通信打印组件的制作方法

通信打印组件


背景技术：

1.打印机和打印机墨盒可以使用多种技术将墨输送到介质。可以使用受设备上的温差影响的设备将墨施加到介质上。打印质量可以部分地由与打印机被指示打印的输入相匹配的打印作业的结果来确定。
附图说明
2.在以下详细描述中参照附图描述了某些示例，在附图中：
3.图1是示例打印组件系统的框图；
4.图2是示例多片打印组件系统的框图；
5.图3是示例多笔打印组件系统的框图；
6.图4是示例电路系统规划的框图；
7.图5是示例多笔传感器架构的框图；
8.图6是示例打印电路系统架构的框图；
9.图7是用于从通信能够更换的打印头墨盒通信传送所存储的数据的示例方法的流程图；
10.图8是包括指令以引导处理器以便从通信能够更换的打印头墨盒通信传送所存储的数据的示例非暂时性计算机可读介质的框图；
11.图9是用于访问存储器单元的示例方法的流程图；
12.图10是示出用于配置寄存器写入的示例信号集的图；
13.图11是使用多个启用的寄存器和喷嘴数据的对存储器位的示例访问的示意图；
14.图12是示出访问存储器单元的逻辑电路的示例的示意图；
15.图13是用于响应于启用的访问状态来访问存储器单元的示例方法的流程图；
16.图14是示例电路和存储器位写入规划的框图；
17.图15是利用存储器电压调节器向存储器位的所选择的组合提供写入电压的示例方法的流程图；以及
18.图16是示出具有与每个流体致动器相关联的多个存储器位的集成电路的另一示例1600的框图。
具体实施方式
19.向介质(诸如纸、粉末、流体腔室等)提供流体(诸如墨或试剂)可以包括利用流体致动器将流体推动通过喷嘴。在示例中，流体致动器的控制可以由位于集成电路上的存储器位来调节。在示例中，集成电路是可能由硅制成的打印片。可能有大量的喷嘴、相对应的流体致动器和相对应的存储器位要管理。这些存储器位可以通过总线通信地并行连接。总线可以是单通道模拟总线。在本公开中，总线能够并行测量存储器位的所有组合。进一步，单通道模拟总线的使用允许消混更复杂的总线导线、迹线或通用打印片组织。使用单通道总线并行测量多个存储器位避免了对多总线片架构的需求。附加地，所公开的系统提供了
一种用于利用单通道模拟总线连接多个打印片上的存储器位的框架。所需总线通道的数量方面的减少也可以减少外部测量焊盘的数量，因为可以使用单个焊盘来测量所有存储器位、区段或分区。在示例中，焊盘在片外部以连接到打印机侧触点。在示例中，焊盘是用于通信传送模拟信号的模拟信号焊盘。
20.如本文所用，可以使用单通道总线来选择正在进行测量的特定存储器位。在示例中，单通道总线是高速数据路径，并且可以是迹线、导线或组件之间的电子通信连接的其他方式。可以使用作为数据分组中的基元数据的一部分传输的信息来选择存储器位。在示例中，数据分组可以被称为激发脉冲群组。在示例中，使用基元数据来进行存储器位的特定选择，以表示激发脉冲群组。数据分组或激发脉冲群组也通过集成电路传输，以便寻址或选择特定的流体致动器。用于寻址流体致动器的一种方法包括基元号和地址号。在一些示例中，可以有对应于每个流体致动器的存储器位。在其他示例中，与流体致动器相比，可以有更多或更少的存储器位。
21.可以使用用于选择多个存储器位和流体致动器的相同选择通道和选择逻辑来选择存储器位。在示例中，携带用于选择流体致动器的信息的数据分组附加地包括用于选择对应于那些特定流体致动器的存储器位的数据，包括基元号和地址号。
22.以这种方式(例如使用单通道模拟总线)使用寻址系统使得能够选择并沿着单通道模拟总线朝向焊盘读取多个存储器位。在示例中，焊盘是用于通信传送传感器状态(除了存储器位信号之外)的传感器焊盘。
23.相同的数据线路可以用于驱动多个流体致动设备。另外，单通道模拟总线的使用使得能够选择并从相同焊盘一次一个地或并行组合地读取位于相同片内和相同地址上的多个存储器位。在另一示例中，使用单个模拟总线使得相同打印头上的不同硅片内的多个存储器位能够从相同选择通道选择和读取。存储器位可以位于不同的片上。每个片可以对应于不同的颜色。例如，一支笔可以是彩色笔，并且包括三个硅打印片。另一支笔可以位于黑色墨笔中，并且可以具有单个硅打印片。使用单个模拟总线使得能够从相同焊盘上选择和读取在打印系统(诸如分离的彩色笔和黑色笔)内的多个打印头上的多个硅片上的多个存储器位。在按地址选择存储器位时，每个唯一的硅片可以在不同的地址号上选择存储器位，但是相同片内的存储器位可以在相同的地址上进行选择。
24.集成电路可以是打印片。集成电路可以使用易失性的存储器位或非易失性存储器(non
‑
volatile memory,nvm)位。在示例中，集成电路中使用的存储器是一次性可编程的(one
‑
time
‑
programmable，otp)，并且可以使用模拟焊盘从外部读取。例如，一个或多个存储器位可以在各种测量条件和组合下提供预期的或可预测的模拟响应。由于访问和从多个存储器位进行读取的这个更细致的方法，对打印头的特征的访问更能被保护免受未经授权的访问或操控的影响。另外，增加的测量粒度使得能够对打印组件的功能进行更具体的状态监控。附加地，在一个示例中，使用单个通道总线组合地、并行和/或同时寻址或读取多个存储器位可以减少寻址或读取动作的数量，从而加速操作。另外，且与此相反，使用多通道总线来尝试并行读取将使用多条电路线路，该多条电路线路可能会占用打印片上的空间。附加地，向一个或多个打印头添加增加另一导线将带来相关联的成本方面的增加和可靠性方面的降低。
25.打印(printing或print)组件可以是能够移除的。能够移除打印组件可以从打印
机移除或插入到打印机中。用于选择哪些喷嘴将在激发信号时分散墨的相同电路也可以用于访问集成电路的存储器。可以共享用于选择喷嘴和选择存储器位的电路。电路的共享部分地使得能够最小化所使用的电路面积。进一步，共享线路的这两个组件之间的无意信令可能带来无意动作或存储器更改的风险。本公开包括旨在通过在允许访问存储器之前使用访问序列来防止无意信令的方法和设备。
