量子点发光二极管及其制备方法与流程

1.本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。


背景技术：

2.量子点电致发光显示技术，由于其波长可调，色彩饱和度高，材料稳定性高，和制备成本低廉等优点，成为了下一代显示技术的最佳候选者。经过了将近二十几年的发展，量子点发光二极管的外量子效率已经由0.01％提升至超过20％，从器件效率方面，量子点发光二极管(qled)已经相当接近有机发光二极管(oled)。然而，尽管量子点器件拥有上述的优势，目前器件的性能仍未完全达到产业化的要求，特别是对于蓝色qled器件来说。
3.目前qled的器件结构与oled相似，通过空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等构成类似p-i-n结的三明治结构，通过平衡电子和空穴的注入，达到发光的效果。由于蓝色量子点的带隙较红绿色量子点带隙宽，电子空穴更加难以注入，启动电压进一步增大，界面电荷积累更加严重，对器件的寿命和效率造成了很大影响。特别是当电子传输层材料为氧化锌时，氧化锌和量子点界面间存在电荷转移现象且量子点对电子束缚能力低于对空穴的束缚，导致氧化锌和量子点界面出的严重的电荷转移现象，而且伴随着蓝色量子点的导带能级的提高，这种电荷转移更加严重。界面间的激发电子的转移不仅导致了界面处的电荷积累，而且极大提高了非辐射俄歇复合的概率，严重影响了器件的发光效率和使用寿命。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有的量子点发光二极管中，电子传输层与量子点界面存在电荷积累，影响器件发光效率和使用寿命的问题。
5.为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
6.本发明第一方面提供一种量子点发光二极管，包括：
7.相对设置的阳极和阴极；
8.设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层；
9.设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子传输层；
10.设置在所述电子传输层和所述量子点发光层之间的聚合物修饰层；
11.其中，所述聚合物修饰层中的聚合物选自含有胺基官能团的聚合物。
12.本发明第二方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
13.提在基板的一侧表面上依次层叠设置第一电极和第一功能层；
14.在所述第一功能层远离所述第一电极的一侧表面上沉积聚合物溶液，以制备聚合物修饰层；
15.在所述聚合物修饰层远离所述第一功能层的一侧表面上依次层叠设置第二功能层和第二电极；
16.其中，所述第一电极为阳极，所述第一功能层为量子点发光层，所述第二功能层为电子传输层，所述第二电极为阴极；或
17.所述第一电极为阴极，所述第一功能层为电子传输层，所述第二功能层为量子点发光层，所述第二电极为阳极。
18.本发明提供的量子点发光二极管，在电子传输层和量子点发光层之间设置能够提高电子传输材料能级的聚合物修饰层。所述聚合物修饰层通过氨基偶极子和界面偶极子降低电子传输层的功函数，从而使电子传输层的能级向上偏移，进而抑制量子点和电子传输材料之间的电荷转移，同时提高电子注入效率，促进电子自电子传输层向量子点发光层转移。与此同时，远离量子点的一侧空穴传输未受影响，能级保持在原来的水平，在这种情况下，电子传输层与量子点发光层之间的倒带能级更加匹配，使量子点发光二极管形成更加合理的阶级梯度，促进电子注入，进而提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
19.本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，只需要在电子传输层和量子点发光层之间引入聚合物修饰层即可。该方法工艺简单，可操作性强，且采用溶液加工方式，易于实现产业化生产。
附图说明
20.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1是本发明实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图；
22.图2是本发明实施例提供的量子点发光二极管的制备工艺流程图。
具体实施方式
23.为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
24.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
