的同时相对于张紧部100和头部300能够执行相对运动。
95.图5是例示根据一实施例的用于制造掩膜组件的装置的一部分的示意立体图。图5显示根据一实施例的用于制造掩膜组件的装置的按压部200。
96.参照图5，在一实施例中，按压部200在平面上具有四边形形状，但不限于此。在一实施例中，按压部200可具有与掩膜片ms(见图3)的形状相对应的形状，并且可具有各种形状中的任一种，例如圆形、椭圆形和例如三角形的多边形。在一实施例中，当按压部200具有多边形形状时，按压部200的每个拐角可被倒角或倒圆。按压部200的平面形状的面积可小
于包括单元区域ca(见图3)和虚拟部分dp(见图3)的掩膜片ms的面积。
97.按压部200可包括布置在其中心处的贯穿部分200th。贯穿部分200th可对应于掩膜片ms的单元区域ca(见图3)和虚拟部分dp的固定区域dp1(见图3)。贯穿部分200th可以是被形成为允许头部300(见图4)的激光束穿过的贯穿空间。从头部300发出的激光束可穿过贯穿部分200th以到达掩膜片ms。在一实施例中，贯穿部分200th可在平面上具有四边形形状，或者可具有对应于按压部200(见图4)的形状的各种形状中的任一种。
98.至少两个辊210可布置在按压部200的面向掩膜片ms的表面上。例如，当两个辊210布置在具有四边形形状的按压部200中时，两个辊210可布置在按压部200的相对边缘处，以将贯穿部分200th置于其间。如此，多个辊210可被布置在贯穿部分200th(对应于单元区域ca的区域)的相对侧以将贯穿部分200th置于(或夹在)其间。在此情况下，辊210的纵向方向可与掩膜片ms的张紧方向交叉。作为另一示例，当四个辊210布置在具有四边形形状的按压部200中时，四个辊210可布置在按压部200的四个边缘。在本文中，为了便于描述，将描述其中提供了四个辊210的情况。
99.每个辊210在垂直于辊210的纵向方向的方向上的截面可具有圆形形状。例如，辊210的截面可具有大约1mm至大约20mm的直径，并且在一实施例中，可具有大约2mm至大约3mm的直径。辊210的长度可相对长于辊210的截面的直径，并且可等于或小于按压部200的侧部的长度。
100.辊210可直接接触掩膜片ms的虚拟部分dp。虚拟部分dp直接接触辊210的区域可被定义为按压区域dp2。因为辊210直接接触掩膜片ms，所以辊210可包括诸如橡胶或聚氨酯的柔性材料，以不会损坏掩膜片ms。在一实施例中，辊210可包括包含金属材料的轴以确保刚性，并且包括如上所述的柔性材料的接触部分可布置在轴的表面上。
101.在一实施例中，按压部200的辊210可倾斜。如下文所述辊210可直接接触掩膜片ms并可直接按压掩膜片ms。在此情况下，为了均匀地按压具有非常小厚度的掩膜片ms，辊210的表面可能需要良好的直线度。然而，当制造辊210时可能会出现直线度公差，并且辊210可细微倾斜以补偿公差。图5中的附图标记α可指示辊210倾斜的角度。角度α可为0
°
至90
°
。
102.图6是例示根据一实施例的通过用于制造掩膜组件的装置制造掩膜组件的过程的一部分的示意平面图。
103.图6显示了掩膜框架mf包括十二个开口op，三个掩膜片ms分别固定至与其对应的十二个开口op中的三个，并且第四个掩膜片ms对应于开口op的状态。然而，掩膜框架mf中的开口op的数量和固定掩膜片ms的次序仅为示例，并不限于此。
104.张紧部100可布置在张紧部框架100f中。张紧部框架100f可包括在其中心处的框架开口100op，并且张紧部100可沿着框架开口100op的内侧布置。张紧部100可在框架开口100op内夹持并张紧掩膜片ms。张紧部100可成对，并且一对张紧部100可面向彼此。尽管图6例示了其中提供八个张紧部100的示例，本公开不限于此，并且可提供至少两个张紧部100。
105.在一实施例中，框架开口100op的平面形状可对应于掩膜片ms的形状。例如，当掩膜片ms为矩形时，框架开口100op的平面形状也可为矩形。框架开口100op的面积可大于掩膜框架mf的开口op的面积以及包括单元区域ca和虚拟部分dp的掩膜片ms的面积。在此情况下，面积可表示在作为掩膜片ms的拉伸方向的第一方向dr1和第二方向dr2在其中延伸的平面上的面积。