26.如上所述，打印机电路可以包括流体致动电路和存储器单元电路之间的共享线路。在示例中，并且为了降低片上的复杂性，用于选择喷墨喷嘴的大部分高速数据路径是多用途的，以便也选择存储器元件。用于存储器位选择的特定技术可以利用存储器访问序列来实现安全措施，以确保在打印的同时不会无意地选择存储器位。在打印的同时无意地选择的存储器位可能被损坏，并且在打印头存储器中不可用。
27.本技术示出了用于在诸如打印头的集成电路中访问存储器读取和写入模式的访问模式序列。在示例中，打印头可以包括片，诸如硅片。硅片可以是长的硅片。为了减小原始硅的大小和成本，可以通过多个部件共享相同的信号发送线路来减小电路的大小或外形。例如，喷嘴的选择可以使用用于设置存储器位的相同硬件。在示例中，存储器位或存储器单元可以是非易失性存储器(non
‑
volatile memory，nvm)。nvm的使用可以用于将信息从打印头传递到打印机。信息(诸如裂纹的测量和片外的温度)的通信使得能够根据所检测的条件计算和调整到打印头的指令。在示例中，要被通信传送到打印机的、包括在nvm中的信息可以包括片的热行为、片的偏移、区域信息、颜色图、喷嘴的数量、喷嘴功能、各种区域中的片温度、裂纹检测以及其他信息。
28.为了确保将正确的数据(而不是所共享的组件的噪声或意外信令)保存到nvm，使用了访问序列。访问序列可以防止也递送和执行打印选择数据的电路无意地写入到存储器。共享电路而不损失质量的能力实现了显著的电路面积节省。组件的共享可以包括例如共享数据路径来选择流体致动器和nvm位两者。
29.防止无意存储器访问的另一方法是在激发信号的下降沿重置访问序列。这确保了模式焊盘上的信号或噪声毛刺被限制在其中不暴露存储器位的访问序列的第一步骤。相反，用于访问存储器位的过程可以在快速退出之前临时开始，而没有有害或错误的信令。
30.在示例中，启用存储器访问模式的顺序可以有六个步骤。在示例第一步骤中，可以访问配置寄存器，以便启用存储器模式。在示例第二步骤中，激发脉冲组(fire pulse group，frg)数据的加载可以包括要写入的一个或多个位，以及在fpg报头中设置的非易失性存储器启用(nvm启用)位。如本文所用，fpg可以指用于选择激发的基元的数据分组。如本文所用，基元可以指流体致动设备(诸如喷嘴)的群组。在示例中，nvm启用位可以指存储在存储器元件(诸如浮栅雪崩金属氧化物半导体(floating gate avalanche metal oxide semiconductor，famos)元件)中的启用位。在示例第三步骤中，激发焊盘的脉冲从0信号到1信号再返回下降到0信号，这对应于沿着激发线路的从低电平到高电平到低电平的信号序列。激发信号不仅可以触发流体致动器致动，还可以通过清零数据来影响存储器电路的配置和存储器寄存器。如果最初的访问替代地是由沿着相同线路的无意信号引起的，则数据的这种清零或复位有助于防止无意的存储器访问。示例第四步骤包括启用存储器模式的另一配置寄存器访问。示例第五步骤包括对存储器配置寄存器的写入，使得该写入只有在已经执行了前面的四个步骤后才可见。最后，在示例中，可能有一个从0信号到1信号再返回下
降到0信号的激发焊盘的脉冲。在这个第二激发信号以高信号状态被激发的持续时间期间，该位或多个位可以从存储器元件中读取或写入到存储器元件。
31.关于加载激发脉冲群组，使用与用于选择流体致动器的激发脉冲群组基元数据相同的高速数据路径选择存储器位。这意味着存储器位可以类似地通过基元号和地址号以与单个流体致动器相同的粒度来选择。在示例中，每当激发焊盘从高电平(1)转换到低电平(0)时，配置寄存器中的nvm启用位可以被清零。如上所述，清理减少了无意访问的机会。当配置寄存器nvm启用位被清零时，存储器配置寄存器中的全部位也被清零。因此，下降的激发信号禁用对nvm的进一步访问。为了访问nvm，必须设置配置寄存器nvm启用位以及移位数据中的nvm启用位。对于这些初始条件，发生的顺序是可互换的，只要它们两者在激发信号上升之前发生。当激发信号上升或变高时，这个信号允许来自移位数据(shift_data)的nvm启用位在集成打印片内部设置锁存器。在示例中，一旦内部锁存器被设置，配置寄存器中nvm启用位可以被重新写为1，因为nvm启用位被下降的激发信号清零。在这个示例中，只要nvm启用位为0，存储器配置寄存器被清零。使用所设置的内部锁存器和配置寄存器中设置的nvm启用位，存储器配置寄存器被启用以便进行写入。
32.在示例中，内存配置寄存器是影子寄存器，因为影子寄存器可以与配置寄存器连接并行运行，但仅限于在以特定顺序满足复杂条件后写入位。由此，存储器配置寄存器可以通过点数据流中的位以及配置寄存器中的位来启用，这然后启用存储器配置寄存器以便进行移位。进一步，在示例中，存储器配置寄存器可以用作nvm模式的最终启用，并且还可以选择读取/写入和列或特殊存储器位。
33.虽然示出了几个序列，但是在在此公开的技术范围内，可以设想其他更复杂的串行写入协议。可以使用其他复杂的访问技术来进一步确保在正常(非nvm)操作期间不会意外访问nvm。本文中讨论的访问序列和协议也可以以多种方式进一步修改，诸如消除存储器控制寄存器(其本质上是配置寄存器的影子并行寄存器)。另外，在本文讨论的关于信令的示例中，模式焊盘信号也可以用来代替激发信号来调用存储器配置寄存器的存储器访问。
34.图1是示例打印组件系统100的框图。简化的图包括和排除组件，以便提供上下文来示出技术。
35.打印组件可以是打印墨盒、用于容纳多支笔和墨盒的打印滑架，或者用于组织打印系统其他组件的打印硬件。在示例中，打印组件在打印系统中可以是能够移除和能够替换的。打印组件可以是能够再填充的设备。打印组件可以包括用于诸如墨的流体的罐、室或容器。打印组件可以包括用于流体的能够更换的容器。