25.本发明实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本发明实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本发明实施例说明书公开的范围之内。具体地，本发明实施例说明书中的重量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
26.本发明实施例第一方面提供一种量子点发光二极管，包括：
27.相对设置的阳极和阴极；
28.设置在阳极和阴极之间的量子点发光层；
29.设置在量子点发光层和阴极之间的电子传输层；
30.设置在电子传输层和量子点发光层之间的聚合物修饰层；
31.其中，聚合物修饰层中的聚合物选自含有胺基官能团的聚合物。
32.本发明实施例提供的量子点发光二极管，在电子传输层和量子点发光层之间设置能够提高电子传输材料能级的聚合物修饰层。聚合物修饰层通过氨基偶极子和界面偶极子降低电子传输层的功函数，从而使电子传输层的能级向上偏移，进而抑制量子点和电子传输材料之间的电荷转移，同时提高电子注入效率，促进电子自电子传输层向量子点发光层转移。与此同时，远离量子点的一侧空穴传输未受影响，能级保持在原来的水平，在这种情况下，电子传输层与量子点发光层之间的倒带能级更加匹配，使量子点发光二极管形成更加合理的阶级梯度，促进电子注入，进而提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
33.本发明实施例通过在量子点发光二极管的电子传输层和量子点发光层之间设置含有胺基官能团的聚合物修饰层，在不影响空穴传输的基础上，来提升电子传输层材料的能级，使量子点发光二极管形成更加合理的阶级梯度，促进电子自电子传输层注入量子点发光层中。在一些实施例中，聚合物修饰层由一种聚合物制成。即聚合物修饰层为单层薄膜，且单层薄膜中的材料为相同的聚合物。在一些实施例中，聚合物修饰层由两种或两种以上的聚合物形成的混合材料制成。即聚合物修饰层为单层薄膜，且单层薄膜中的材料为两种或两种以上的聚合物形成的混合材料。应当理解的是，本发明实施例的聚合物修饰层中的聚合物，均选自能够提高电子传输层材料能级的聚合物。
34.更具体地，该量子点发光二极管还可以包括衬底，阳极设置在衬底上。
35.需要理解，上述器件结构为量子点发光二极管中常用的正置结构，如若将其逐层反转成为倒置结构，也是不违背本发明的宗旨。例如在衬底上依次层叠设置阴极、电子传输层、聚合物修饰层、量子点发光层、阳极。
36.本发明仅以正置结构为例对上述实施例提供的电致发光二极管器件进行说明，倒置结构各层所用材料及作用并无区别。
37.在上述实施例的基础上，在一些实施例中，衬底可包括刚性衬底如玻璃、金属箔片等常用的刚性衬底，或柔性衬底如聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、聚苯乙烯(ps)、聚乙烯(pe)、聚氯乙烯(pv)、聚乙烯吡咯烷酮(pvp)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)等类似材料，其主要起到支撑作用。
38.在一些实施例中，聚合物修饰层中的聚合物选自：聚乙烯亚胺(pei)、乙氧基化聚乙烯亚胺(peie)和聚[(9,9-二(3'-(n,n-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴](poly[(9,9-bis(3'-(n,n-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9
–
dioctylfluorene)]，简称pfn)中的至少一种。其中，聚乙烯亚胺(pei)、乙氧基化聚乙烯亚胺(peie)和聚[(9,9-二(3'-(n,n-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴](pfn)的结构如下所示。
[0039]
[0040]
在一些实施例中，聚合物修饰层由聚乙烯亚胺、乙氧基化聚乙烯亚胺和聚[(9,9-二(3'-(n,n-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴中的一种制成。在一些实施例中，聚合物修饰层由两种或两种以上的聚合物形成的混合材料制成，更具体的，聚合物修饰层由聚乙烯亚胺和乙氧基化聚乙烯亚胺形成的混合材料制成，聚合物修饰层由乙氧基化聚乙烯亚胺和聚[(9,9-二(3'-(n,n-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴]形成的混合材料制成，聚合物修饰层由聚乙烯亚胺和聚[(9,9-二(3'-(n,n-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴]形成的混合材料制成，或者，聚合物修饰层由聚乙烯亚胺、乙氧基化聚乙烯亚胺和聚[(9,9-二(3'-(n,n-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴]形成的混合材料制成。