106.框架开口100op可以是按压部200和从头部300发射的激光束可穿过的贯穿区域。因此，框架开口100op的面积可大于由按压部200在平面上所占据的面积。
107.在面向彼此的张紧部100夹持掩膜片ms之后，张紧部框架100f可进入掩膜框架mf上方的区域，并将掩膜片ms布置为对应于开口op。张紧部框架100f可沿第一方向dr1和第二方向dr2移动，这可由框架移动部(未显示)执行。在一实施例中，框架移动部(未显示)可包括用于引导张紧部框架100f移动的导向部或轨道、以及诸如气压缸、线性电机的线性驱动器、具有v型带的电动机和具有齿条齿轮的电动机的组合。
108.根据一实施例的张紧部100进入掩膜框架mf的区域，以夹持掩膜片ms并然后将其布置为对应于开口op。为此，张紧部100可布置在掩膜片ms上方并在掩膜片ms上方的区域中移动。
109.在本文中，将描述其中掩膜片ms对应于开口op并固定至掩膜框架mf的过程。
110.图7a至图7f是例示根据一实施例的制造掩膜组件的过程的示意截面图。可省略与上文参照图4描述的掩膜组件制造装置相同或相似的构造的描述，并且以下描述将主要关注不同之处。
111.参照图7a，可制备具有至少一个开口op的掩膜框架mf。在一实施例中，可利用光致抗蚀剂或激光加工通过蚀刻形成掩膜框架mf中的开口op。
112.此外，可制备包括对应于开口op的单元区域ca和布置在单元区域ca外的虚拟部分dp的掩膜片ms。掩膜片ms可包括布置在单元区域ca中的图案孔ph。在一实施例中，图案孔ph也可利用光致抗蚀剂或激光加工通过蚀刻来形成。
113.夹持部110可被定位成面向彼此。在夹持部110夹持掩膜片ms的两侧之后，移动部120可通过在彼此远离的方向上移动夹持部110而对掩膜片ms施加张力。如此，通过允许掩膜片ms在平坦状态下布置在掩膜框架mf上而没有由于负载导致的下垂或翘曲，可以提高对准精度。
114.随后，掩膜片ms可在掩膜框架mf的一侧上对准。张紧部100可进入掩膜框架mf上方的区域，并可在掩膜框架mf上对准掩膜片ms，使得开口op和掩膜片ms的单元区域ca彼此对应。在此情况下，头部300的感测单元320可对掩膜片ms的对准状态进行拍照和感测，并可通过使用所拍照和感测的对准状态执行掩膜片ms的精细对准，由此提高对准精度。
115.参照图7b，当掩膜片ms被张紧并且在掩膜框架mf上对准时，按压部200可沿第三方向dr3朝向掩膜片ms移动。按压部200可直接接触掩膜片ms并在朝向掩膜框架mf的方向上在掩膜片ms上施加力。例如，按压部200的辊210可接触掩膜片ms的虚拟部分dp并对掩膜片ms直接施加力。
116.参照图7c，已接收来自按压部200的力的掩膜片ms的一部分可弯折。结果，掩膜片ms可弯折使得掩膜片ms的单元区域ca比由夹持部110夹持的虚拟部分dp的边缘更靠近掩膜框架mf。掩膜片ms的单元区域ca可沿第三方向dr3从掩膜片ms弯折之前的位置下降至掩膜片ms弯折之后的位置。直接接收由辊210施加的力的虚拟部分dp的一部分可沿着辊210的表面弯折。因此，虚拟部分dp的弯折部分可为圆形或曲形。
117.按压部200可使掩膜片ms弯折，直至掩膜片ms的一部分接触掩膜框架mf。在此情况下，接触掩膜框架mf的部分可基本上是掩膜片ms的虚拟部分dp的按压区域dp2。
118.根据一实施例，通过控制按压部200在第三方向dr3上的可动范围，可调节掩膜片
ms的弯折程度和单元区域ca的下降程度。弯折程度可表示掩膜片ms弯折的角度，并且下降程度可表示单元区域ca的位置在弯折前后的差异。根据一实施例，因为提供了用于张紧掩膜片ms的张紧部100和分离的按压部200，可以容易地增大按压部200的可动范围，并因此，可以容易地增大掩膜片ms的弯折程度和单元区域ca的下降程度。另外，因为力由按压部200直接施加到掩膜片ms，因此掩膜片ms接触掩膜框架mf，可提高掩膜片ms与掩膜框架mf之间的粘附性。如此，可以提高掩膜组件ma的制造质量。