36.打印组件可以包括集成电路102。集成电路102可以是可丢弃的。打印组件和集成电路102可以物理接合，使得两者同时设置。在示例中，打印组件和集成电路102可以物理分开，使得一个可以被放置和替换，而另一个保留在打印系统中。集成电路102可以包括多个喷嘴，流体通过这些喷嘴被分配。集成电路102可以包括多个流体供给喷嘴，流体致动器通过这些喷嘴在打印介质的方向上驱动流体通过。打印介质可以是纸、塑料和金属等。在示例中，集成电路102可以通过压电喷射、热喷射或使用沿着打印头的多个分散点的其他打印技术来操作。
37.集成电路102可以包括多个存储器位。在示例中，集成电路102可以包括存储器位a 104、存储器位b 106、存储器位c 108、存储器位d 110、存储器位e 112和存储器位f 114。这
些存储器位统称为多个存储器位。
38.多个存储器位可以通过单通道模拟总线116导电耦合到位于集成电路102外部上的焊盘118。在示例中，焊盘118可以位于打印组件的外部上。多个存储器位到焊盘118的导电耦合可以包括通过导线或迹线的电子连接。在示例中，耦合可以通过向焊盘118提供模拟信息的其他通信手段。
39.可以一次全部选择、访问或读取存储器位或特定的存储器位组合。可以单独标识和选择所选择的存储器位组合，以便进行同时读取、访问或操作。在示例中，使用存储器访问模式和单通道模拟总线116来选择存储器位或存储器位组合。在示例中，通过使用配置寄存器访问来启用存储器访问模式来选择存储器位。在示例中，存储器访问模式的配置可以通过除寄存器之外的其他数据结构和组织方案来完成。使用存储器访问模式和单通道模拟总线来并行选择、操控、激活或读取多个存储器位是通过串行数据路径来选择要测量的每个存储器位的所期望基元和地址而进行的。一旦通过使用通过串行数据路径传送的基元和地址信息选择了存储器位，就可以通过共享的单通道模拟总线116将存储器位同时访问或读取到焊盘118。
40.在示例中，当已知电流被施加到所选择的存储器位时，存储器位的读取可以导致电压输出被测量。在示例中，当已知电压被施加到所选择的存储器位时，存储器位的读取可以导致电流输出被测量。类似地，对于已知输入的这些测量可以针对同时测量的存储器位组合来进行。选择用于测量的唯一的存储器位组合可以是可预测的，并且可分配给特定的存储器位组合。因此，取决于选择了多少位和编程了多少个所选择的位，可以与响应并行地进行存储器位组合的测量。在示例中，所编程的存储器位的可能与未编程的存储器位不同地响应。因此，当已知的模拟信号被施加到存储器位或存储器位组合时，连接的焊盘118可以检测模拟输出信号，该模拟输出信号可以用于进行测量，从而传达所选择的特定存储器位组合以及那些存储器位是否被编程。
41.在焊盘118从模拟总线116接收信号时，电信号可以进一步传输到打印组件触点，并最终传输到评估电路。由焊盘118传输的电信号是表示存储器位的数量的电信号，并且更具体地，该信号表示多个存储器位的全部所选择的位的组合。
42.可以通过强加电流或强加电压来测量存储器位。对于单个存储器位和存储器位组合，响应于强加的电流或电压的输出模拟信号是不同的。在示例中，集成电路102可以包括每个集成电路或打印片的一千个存储器位。在本公开中，多个存储器位中的每个可以连接到模拟总线116。通过这种连接，一千个位中的每个可以被单独地或者基于公共地址的子集并行地被选择并连接到焊盘。在示例中，焊盘在打印头的集成电路上，或者在片上。存储器位可以是浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal
‑
oxide semiconductor field
‑
effect transistor，mosfet)，并且在未编程时可以表现有相对高的电阻，而在被编程时表现有相对低的电阻。利用这种电阻特性使得能够使用与电流、电压以及电阻相关的欧姆定律建立已知的响应关系。
43.例如，当施加电流时，可以读取或测量电压。为了在所选择的存储器位上施加已知的电流，可以使用内部或外部电流源。在示例中，外部电流源可以通过焊盘沿着单通道模拟总线提供。在所选择的存储器位或位的组合上并行施加已知的电流。由于每个存储器是并行布线的，响应于已知的电流，被编程的每个附加存储器位降低了输出电压响应。这符合欧
姆定律，其中随着并行布线的电阻器(即被编程的存储器位)的数量增加，输出电压可预测地降低。因此，基于所测量的输出电压，可以知道关于被选择或编程的存储器位组合的信息。
44.以相对应的方式，当施加已知电压作为存储器位测量的输入时，可以测量电流。为了在所选择的存储器位上施加已知的电压，可以使用内部或外部电压。在示例中，外部电压可以沿着单通道模拟总线通过焊盘提供。在所选择的存储器位或位组合上并行施加已知的电压。由于每个存储器并行布线，响应于已知的电压，被编程的每个附加存储器位增加输出电流响应。这符合欧姆定律，其中随着并行布线的电阻器(即被编程的存储器位)的数量增加，输出电流对于已知恒定电压可预测地增加。因此，基于所测量的输出电流，可以知道关于被选择或编程的存储器位组合的信息。
45.图2是示例多片打印组件系统200的框图。类似的编号项如关于图1所讨论的那样。
46.在图2的打印组件中，存储器位a 104、存储器位b 106和存储器位c 108可以全部位于打印片a 202中。在示例中，打印片a 202的打印片可以是集成电路的形式。打印片a 202的打印片可以是硅打印片。进一步，在图2的打印组件中，存储器位d 110、存储器位e 112和存储器位f 114可以全部位于打印片b 204中。在示例中，打印片b 204的打印片可以是集成电路的形式。打印片b 204的打印片可以是硅打印片。