[0041]
上述聚合物制成的修饰层，置于量子点发光层和电子传输层之间时，与电子传输层材料(如氧化锌)的表面相互作用，由于聚合物和电子传输层材料结合形成的界面偶极子和聚合物自带偶极子的作用，电子传输层材料的能级向上偏移、功函数降低，使之与量子点发光层的导带能级更加匹配，从而减少量子点和电子传输材料界面间的电荷转移，同时提高了电子注入效率，最终提高量子点发光二极管器件的发光效率和使用寿命。
[0042]
在一些实施例中，聚合物修饰层的厚度为2～10nm。聚合物修饰层的厚度在上述范围内，可以有效调节电子传输层材料的能级结构，使之与量子点发光层的导带能级更加匹配，从而减少量子点和电子传输材料界面间的电荷转移，同时提高了电子注入效率，最终提高量子点发光二极管器件的发光效率和使用寿命。若聚合物修饰层的厚度过薄，则不足以有效降低电子传输材料的功函数，从而不能有效提高电子传输层材料的能级；若聚合物修饰层的厚度过厚，则聚合物材料的本征绝缘特性会降低器件的导电性，甚至使得量子点和电子传输材料之间绝缘，使量子点发光二极管丧失光电性能。
[0043]
本技术实施例中，阳极可以采用常见的阳极材料和厚度，本技术实施例不作限定。例如，阳极材料可以为氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)导电玻璃或氧化铟锡、氧化铟锌电极，也可以是其他金属材料例如金、银、铝等。
[0044]
电子传输层选择常见的电子传输层材料。在一些实施例中，电子传输层的材料选自：纳米氧化锌、掺镁氧化锌和掺铝氧化锌中的至少一种。
[0045]
本技术实施例中，阴极可以采用常见的阴极材料和厚度，本技术实施例不作限定。阴极可以是氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)导电玻璃或氧化铟锡、氧化铟锌电极，也可以是其他金属材料例如铝、银、镁、以及铝、银、镁中的至少两种形成的合金等，还可以是导电碳材料，例如石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维等。
[0046]
量子点发光层的材料可以按照常规的量子点类型，选择常规的量子点材料。如量子点发光层的量子点可以为红色量子点、绿色量子点、蓝色量子点、黄色量子点中的一种；量子点材料中可以含镉，也可以不含镉；量子点可以为油溶性量子点包括二元相、三元相、四元相量子点。在一些实施例中，量子点材料可以选自cds、cdse、cdte、znse、znte、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、insb、alas、alp、cuins、cuinse、ags、pbs、pbse的半导体纳米晶，以及上述材料形成的核壳结构量子点或合金结构量子点中的至少一种；在一些实施例中，量子点材料可以选zn
x
cd
1-x
s、cu
x
in
1-x
s、zn
x
cd
1-x
se、zn
x
se
1-x
s、zn
x
cd
1-x
te、pbse
x
s
1-x
的半导体纳米晶，以及上述材料形成的核壳结构量子点或合金结构量子点中的至少一种。在一些实施例中，量子点材料可以选zn
x
cd
1-x
s/znse、cu
x
in
1-x
s/zns、zn
x
cd
1-x
se/
zns、cuinses、zn
x
cd
1-x
te/zns、pbse
x
s
1-x
/zns的半导体纳米晶，以及上述材料形成的核壳结构量子点或合金结构量子点中的至少一种。
[0047]
在上述实施例的基础上，在一些实施例中，阳极和量子点发光层之间设置空穴功能层；在一些实施例中，阴极和电子传输层之间设置电子注入层；在一些实施例中，阳极和量子点发光层之间设置空穴功能层，阴极和电子传输层之间设置电子注入层。其中，空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一种。
[0048]
其中，空穴注入层的材料可采用本领域常规的空穴注入材料制成，可以为peodt：pss、cupc、hatcn、woo
x
、moo
x
、cro
x
、nio、cuo、vo
x
、cus、mos2、mose2、ws2、wse2中的一种，但不限于此。空穴注入层的厚度为30nm-100nm。
[0049]