119.作为比较示例，当掩膜片ms尖锐地弯折时，应力可能会集中，并因此掩膜片ms可能会损坏。另外，发生超过掩膜片ms的弹性变形的塑形变形的可能性增大，结果掩膜片ms难以在平坦状态下固定至掩膜框架mf。然而，根据一实施例，因为掩膜片ms的虚拟部分dp沿着辊210的表面被弯折为圆形，可以减轻应力集中，并且可以减少损坏掩膜片ms的可能性。另外，可以减少掩膜片ms的塑形变形的可能性，并且张力可充分地施加到掩膜片ms，并且掩膜片ms可在平坦状态下固定至掩膜框架mf而没有下垂或翘曲。如此，可以制造具有提高对准精度的高质量掩膜组件ma。
120.参照图7d，在掩膜片ms接触掩膜框架mf的状态下，头部300可向掩膜片ms的一部分发射激光束并固定掩膜框架mf和掩膜片ms。例如，可通过将激光束照射到掩膜片ms的虚拟部分dp的固定区域dp1上执行激光焊接。可在照射有激光束的区域中形成焊点w，并因此掩膜片ms可固定至掩膜框架mf。在一实施例中，可重复执行激光束的照射，并且可形成多个焊点w。焊点w可以是圆点或斑点的形式，并且可以是线的形式，而不限于点。
121.因此，掩膜片ms可在接收张力的状态下固定至掩膜框架mf。因此，掩膜片ms可在平坦状态下布置在掩膜框架mf上，而没有因其自身负载导致的下垂或翘曲。
122.参照图7e，当完成掩膜片ms的固定时，按压部200可沿第三方向dr3返回至远离掩膜框架mf的初始位置。
123.参照图7f，头部300可通过对掩膜片ms照射激光束在单元区域ca周围切割掩膜片ms。例如，头部300可通过对掩膜片ms照射切割激光束在单元区域ca周围切割掩膜片ms。在图7f中，切割部分由附图标记t表示。在此情况下，照射切割激光束的位置可以在焊点w所位于的部分外。为此，头部300的激光单元310的位置可从执行焊接的位置向外调节。通过切割掩膜片ms的一部分，虚拟部分dp的一部分可与单元区域ca分离。结果，只有掩膜片ms的单元区域ca和固定区域dp1可以留在掩膜框架mf中。
124.通过上述过程，在掩膜框架mf上对准的掩膜片ms可在张紧状态下被固定。通过重复执行这些过程，可以制造掩膜组件ma。
125.图8是例示根据一实施例的通过用于制造掩膜组件的装置制造掩膜组件的过程的一部分的示意截面图。可省略与上文参照图4描述的掩膜组件制造装置相同或相似的构造的描述，并且以下描述将主要关注不同之处。
126.张紧部100可包括使夹持部110围绕平行于掩膜框架mf的平面的旋转轴线r旋转的旋转体130。旋转轴线r例如可与掩膜片ms的拉伸方向交叉，并且可与掩膜片ms的拉伸方向垂直交叉。面向彼此的张紧部100的旋转轴线r可彼此平行。
127.如上文参照图4所述，旋转体130可包括旋转驱动器(未显示)，例如伺服电机、气动电机、旋转缸、具有v型带的电机等，并因此可使夹持部110旋转第一角度θ。旋转方向可以是夹持部110朝向掩膜框架mf旋转的方向。第一角度θ可以是0
°
至90
°
。
128.当按压部200通过对掩膜片ms施加力使掩膜片ms弯折时，旋转体130可相应地旋转。当由按压部200对掩膜片ms施加力时，由夹持部110夹持的掩膜片ms的一部分可弯折。在弯折部分中可能会出现塑形变形，并且在最坏的情况下，掩膜片ms可能不期望地断裂。因此，旋转体130可以防止或减少掩膜片ms的不期望的断裂。
129.图9是例示根据另一实施例的通过用于制造掩膜组件的装置制造掩膜组件的过程的一部分的示意截面图。可省略与上文参照图4描述的掩膜组件制造装置相同或相似的构造的描述，并且以下描述将主要关注不同之处。
130.参照图9，在一实施例中，在按压部200的面向掩膜片ms的表面上可提供至少两个注射孔，即，多个注射孔220。多个注射孔220可沿着按压部220的边缘布置。多个注射孔220可被布置为对应于虚拟部分dp的按压区域dp2。
131.每个注射孔220可朝向掩膜片ms喷射压缩空气。例如，注射孔220可通过对掩膜片ms的虚拟部分dp的按压区域dp2喷射压缩空气使掩膜片ms的一部分弯折。