47.打印组件的组织可以允许第一存储器位(诸如存储器位a 104)在第一片(诸如打印片a 202)上的定位，以及第二存储器位(诸如存储器位d 110)在第一片(诸如打印片b 202)上的定位。在其中存储器位在打印片之间被分割的这种组织中，模拟总线116仍然可以在单条通路中将多个片上的存储器位中的每个连接到焊盘118。由于模拟总线116在多个片上保持并联连接，所以多个片的存储器位可以以相同的方式同时并行读取，就像所有存储器位没有被片分离一样，如图1中所见。例如，已知的电压可以同时施加到打印片a 202和打印片b 204两者的存储器位。在已知的电压施加到两个片上的存储器位时，存储器位组合可以通过连接到焊盘118的单通道模拟总线并行读取。
48.在示例中，打印片a 202可以分散第一流体类型，诸如红色。打印片b 204可以分散第二流体类型，诸如蓝色。从多个存储器位进行测量、选择和读取仍然可以在各自打印与另一打印片不同的颜色的多个打印片上进行。在示例中，打印片a 202和打印片b204可以设置在一个或多个打印头206上。
49.图3是示例多笔打印组件系统300的框图。类似的编号项如参考图1和图2所讨论的那样。
50.图3的打印组件包括包含一个或多个打印头206的打印笔a 302。图3的打印组件还包括分离的打印笔b 304。如本文所用，打印笔可以是滑架、保持器、分离器、打印外壳、打印墨盒或其他分离制品或设备。打印笔b 304被示为具有分别设置在打印片c 310和打印片d 312中的存储器位g 306和存储器位h 308。打印笔b 304的存储器位和打印片在功能上与打印笔a 302的存储器位和打印模相同，尽管在物理上彼此不同。存储器位g 306和存储器位h 308可以通过模拟总线116与存储器位a 104、存储器位b 106、存储器位c 108、存储器位d 110、存储器位e 112和存储器位f 114并联连接。打印笔a 302和打印笔b 304两者中的存储器位通过模拟总线116通信耦合到焊盘118。
51.在这个多笔打印组件系统300中，存储器位可以在打印片和打印笔之间被分割，并
且模拟总线116可以将多个打印笔中的多个片上的存储器位中的每个以单通道路径连接到焊盘118。由于模拟总线116在多个片上保持并联连接，所以可以以相同的方式同时并行读取存储器位，就好像所有存储器位没有被片分离一样，如图1所见。例如，可以同时向打印笔a 302中的打印片a 202和打印笔b 304中的打印片c 310两者的存储器位施加已知的电压。可以通过连接到焊盘118的单通道模拟总线并行读取片和打印笔上的存储器位组合。
52.图4是示例电路规划400的框图。为了便于讨论本技术，可能没有示出多个组件。另外，所示的箭头并不以专门指示由组件推送或拉取数据的方式来限制数据流，而是替代地指示与所公开的技术相关的一般信息流。
53.电路规划400可以允许分离的打印机402，包括打印机集成电路404或专用集成电路(asic)。打印机402可以使用打印机集成电路404来处理要从打印组件406发送和接收的消息和数据，或者与它们进行交互。在示例中，打印组件406可以是能够移除或可再填充的打印墨盒。打印组件406可以是打印笔、打印机墨盒、打印头，或者可以包含多个打印头。在打印组件406中，可以有激发(fire)焊盘408、clk焊盘410、数据(data)焊盘412和模式(mode)焊盘414。这些焊盘可以是打印机触点，这些打印机触点将数字、模拟或电信号从打印机传送到打印组件406。clk焊盘410可以指时钟焊盘。在示例中，clk焊盘410、数据焊盘412和模式焊盘414向片配置寄存器416提供信息，该信息可以配置片或打印头，包括选择激发脉冲群组418中的流体致动器、使外部传感器开关420能够读取激发脉冲群组的存储器、并且启用片中的其他电阻器(诸如裂纹检测电阻器422的开关)。
54.激发脉冲群组418是可以被选择的流体致动器及其相关联的存储器位424的群组。响应于选择，存储器位424可以控制流体致动器是否将响应于来自激发焊盘408的激发信号而激发。激发焊盘408可以使用锁存二极管来选择和激发在激发脉冲群组418中的存储器位424中的数据。
55.存储器位424还可以存储关于流体致动器的功能的信息，诸如温度和功能。如下面更全面讨论的那样，存储器位424访问可以包括通过被启用的存储器模式以及在基元数据中指示的访问以及来自激发焊盘408的激发信号来启用访问。如本文所用，基元可以指流体致动器的群组及其相关联的存储器位424。
56.裂纹检测电阻器422的开关可以启用裂纹检测电阻器426，该开关可以在喷嘴428之间来回交织，在示例中，流体是墨，并且喷嘴428可以是喷嘴。
57.打印组件406可以包括多个其他组件，包括启用n二极管432的n开关430、启用m二极管436的m开关434和启用s二极管440的s开关438。
58.这些组件、存储器位、裂纹检测电阻器、开关和二极管中的每个可以连接到与感测(sense)焊盘444连接的单通道模拟感测总线442。在示例中，感测焊盘可以是与打印机集成电路404接口的焊盘。在示例中，打印机集成电路404可以通过感测焊盘444驱动电流或电压，以便确定多个组件和电阻器上的响应的模拟测量。通过感测焊盘444或片配置寄存器416或激发焊盘408驱动的这些模拟信号可以被偏置或接地。打印机集成电路404可以在打印机402内和打印机组件406之外包括它自己的模拟偏置和模数转换。在示例中，模数转换的移除可以将这个操作和组件移出打印片。附加地，打印机集成电路404可以强加电流来测量组件(诸如存储器位424组合)的电压。而且，打印机集成电路404可以强加电压来测量所组合的存储器位424的电流，以便监控片上传感器和对应于流体致动器的所选择的存储器
位。
59.在本公开中，存储器位424的数量可以通过用于使用相同的选择通道来选择多个存储器位和流体致动器的选择逻辑来进行选择。进一步，来自打印机集成电路404的电信号可以是相对于打印组件406的外部电流力。相对于为所选择的单个存储器位424测量的电压，外部电流力的施加可以在焊盘(诸如用于多个存储器位424的感测焊盘444)上产生较低的所测量的电压。这是因为随着电阻器(例如所选择的存储器位424)的数量增加，设置的已知输入电流的输出电压将降低。