空穴传输层的材料可采用本领域常规的空穴传输材料制成，可以为tfb、pvk、pfb、tpd、tcta、tapc、poly-tbp、poly-tpd、npb、cbp、moo3、woo3、nio、cuo、v2o5、cus中的一种，但不限于此。空穴传输层的厚度为30nm-100nm。
[0050]
在一些实施例中，量子点发光二极管包括相对设置的阳极和阴极，设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，设置在量子点发光层和阴极之间的电子传输层，以及设置在电子传输层和量子点发光层之间的聚合物修饰层，其中，聚合物修饰层中的聚合物为聚乙烯亚胺和/或乙氧基化聚乙烯亚胺；聚合物修饰层的厚度为2nm至10nm。在此基础上，电子传输层的材料选自：纳米氧化锌、掺镁氧化锌和掺铝氧化锌中的至少一种。
[0051]
如图1所示，在一些实施例中，量子点发光二极管包括相对设置的阳极和阴极，设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，设置在量子点发光层和阴极之间的电子传输层，设置在阳极和量子点发光层之间的空穴注入层，设置在空穴注入层和量子点发光层之间的空穴传输层，以及设置在电子传输层和量子点发光层之间的聚合物修饰层，其中，阳极设置在基板上，聚合物修饰层中的聚合物为聚乙烯亚胺和/或乙氧基化聚乙烯亚胺；聚合物修饰层的厚度为2nm至10nm；电子传输层的材料选自：纳米氧化锌、掺镁氧化锌和掺铝氧化锌中的至少一种。
[0052]
本发明实施例提供的量子点发光二极管，可以通过下述方法制备获得。
[0053]
如图2所示，本发明实施例第二方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
[0054]
s01.在基板的一侧表面上依次层叠设置第一电极和第一功能层；
[0055]
s02.在第一功能层远离第一电极的一侧表面上沉积聚合物溶液，以制备聚合物修饰层；
[0056]
s03.在聚合物修饰层远离第一功能层的一侧表面上依次层叠设置第二功能层和第二电极；
[0057]
其中，第一电极为阳极，第一功能层为量子点发光层，第二功能层为电子传输层，第二电极为阴极；或
[0058]
第一电极为阴极，第一功能层为电子传输层，第二功能层为量子点发光层，第二电极为阳极。
[0059]
本发明实施例提供的量子点发光二极管的制备方法，只需要在电子传输层和量子点发光层之间引入聚合物修饰层即可。该方法工艺简单，可操作性强，且采用溶液加工方式，易于实现产业化生产。
[0060]
具体的，上述步骤s01中，在基板的一侧表面上依次层叠设置第一电极和第一功能层。在一种实施方式中，第一电极为阳极，第一功能层为量子点发光层。在一些实施例中，在量子点发光层和阳极之间，设置空穴功能层，且空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一层。在另一种实施方式中，第一电极为阴极，第一功能层为电子传输层。在一些实施例中，在为电子传输层和阴极之间，设置空穴注入层。
[0061]
上述步骤s02中，提供聚合物溶液，聚合物溶液为聚合物的有机溶液。具体的，聚合物溶液的配置方法为：将聚合物溶于有机溶剂中，得到聚合物溶液。其中，聚合物溶液中的聚合物，选自为能够提高电子传输层材料能级的聚合物；用于溶解聚合物的有机溶剂优选为有机醇，包括但不限于乙醇。在一些实施例中，聚合物溶液包括聚合物和醇类溶剂。
[0062]
在一些实施例中，聚合物选自：聚乙烯亚胺、乙氧基化聚乙烯亚胺和聚[(9,9-二(3'-(n,n-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴]中的至少一种。上述聚合物制成的修饰层，置于量子点发光层和电子传输层之间时，与电子传输层材料如氧化锌表面相互作用，由于聚合物和电子传输层材料如氧化锌结合形成的界面偶极子和聚合物自带偶极子的作用，电子传输层材料如氧化锌的能级向上偏移、功函数降低，使之与量子点发光层的导带能级更加匹配，从而减少量子点和电子传输材料界面间的电荷转移，同时提高了电子注入效率，最终提高量子点发光二极管器件的发光效率和使用寿命。
[0063]
在一些实施例中，聚合物溶液中聚合物的浓度为0.5～2mg/ml。在这种情况下，通过溶液加工法成膜可以得到厚度合适的聚合物薄膜。具体的，通过控制聚合物溶液中聚合物的浓度为0.5～2mg/ml，得到厚度为2～10nm的薄膜。聚合物修饰层的厚度在上述范围内，可以有效调节电子传输层材料的能级结构，使之与量子点发光层的导带能级更加匹配，从而减少量子点和电子传输材料界面间的电荷转移，同时提高了电子注入效率，最终提高量子点发光二极管器件的发光效率和使用寿命。若聚合物修饰层的厚度过薄，则不足以有效降低电子传输材料的功函数，从而不能有效提高电子传输层材料的能级；若聚合物修饰层的厚度过厚，则聚合物材料的本征绝缘特性会降低器件的导电性，甚至使得量子点和电子传输材料之间绝缘，使量子点发光二极管丧失光电性能。