132.尽管掩膜片ms包括金属材料，但掩膜片ms为薄膜，其具有的厚度与其长度相比非常小，并因此，使用压缩空气可以使掩膜片ms的一部分充分弯折。压缩空气可以集中地注射到待弯折的部分中，但压缩空气可以在到达该部分之后分散在该部分周围。在此情况下，最大压力可施加到待弯折的部分，并且连续减少的压力可施加到该部分周围的区域。如此，掩膜片ms的一部分可被弯折为圆形。因此，如上所述，可减少弯折部分中的应力集中，并且可减少损坏掩膜片ms的可能性。
133.另外，通过以非接触方式弯折掩膜片ms，可以减少施加到掩膜片ms的物理碰撞并减少损坏掩膜片ms的可能性。另外，因为按压部200不需要沿第三方向dr3下降直到掩膜片ms接触掩膜框架mf，因此可减少按压部200的可动范围。
134.图10是例示根据另一实施例的通过用于制造掩膜组件的装置制造掩膜组件的过程的一部分的示意截面图。可省略与上文参照图4描述的掩膜组件制造装置相同或相似的构造的描述，并且以下描述将主要关注不同之处。
135.参照图10，按压部200可包括多个磁体230。磁体230可嵌入在按压部200中或布置在按压部200的外表面上。在本文中，为了便于描述，将描述其中磁体230嵌入在按压部200中的情况。磁体230可被布置为对应于掩膜片ms的虚拟部分dp。磁体230可以是永磁体或电磁体。
136.通过适当地布置多个磁体230，按压部200可在第三方向dr3上对掩膜片ms施加磁力。例如，一对磁体230可布置为其间具有中心线cl，并且该对磁体230的磁极的方向可彼此相反。在此情况下，向上的磁力可施加到虚拟部分dp的对应于磁体230位置的一部分，并且向下的磁力可施加到虚拟部分dp的对应于中心线cl的另一部分。相反方向的磁力可施加到虚拟部分dp的一部分和另一部分，并因此虚拟部分dp可弯折。在一实施例中，铁磁材料等可沿着按压部200的贯穿部分200th的内表面布置，并屏蔽掉磁力，从而防止或基本上防止磁力施加到虚拟部分dp之外的单元区域ca。
137.作为另一示例，每个磁体230可包括铁磁材料，并且掩膜片ms的虚拟部分dp可包括反磁材料。在此情况下，虚拟部分dp可在远离磁体230的方向上接收磁力。然而，因为虚拟部分dp的至少两个侧边缘由夹持部110固定，因此虚拟部分dp可在端部中弯折。
138.图11是例示根据一实施例的用于制造显示设备的装置20(在本文中，被称为显示
设备制造装置)的示意截面图。
139.参照图11，可通过显示设备制造装置20制造显示设备30(见图12)。
140.在一实施例中，显示设备制造装置20可包括腔21、掩膜组件ma、第一支撑件23、第二支撑件24、沉积源25、磁力发生器26、视觉部分27和压力控制器28。
141.腔21可具有形成于其中的空间，并且腔21的一部分可以是开放的。在此情况下，闸阀22可被布置为在腔21的开放部分中打开和闭合。
142.掩膜组件ma可被选择性地布置在腔21内。在此情况下，掩膜组件ma可包括掩膜框架mf和掩膜片ms。掩膜片ms可在张紧状态下固定至掩膜框架mf。掩膜片ms可包括至少一个图案孔ph。
143.显示基板d可坐落于第一支撑件23上。在此情况下，第一支撑件23可调节显示基板d的位置。例如，第一支撑件23可包括uvw台。
144.掩膜组件ma可坐落于第二支撑件24上。在此情况下，类似于第一支撑件23，第二支撑件24可调节掩膜组件ma的位置。
145.第一支撑件23和第二支撑件24中的至少一个可在腔21内升高和/或降低。在此情况下，第一支撑件23和第二支撑件24中的至少一个可调节显示基板d与掩膜框架mf之间的距离。
146.在一实施例中，沉积源25可通过在接收到沉积材料之后使沉积材料蒸发或升华而将沉积材料供应至腔21。在此情况下，沉积源25可在其中包括加热器，并且可通过加热器的操作加热沉积源25中的沉积材料使沉积材料融化或升华。在此情况下，沉积源25可布置在腔21的中心或边缘。
147.磁力发生器26可布置在腔21中，并使掩膜组件ma与显示基板d紧密接触。在此情况下，磁力发生器26可包括产生磁力的电磁体或永磁体。
148.视觉部分27可布置在腔21中，以对掩膜组件ma和显示基板d的位置进行拍照。在此情况下，视觉部分27可对掩膜组件ma和显示基板d中的至少一个的对准标记等进行拍照。