60.同样地，来自打印机集成电路404的电信号可以是施加到打印组件406的外部电压力，当与为所选择的单个存储器位424测量的电流消耗相比时，外部电压力的施加可以导致由焊盘(诸如用于多个存储器位424的感测焊盘444)测量的更大的所测量的电流消耗。这是因为随着电阻器(例如所选择的存储器位424)的数量增加，设置的已知输入电压的电流消耗将增加。
61.在示例中，打印组件406包括对应于靠近喷嘴428的流体致动器的存储器位424。附加地，诸如感测焊盘444的焊盘可以导电连接，以结合多个存储器位424传输来自裂纹缺陷电阻器426的电信号。另外，这个导电连接是通过单通道模拟感测总线442进行的。在示例中，存储器位424对应于靠近多个喷嘴428的流体致动器，并且裂纹检测电阻器426被布线在喷嘴428之间。
62.图5是示例多笔传感器架构500的框图。类似的编号项如关于图4所公开的那样。
63.集成电路(诸如例如打印机片)可以被分离呈用于黑色墨和彩色墨的多个硅片。在示例中，每个片可以被分配它们自己的颜色。在示例中，每种颜色可以具有与其他片分离的相对应的片。片可以放置在分离的打印笔中。
64.在图5中，可以有彩色打印笔502来保持青色(cyan)打印片504、品红色(magenta)打印片506和黄色(yellow)打印片508。其他彩色打印片也是兼容的，包括打印片的rby(红，蓝，黄)组合。如在彩色打印笔502中所见，打印片中的每一个是物理上分离的打印片，然而单通道模拟感测总线442保持在彩色打印笔502中的彩色片的全部上是公共的。
65.在多笔传感器架构500中，可以有单色打印笔，诸如携带黑色打印片512的黑色打印笔510。单通道模拟感测总线442串联连接到分离的打印笔中的黑色打印片512以及彩色打印片。因此，通过感测焊盘444强加的信号可以是从位于多个物理上分离的打印笔(包括彩色打印笔502和单色打印笔510)中的打印片收集的测量值。在示例中，打印笔502和510可以是能够移除的。
66.在示例中，单个感测接触焊盘(诸如例如感测焊盘444)可以用于通信传送来自单通道模拟总线442的存储数据，该单通道模拟总线导电耦合以在单个感测接触焊盘(诸如感测焊盘444)上在单个模拟信号中以组合分方式通信传送多个存储器位。在示例中，多个存储器位中的第一存储器位可以位于第一硅片上，诸如青色打印片504，并且多个存储器位中的第二存储器位可以位于第二硅片上，诸如品红色打印片506。
67.在示例中，存储器电路可以包括与第一流体类型相关联的第一硅片(诸如青色打印片504)，并且第二硅片与第二流体类型(诸如品红色打印片506)相关联。存储器电路还可以包括位于第一打印笔(诸如彩色打印笔502)中的第一硅片，以及位于第二打印笔(诸如单色打印笔510)中的第二硅片。在示例中，数据焊盘412对于每个打印片可以是分离的，而模
式焊盘连接、clk焊盘连接和激发焊盘连接由打印片共享。
68.图6是示例打印电路架构600的框图。类似的编号项如关于图4所述。
69.打印电路架构600可以包括配置寄存器602、存储器配置寄存器604、状态寄存器606和监视器608。虽然使用了术语寄存器，但是也可以设想其他存储元件。配置寄存器602可以由多个焊盘(包括数据焊盘412、模式焊盘414和clk焊盘410)设置。配置寄存器可以用于设置用于测试、裂纹检测、启用监视器608、模拟延迟(包括延迟偏置610)、通过存储器位424的存储器访问以及通过感测焊盘444的感测的确认的验证的控制信号。配置寄存器602的其他配置可以包括测试选择、感测焊盘444测试、用于特定喷嘴的电路的电压延迟。这些延迟的一个原因可能包括避免来自同时从附近喷嘴喷射的太多液滴的流体干扰。配置寄存器602还可以包括并设置用于经由存储器位启用的存储器位424访问的位。配置寄存器602可以包括裂纹检测启用和监视器(watch dog)启用。
70.在示例中，存储器配置寄存器604包括至少三个位，一个位指示列启用，使得可以访问所指示的列中的所有存储器列位。存储器配置寄存器604还包括指示读取或写入模式的存储器写入启用。存储器配置寄存器604还包括启用对区域化存储器位424的访问的区域启用。
71.状态寄存器606可以包括由数据焊盘412、clk焊盘410和模式焊盘指示的状态。状态寄存器606可以报告打印头状态信息。在示例中，状态寄存器606的一个位可以是用于监控输入焊盘并指示状态(诸如激发信号)何时不能正常工作的监视器位。在示例中，状态寄存器还可以包括指示其他信息的修订位。在示例中，状态寄存器可以在晶片测试期间用于探测器对准。
72.监视器608确保如果来自激发焊盘408的激发信号以高电平被驱动超过某个时间阈值，则内部激发信号被禁用，直到故障被清除。用于清除故障的机制是通过关闭监视器608或通过外部片复位。例如，将配置寄存器设置为零也会清零状态寄存器中的监视器故障检测位。
73.打印电路架构600确实包括其他焊盘，包括vdd、lgnd、nreset、pgnd和vpp等。vdd可以指公共逻辑功率线路(vdd)，lgnd可以指公共逻辑接地线路。nreset可以指已经断开的监视器608的复位。pgnd焊盘可以包括连接到流体致动器的接地部。vpp焊盘可以指连接到流体致动器的共享功率(vpp)总线。
74.如上所述，延迟偏置610可以调整存储在喷嘴和热数据612中的激发时间。喷嘴和热数据612可以主要基于时钟线路、数据线路和激发线路来设置。热数据可以指喷嘴阵列上的打印头片的温度。温度差异会导致条带，并且因此喷嘴阵列的不同部分的温度可以通过保持打印片的温度的一致性来提高打印质量。
75.喷嘴和热数据612可以被存储在电路存储器元件(如触发器和锁存器)中，并且可以通过流体致动器(诸如热喷墨电阻器614)来执行。在示例中，当遵循特定的序列时，喷嘴和热数据还提供对存储器位的访问。使用相同喷嘴和热数据的存储器位424的特定访问序列将在下面关于图9至图13进一步描述。当存储器位被访问时，可以利用由存储器配置寄存器604控制的存储器电压发生器616来写入存储器位424。