[0064]
在第一功能层远离第一电极的一侧表面上沉积聚合物溶液，可以通过溶液加工法实现，包括但不限于喷墨打印、旋涂、刮涂等方式。值得注意的是，在第一功能层远离第一电极的一侧表面上沉积聚合物溶液后，不进行加热处理，从而使聚合物修饰层与第二功能层能很好的融合。
[0065]
在一些实施例中，采用旋涂方法制备聚合修饰层。其中，聚合物溶液的浓度为0.5～2mg/ml，旋涂转速为4000～6000转每秒，聚合物修饰层的厚度为2nm-10nm。
[0066]
上述步骤s03中，在聚合物修饰层远离第一功能层的一侧表面上制备第二功能层。在一些实施例中，在聚合物修饰层上制备第二功能层的步骤，包括：提供第二功能材料溶液，通过溶液加工法在聚合物修饰层远离第一功能层的一侧表面上沉积第二功能材料溶液，以制备第二功能层；其中，第二功能材料溶液中的溶剂与聚合物溶液中的溶剂相同或互溶。在这种情况下，聚合物修饰层和第二功能层会有更紧密的接触，作用更加显著。
[0067]
在沉积完第二功能层后，进行退火处理，使聚合物修饰层和第二功能层中的溶剂充分挥发，同时聚合物和第二功能层材料在界面处紧密结合，制备得到致密的聚合物修饰层和第二功能层。在一些实施例中，退火处理的温度为80℃～100℃，退火处理的时间为15
～30min。
[0068]
进一步的，在第二功能层上制备第二电极。
[0069]
应当理解的时，第二功能层和第二电极与第一功能层和第一电极对应，当第一电极为阳极，第一功能层为量子点发光层时，第二电极为阴极，第二功能层为电子传输层。在一些实施例中，在沉积第二电极之前，还包括在第二功能层上制备电子注入层。
[0070]
当第一电极为阴极，第一功能层为电子传输层时，第二电极为阳极，第二功能层为量子点发光层。在一些实施例中，在沉积第二电极之前，还包括在第二功能层上制备空穴功能层，且空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一层。
[0071]
下面结合具体实施例进行说明。
[0072]
实施例1
[0073]
一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
[0074]
(1)在透明的玻璃基板上沉积40nm的ito做阳极，采用紫外光臭氧(uvo)对ito表面清洗15分钟，清洗表面同时改变表面的浸润性；
[0075]
(2)在ito上旋涂pedot:pss(聚(3,4-乙烯二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸))制备空穴注入层；其中，旋涂转速为5000转每分钟，旋涂40s；然后在150℃退火15min，整个步骤在空气中进行；
[0076]
(3)将tfb(聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4'-(n-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)])溶解在氯苯中，配置浓度为8mg/ml的tfb溶液；在pedot:pss上旋涂tfb溶液制备空穴传输层；其中，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂30s；然后在150℃下加热30min，该步骤在手套箱中进行；
[0077]
(4)将量子点溶解在正辛烷中，配置浓度为20mg/ml的量子点溶液；在tfb上旋涂量子点溶液制备量子点发光层；其中，转速为2000转每分钟，旋涂30s；然后在100℃下加热20min，该步骤在手套箱中进行；
[0078]
(5)将聚乙烯亚胺溶解在乙醇中，配置浓度为2mg/ml的聚乙烯亚胺溶液；在量子点发光层上旋涂聚乙烯亚胺溶液制备聚乙烯亚胺修饰层；其中，旋涂转速为5000转每分钟，旋涂40s，该步骤在手套箱中进行；
[0079]
(6)将氧化锌胶体溶解在乙醇中，设置浓度为30mg/ml的氧化锌胶体溶液；在旋涂好聚乙烯亚胺修饰层后不加热，直接旋涂氧化锌胶体溶液制备氧化锌层；其中，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂时间30s；然后在100℃下加热30min，该步骤在手套箱中进行；
[0080]
(7)在氧化锌层上蒸镀al制备阴极，厚度为80nm。
[0081]
实施例2
[0082]
一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
[0083]