149.压力控制器28可连接到腔21，以调节腔21内的压力。在一实施例中，压力传感器28可包括连接到腔21的连接管28a和布置在连接管28a中的泵28b。
150.关于显示设备制造装置20的操作，闸阀22可在压力控制器28将腔21内的压力保持为等于或类似于大气压力的状态下打开，然后显示基板d和掩膜组件ma可插入到腔21中。在此情况下，显示基板d和掩膜组件ma中的至少一个可通过布置在腔21外的分离的机械臂或者插入在腔21中或从腔21缩回的穿梭部而移动。在此情况下，显示基板d可处于其中例如形成有如图13所示的像素限定层39、像素电极38a和布置在像素限定层39下面的层的状态。
151.在掩膜框架mf和显示基板d分别布置在第二支撑件24和第一支撑件23上之后，掩膜框架mf和显示基板d的位置可由视觉部分27检测并对准。随后，显示基板d和掩膜框架mf可彼此靠近，然后掩膜框架mf和显示基板d可通过磁力发生器26彼此紧密接触。
152.当从沉积源25释放沉积材料时，沉积材料可通过掩膜片ms的图案孔ph沉积在显示基板d上以形成图案。在此情况下，沉积材料可沉积在显示基板d上，从而例如形成中间层(例如，图13中的中间层38b)或构成中间层的至少一个子层。
153.当完成上述过程时，显示基板d可从腔21中取出或移动至腔21的另一位置以在显示基板d上形成另一层。
154.图12是例示根据一实施例的由显示设备制造装置制造的显示设备30的示意平面图。
155.参照图12，显示设备30可包括显示区域da和位于显示区域da外的周围区域sa。显示设备30可通过二维布置在显示区域da中的像素px阵列提供图像。周围区域sa是不提供图像的区域，并且可完全或部分地围绕显示区域da。在周围区域sa中可布置用于向像素px提供电信号或电力的驱动器等。在周围区域sa中，可布置有焊盘，该焊盘是电子设备或印刷电路板可与其电连接的区域。
156.图13是例示图12的显示设备30的一部分的示意截面图。图13可对应于沿图12的线a
‑
a’截取的显示设备30的截面。
157.参照图13，在一实施例中，显示设备30可包括显示基板d、中间层38b、对电极38c和封装层。在一实施例中，显示基板d可包括基板31、缓冲层32、薄膜晶体管tft、平坦化层37、像素电极38a和像素限定层39。另外，封装层可包括可与基板31相同或类似的封装基板(未显示)，或薄膜封装层e。当封装层包括封装基板时，密封构件(未显示)可布置在基板31与封装基板之间。然而，在本文中，为了便于描述，将给出描述关注其中封装层包括薄膜封装层e的情况。
158.在一实施例中，基板31可具有多层结构，该多层结构包括包含聚合物树脂的基层以及无机层。例如，基板31可包括包含聚合物树脂的基层和由无机绝缘材层构成的遮挡层。
159.缓冲层32可布置在基板31上。缓冲层32可减少或阻挡异物、水分或外部空气从基板31下部的渗透，并可在基板31上提供平坦表面。缓冲层32可包括例如二氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并可具有包括上述材料的单层或多层结构。
160.在缓冲层32上形成以特定图案布置的活性层33之后，活性层33可由栅绝缘层34覆盖。活性层33可包括源区33c和漏区33a，并可进一步包括源区33c与漏区33a之间的沟道区33b。
161.活性层33可包括各种材料中的任一种。例如，活性层33可包括例如非晶硅或晶体硅的无机半导体材料。作为另一示例，活性层33可包括氧化物半导体。作为另一示例，活性层33可包括有机半导体材料。然而，在本文中，为了便于描述，将更详细地主要描述其中活性层33包括非晶硅的情况。
162.在一实施例中，通过在缓冲层32上形成非晶硅、使非晶硅结晶以形成多晶硅膜，并且使多晶硅膜图案化，可形成活性层33。在活性层33中，根据薄膜晶体管tft的类型(例如驱动薄膜晶体管或开关薄膜晶体管)，源区33c和漏区33a可掺有杂质。
163.在栅绝缘层34的上表面上可形成对应于活性层33的栅电极35和覆盖栅电极35的层间绝缘层36。