76.图7是用于从通信能够更换的打印头墨盒通信传送所存储的数据的示例方法700的流程图。在框702，方法700包括选择多个存储器位。在示例中，多个存储器位各自对应于
位于硅片上的流体致动器。多个存储器位可以对应于多个流体致动器，其中多个流体致动器位于多个硅片上。在框704，方法700包括向多个存储器位提供输入模拟电信号。
77.在框706，方法700包括测量通信地连接到多个存储器位的单个感测接触焊盘上的输出模拟电信号，该测量针对呈组合形式的多个存储器位进行。在示例中，相对于单个感测接触焊盘上的单个存储器位的比较电压，输出模拟电信号被测量为呈组合形式的多个存储器位的单个感测接触焊盘上的较低电压。相对于单个感测接触焊盘上的单个存储器位的比较电流，输出模拟电信号被测量为呈组合形式的多个存储器位的单个感测接触焊盘上的较高电流。
78.应当理解，图7的框图并不旨在指示方法700包括图7中示出的动作的全部。相反，方法700可以包括图7中未示出的更少或更多的组件。
79.图8是包括指令以引导处理器以便从通信能够更换的打印头墨盒通信传送所存储的数据的示例非暂时性计算机可读介质800的框图。计算机可读介质800可以包括处理器802，以执行从计算机可读介质800接收的指令。指令可以被存储在计算机可读介质800中。这些指令可以引导处理器802以便从通信能够更换的打印头膜盒通信传送所存储的数据，指令可以通过总线804作为电信号、光信号或用于在类似计算环境中传输数据的任何其他合适的通信手段来通信传送。
80.计算机可读介质800可以使用存储器位选择器806来选择多个存储器位。在示例中，多个存储器位各自对应于位于硅片上的流体致动器。多个存储器位可以对应于多个流体致动器，其中多个流体致动器位于多个硅片上。
81.计算机可读介质800可以使用模拟输入提供器808向多个存储器位提供输入模拟电信号。计算机可读介质800包括模拟输出测量器810，用于测量通信地连接到多个存储器位的单个感测接触焊盘上的输出模拟电信号，该测量针对呈组合形式的多个存储器位进行。在示例中，相对于单个感测接触焊盘上的单个存储器位的比较电压，输出模拟电信号被测量为呈组合形式的多个存储器位的单个感测接触焊盘上的较低电压。相对于单个感测接触焊盘上的单个存储器位的比较电流，输出模拟电信号被测量为呈组合形式的多个存储器位的单个感测接触焊盘上的较高电流。
82.应当理解的是，图8的框图并不旨在指示计算机可读介质800包括图8中示出的所有组件。相反，计算机可读介质800可以包括图8中未示出的更少或更多的组件。
83.图9是用于访问存储器单元的示例方法900的流程图。包括框902和框904的一些步骤的顺序可以以任何顺序执行，而诸如框906至框916的其他步骤以指示的序列执行。另外，虽然命名了特定的位、信号和诸如寄存器的电路组件，但是这些特定的元件仅仅是也可以具有相同结果的更一般的组件和元件的一个示例。
84.在框902，用于访问存储器的方法900包括在配置寄存器中写入nvm启用位。如本文所用，nvm启用位可以指启用可以充当存储器元件的浮栅雪崩金属氧化物半导体(famos)元件的位。如上所述，也可以使用能够存储信息位的至少两种状态并在两种状态之间切换的其他存储器元件。将nvm启用位写入配置寄存器也可以指除寄存器之外的其他存储器元件的其他示例。配置寄存器可以由能够接收和存储信息(诸如打印头片内的配置电路的nvm启用位)的其他电路或数据组织方法代替。
85.在框904，方法900包括利用数据线路加载喷嘴数据，其中喷嘴数据包括用于设置
数据流中的nvm启用位的信息，以及用于使用喷嘴的特定地址选择要访问的非易失性存储器(nvm)位的信息。如本文所用，可以有将电信号提供到打印片中的多条线路，该多条线路中的一条可以是数据线路。数据线路可以向一系列流体致动设备提供信息，例如响应于即将到来的激发信号选择哪些喷嘴将被激发。选择接下来哪些喷嘴要被激发可以被存储在对应于喷嘴的nvm位中。在示例中，由数据线路提供的选择数据还包括喷嘴选择数据中相对应的nvm启用位。在示例中，nvm启用位可以在喷嘴选择数据的报头或报尾中传输。如上所述，902和904可以以任意顺序完成。这两个步骤的结果是将nvm启用位写入到配置寄存器中，并在数据线路中设置nvm启用位。
86.在框906，从集成电路的激发焊盘驱动激发信号，首先驱动为高电平信号，然后为低电平信号。如本文所用，激发信号是通过与激发焊盘的电连接发送到每个喷嘴的信号。这些喷嘴可以被一起分组成称为基元的群组。除了喷嘴之外，寄存器的位还连接到激发线路，该激发线路在被激发时导致在配置寄存器处采取动作。如上所述，术语“寄存器”的使用是一种特定的实施方式，并且本文中设想了其他存储元件。如本文所用，被驱动为高电平然后为低电平的信号是指大致对应于信号的强度的信号的幅值，无论它是电流还是电压。在示例中，将激发信号驱动为高电平可以被解释为值1，而将激发信号驱动为低电平或者根本不驱动可以被解释为值0。在示例中，激发信号从0驱动到1再驱动到0。信令方面的变化可以指示何时应该采取行动，诸如激发喷嘴。将激发焊盘从高电平驱动到低电平已清零了配置寄存器的nvm启用位，但已经在集成电路内设置了内部锁存器。这个内部锁存器结合未来的信令可以实现存储器位的访问。
87.在框908中，方法900包括在配置寄存器中写入nvm启用位。这是与框902相同的步骤，但是在这种情况下，该步骤是在内部锁存器已经被设置并且配置寄存器中nvm启用位被清零之后执行的。当nvm启用位通过数据线路传输时将nvm启用位再次写入到配置寄存器中启用对存储器访问位的访问。