(1)在透明的玻璃基板上沉积40nm的ito做阳极，采用紫外光臭氧(uvo)对ito表面清洗15分钟，清洗表面同时改变表面的浸润性；
[0084]
(2)在ito上旋涂pedot:pss制备空穴注入层；其中，旋涂转速为5000转每分钟，旋涂40s；然后在150℃退火15min，整个步骤在空气中进行；
[0085]
(3)将tfb溶解在氯苯中，配置浓度为8mg/ml的tfb溶液；在pedot:pss上旋涂tfb溶液制备空穴传输层；其中，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂30s；然后在150℃下加热30min，该步骤在手套箱中进行；
[0086]
(4)将量子点溶解在正辛烷中，配置浓度为20mg/ml的量子点溶液；在tfb上旋涂量子点溶液制备量子点发光层；其中，转速为2000转每分钟，旋涂30s；然后在100℃下加热20min，该步骤在手套箱中进行；
[0087]
(5)将聚[(9,9-二(3'-(n,n-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴]溶解在氯苯中，配置浓度为2mg/ml的聚[(9,9-二(3'-(n,n-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴]溶液；在量子点发光层上旋涂聚[(9,9-二(3'-(n,n-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴]溶液制备聚乙烯亚胺修饰层；其中，旋涂转速为5000转每分钟，旋涂40s，该步骤在手套箱中进行；
[0088]
(6)将氧化锌胶体溶解在乙醇中，设置浓度为30mg/ml的氧化锌胶体溶液；在旋涂好聚[(9,9-二(3'-(n,n-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴]修饰层后不加热，直接旋涂氧化锌胶体溶液制备氧化锌层；其中，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂时间30s；然后在100℃下加热30min，该步骤在手套箱中进行；
[0089]
(7)在氧化锌层上蒸镀al制备阴极，厚度为80nm。
[0090]
对比例
[0091]
一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
[0092]
(1)在透明的玻璃基板上沉积40nm的ito做阳极，之后表面用紫外光臭氧(uvo)清洗15分钟，清洗表面同时改变表面的浸润性；
[0093]
(2)在ito上旋涂一层pedot:pss做空穴注入层，旋涂转速为5000转每分钟，旋涂40s，之后在150℃退火15min，整个步骤在空气中进行；
[0094]
(3)在pedot:pss上旋涂一层tfb做空穴传输层，tfb溶解在氯苯中，浓度为8mg/ml，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂30s，之后在150℃下加热30min，该步骤在手套箱中进行；
[0095]
(4)在tfb上旋涂量子点发光层，量子点溶解在正辛烷中，浓度为20mg/ml，转速为2000转每分钟，旋涂30s，之后在100℃下加热20min，该步骤在手套箱中进行；
[0096]
(5)在量子点发光层上旋涂氧化锌层，氧化锌胶体溶解在乙醇中，浓度为30mg/ml，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂时间30s，之后在100℃下加热30min，该步骤在手套箱中进行；
[0097]
(7)在氧化锌层上蒸镀一层al做阴极，厚度为80nm。
[0098]
将上述实施例1-2制备的量子点发光二极管和对比例1制备的量子点发光二极管进行性能测试，测试指标和测试方法如下：
[0099]
(1)外量子效率(eqe)：采用eqe光学测试仪器测定。注：外量子效率测试为的qled器件；(2)寿命：寿命测试标准统一为1000cd/a下衰减到95％所用的时间，采用发光二极管寿命测试设备测定。注：寿命测试为的qled器件。测试结果如下表1所示。
[0100]
表1
[0101]
组别外量子效率(eqe)/(％)寿命/(h)实施例117.7％580h实施例216.1％760h对比例110.5％300h
[0102]
由表1可见，本技术实施例1-2提供的量子点发光二极管，由于在电子传输层和量子点发光层之间引入了聚合物修饰层，因此，外量子效率和使用寿命均得到明显提高。
[0103]
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。