164.然后，在层间绝缘层36和栅绝缘层34中形成接触孔h1之后，可在层间绝缘层36上形成源电极37b和漏电极37a，以分别接触源区33c和漏区33a。
165.在如上所述形成的薄膜晶体管tft上可形成平坦化层37，并且在平坦化层37上可形成有机发光二极管(oled)38的像素电极38a。像素电极38a可通过形成在平坦化层37中的导通孔h2接触薄膜晶体管tft的漏电极37a。平坦化层37可包括无机材料和/或有机材料，并且可包括单层或两层或更多层。平坦化层37可被形成为平坦化膜，使得其上表面是平坦的，而与下层膜的不规则无关。另一方面，平坦化层37可被形成为使得沿着下层膜的不规则形
成不规则。在一实施例中，平坦化层37可包括透明绝缘体以实现共振效应。
166.在平坦化层37上形成像素电极38a之后，像素限定层39可被形成为覆盖像素电极38a和平坦化层37的至少一部分，并且在像素限定层39中可形成开口以暴露像素电极38a。另外，在像素电极38a上可形成中间层38b和对电极38c。
167.在一实施例中，像素电极38a用作阳极电极，并且对电极38c用作阴极电极。然而，像素电极38a的极性和对电极38c的极性可颠倒。
168.像素电极38a和对电极38c通过中间层38b彼此绝缘，并且对中间层38b施加不同极性的电压，使得光从有机发射层发射。
169.中间层38b可包括有机发射层。作为另一可替代示例，中间层38b包括有机发射层，并可进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。本实施例不限于此，并且中间层38b可包括有机发射层，并可进一步包括各种其他功能层(未显示)。
170.在一实施例中，薄膜封装层e可包括多个无机层，或者可包括无机层和有机层。
171.在一实施例中，薄膜封装层e的有机层可包括聚合物基材料。聚合物基材料的示例可包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。例如，有机层可包括丙烯酸树脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸。可通过固化单体或涂覆聚合物形成有机层。
172.薄膜封装层e的无机层可包括无机绝缘材料。在一实施例中，无机绝缘材料可包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
173.在一实施例中，薄膜封装层e的暴露至外部的顶层可包括无机层，从而防止或基本上防止水分渗透到oled。
174.在一实施例中，薄膜封装层e可包括其中至少一个有机层在至少两个无机层之间的至少一个夹层结构。作为另一示例，薄膜封装层e可包括其中至少一个无机层在至少两个有机层之间的至少一个夹层结构。作为另一示例，薄膜封装层e可包括其中至少一个有机层在至少两个无机层之间的夹层结构和其中至少一个无机层在至少两个有机层之间的夹层结构。
175.在一实施例中，薄膜封装层e自oled的顶部按顺序可包括第一无机层、第一有机层和第二无机层。作为另一示例，薄膜封装层e自oled的顶部按顺序可包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
176.通过使用根据本公开一个或多个实施例的显示设备制造装置20，位于显示设备30的显示区域da的整个表面上的金属层、有机层或无机层可形成在精确位置。例如，对电极38c和薄膜封装层e可通过使用显示设备制造装置20形成在精确位置。如此，可制造具有均匀质量的显示设备30。
177.根据如上所述的一个或多个实施例，可以实施用于制造掩膜组件的装置、制造掩膜组件的方法和制造显示设备的方法，其可最小化掩膜片的尺寸，减少掩膜片的变形，提高掩膜对准精度，并缩短制造掩膜组件所需的过程时间。然而，本公开的范围不受这些方面和效果限制。
178.应理解，本文所述的实施例应以描述性含义考虑，并非为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由以
下权利要求书陈述的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。