88.在框910中，方法900包括在存储器配置寄存器中写入存储器访问位。如本文所用，存储器配置寄存器可以是与配置寄存器分离的另一存储元件。在某些示例中，相比于配置寄存器，存储器配置寄存器中存在更少的位。一旦存储器访问位被写入到存储器配置寄存器中，就可以访问集成电路的存储器。存储器配置寄存器的启用的位可以充当使nvm或famos存储器元件能够被访问的控制信号。
89.在判定框912，基于由存储器配置寄存器的位指示的控制信号进行确定。如果存储器配置寄存器的位指示存储器写入，则方法900前进到框914。如果存储器配置寄存器的位不指示存储器写入，则方法900前进到框916。
90.在框914，在期望的写入时间内将激发焊盘驱动为高电平，然后驱动为低电平。在示例中，激发焊盘的驱动可以包括在激发线路上提供0信号、然后1信号、然后0信号。信号的值可以对应于激发线路上的电流或电压。在写入时间的持续期间，可以访问诸如famos的存储器元件。访问famos或其他存储器元件可以包括将信息写入到famos或存储器元件中。
91.在框916，可以将激发焊盘驱动为高电平，并且在感测线路上强加的电压或电流用于测量，然后将激发线路返回到低信号。如本文所用，感测线路可以指连接到诸如传感器焊盘的焊盘的传感器线路。感测线路可以用于检测集成电路中的状况，诸如打印片的裂纹或温度。无论进行到框914还是框916，激发信号的下降沿清零存储器配置寄存器，并清零配置
寄存器的nvm启用位。
92.图10是示出用于配置寄存器写入的示例信号集1000的图。如上所述，可以设想除寄存器之外的其他数据组织和存储结构。在示例中，可以使用其他存储元件来代替寄存器。提供信号集是来说明使用用于向诸如喷嘴的流体致动设备提供数据的相同线路来访问配置寄存器的一种方式。
93.信号集1000可以包括模式线路1002、激发线路1004、clk线路1006和数据线路1008。如本文所用，可以连接模式线路。如本文所用，线路可以指信号传输介质，诸如电信号的金属迹线。对于电信号，其他类型的导线也是可能的。同样地，如果发送电信号以外的信号，也可以使用适当的传输介质。模式线路1002可以指示模式可以连接到集成电路，诸如包括片配置寄存器的片。激发线路1004可以连接到集成电路的配置寄存器以及流体致动设备，并且可以指令流体致动设备将何时采取行动。这个动作可以包括将对应于所选择的流体致动器的墨滴朝向打印介质分散。响应于连接到配置寄存器的激发信号所采取的动作还可以包括写入或清零寄存器或存储器中的位。
94.clk线路1006示出了启用每个时钟节拍的上升动作上的动作的配置时钟信号。数据线路1008可以是特定打印片及其相关联的寄存器和存储器位的配置数据线路。当满足某些条件时，可以直接从数据线路1008接收配置数据。
95.例如，当模式线路1002上的信号转变为高电平1010同时数据线路1008也提供示出信号值为1的高电平信号1012时，配置寄存器可以被启用以便进行写入操作。在配置寄存器通过两条线路启用动作之后，另外的数据可以在时间上随着clk信号的上升沿移位到启用的串行寄存器中，如上升动作a 1014、上升动作b 1016、上升动作c 1018和上升动作d 1020所见。在时间上随着这些上升动作的每个，来自数据线路1008的数据可以被传输到配置寄存器。例如，当数据线路1008在clk线路1006上的上升动作a 1014时为高电平信令时，配置寄存器的第三位的位1022的数据可以被移位到寄存器中。同样地，当数据线路1008在clk线路1006上的上升动作b 1016时为低电平信令时，配置寄存器的第二位的位1024的数据可以被移位到寄存器中。在示例中，当数据线路1008在clk线路1006上的上升动作c 1018时为高电平信令时，配置寄存器的第一位的位1026的数据可以被移位到配置寄存器中。在示例中，当数据线路1008在clk线路1006上的上升动作d 1020时为高电平信令时，配置寄存器的第零位的位1028的数据可以被移位到寄存器中。这个示例示出了4位长的配置寄存器写入，因此示出了在clk线路1006上具有相对应的上升动作的情况下可以在数据线路1008上指示的数据的四个位置。如上所述，根据配置寄存器的大小，配置寄存器写入的其他长度在大小方面可以更大或更小。同样地，类似的信令可以用于写入到其他存储器配置，并且也可以根据存储器的大小和结构在长度和所传送的数据量方面进行改变。在示例中，clk的上升沿将数据移位到串行配置寄存器中，并且旧的/额外的位被移出末端，诸如mbits。
96.图11是使用多个启用的寄存器和喷嘴数据的对存储器位的示例访问1110的示意图。类似的编号项如图10所示。此外，为了连接到如图11所示的配置寄存器1102，模式线路1002、激发线路1004、clk线路1006和数据线路1008也可以通信地连接到存储器配置寄存器1104。由于存储器访问数据位(诸如nvm启用位)可以包括在喷嘴数据中，所以来自喷嘴数据1106的这个位可以使用至少在图9或图13中概述的方法写入到存储器配置寄存器1104。除了启用存储器访问或存储器访问写入模式之外，配置寄存器1102还可以具有用作控制信号
1108的位，用于测试集成电路(诸如裂纹检测、监视器启用、模拟延迟和组件验证)的元件。
97.存储器配置寄存器1104通过点数据流中的位被启用，诸如来自喷嘴数据1106的位以及配置寄存器1102中的配置寄存器存储器位1110。当三者被启用时，即喷嘴数据1106、配置寄存器存储器位1110和存储器配置寄存器1104中的位，则存储器配置寄存器1104被启用以访问存储器控制位1112。当激发线路1004发信号通知下降沿时，存储器配置寄存器1104中的位以及配置寄存器1102中的配置寄存器存储器位1110被清零。
98.图12是示出访问存储器单元的逻辑电路1200的示例的示意图。许多组件可能没有被示出，以便于对所示组件进行描述。附加地，在此示出的逻辑电路可以是相同片电路的一部分、可以是物理上分离的、并且也可以是在处于不同状态的同时执行不同任务的相同电路。例如，在一个示例中，流体致动电路可以与配置电路物理分离，而在另一示例中，它们可以是处于不同状态的相同电路。
99.逻辑电路1200可以包括流体致动电路1202。如本文所用，流体致动电路1202可以是使用选择信息1204来控制通过流体致动设备1206的分散流体的电路。在示例中，流体致动电路1202可以设置在集成电路上或集成电路内。流体致动设备1206可以是基元的群组中的基元。如本文所用，基元可以指朝向打印介质喷射或以其他方式置换流体(诸如墨)的流体分散喷嘴的群组。流体致动电路1202中的选择数据1204可以用于通过地址线路以及基元号或区域号来选择特定的喷嘴，以便指示哪些喷嘴可响应于激发信号而被激发。
100.选择信息1204还可以包括数据状态位1208。数据状态位1208可以被存储在选择信息1204的分组的报头或报尾。数据状态位也可以对应于0或1。在示例中，数据状态位的0可以指示数据状态位没有试图发起访问存储器单元1210的过程。存储在数据状态位1208中的1可以指示数据状态位正在发起访问存储器单元1210的过程。然而，为了访问存储器单元1210，当通过集成电路部署激发信号时，数据状态位1208、配置电路1212和存储器电路1214必须全部被启用。如本文所用，配置电路1212可以包括图11的配置寄存器1102以及其他位转换电路类型。如本文所用，存储器电路1214可以包括图11的存储器配置寄存器1104以及其他位转换电路类型。
101.配置电路1212可以被配置为具有配置访问状态，该配置访问状态可以被设置为启用状态和禁用状态之一，并在启用状态和禁用状态之间切换。在示例中，配置电路1212可以被配置为响应于配置状态位1216来启用和禁用配置访问状态。在示例中，配置状态位1216可以被存储在配置寄存器中。流体致动电路1202可以传输流体致动设备1206的选择信息1204，而在相同的数据和电路中，选择信息1204包括被设置为启用配置访问状态的数据状态位1208。因此，可以设置或改变配置状态位1216，使得配置电路1212从禁用状态变为启用状态。在示例中，数据状态位1208可以被设置为高电平值或1，并且这个数据可以被镜像、匹配或移位，使得启用状态反映在配置电路1212中。在示例中，这种镜像、匹配或移位可以由配置状态位1216进行，该配置状态位可以镜像数据状态位1208的值或信号。
102.存储器电路1214可以被配置为具有存储器访问状态，该存储器访问状态可以被设置为启用状态和禁用状态之一，并在启用状态和禁用状态之间切换。在示例中，存储器电路1214被配置为响应于存储器状态位1218来启用或禁用存储器访问状态。在示例中，存储器状态位1218可以响应于数据状态位1208和配置状态位1216(两者为高电平信令、各自具有值1，或者两者指示它们在clk信号上升动作或激发信号上升动作时被启用)而改变。
103.在示例中，通过使存储器电路1214的存储器访问状态和配置电路1212的配置访问状态两者被启用，使得存储器单元1210可访问。在示例中，当数据状态位1208以及配置电路1212的配置状态位1218和存储器电路1214的存储器状态位1218被启用时，则可以访问存储器单元1210。在示例中，可以响应于存储器访问状态被启用、配置访问状态被启用以及流体致动电路传输包括数据状态位被设置的选择信息来访问存储器单元。在示例中，随着配置电路1212和存储器电路1214的启用，数据状态位必须被设置为存储器访问状态。除非这些状态中的全部三个被启用否则禁止访问确保共享电路上可能存在的无意信号噪声不会被意外写入到存储器中。由于流体致动电路1202包括可以随时间选择大量的喷嘴以指示在激发信号时进行打印的选择数据1204，所以必须保护这个共享电路以确保这些信号不会影响存储器单元1210中的数据。因此，所描述的序列和必须被启用以访问存储器单元1210的状态位的数量允许保护存储器单元的数据，并且确保在期望时授权存储器单元访问。
104.在示例中，存储器单元1210在激发信号的持续时间内被访问。存储器单元1210的访问可以是写入到存储器单元1210或对存储器单元1210的修改或读取。在示例中，激发信号的下降沿将存储器访问状态设置为禁用状态，并将配置访问状态设置为禁用状态。禁用状态的设置可以通过将配置状态位1216和存储器状态位1218重置为0或重置为低电平信号或移除任何所存储的值来实现。
105.在示例中，存储器状态位1218、配置状态位1216和数据状态位1208将通过相同接口焊盘接收。在示例中，这可以是数据焊盘、clk焊盘、激发焊盘或取决于具体实施方式的其他焊盘。如本文所用，这些焊盘中的每个对应于电信号通过其被提供给各种逻辑电路1200的线路。在示例中，集成电路中的clk或时钟信号触发存储器状态位1218以启用存储器访问状态，并触发配置状态位1216以启用配置访问状态。如图10所示，这可能发生在上升动作上。在示例中，触发存储器状态位1218以启用存储器访问状态和触发配置状态位1216以启用配置访问状态也可以在时钟信号的下降沿上进行。
106.图13是用于响应于启用的访问状态来访问存储器单元的示例方法1300的流程图。所示的顺序可以包括或省略集成电路采取的动作，以便于对所示的元件进行描述。
107.在框1302，方法1300开始于将集成电路配置为具有可以被设置为启用状态和禁用状态中的一者的存储器访问状态。在示例中，配置电路响应于配置状态位来启用或禁用配置访问状态。
108.在框1304，方法1300包括利用流体致动电路传输流体致动设备的选择信息，该选择信息包括数据状态位。在示例中，存储器电路响应于存储器状态位来启用或禁用存储器访问状态。
109.在框1306，方法1300包括配置存储器单元阵列，使得每个存储器单元可通过启用存储器访问状态和设置数据状态位来访问。在示例中，访问存储器单元除了也启用数据状态位和存储器访问状态两者之外还包括启用配置访问状态。存储器单元可以在激发信号的持续时间内被访问。在示例中，激发信号的下降沿将存储器访问状态设置为禁用状态，并将配置访问状态设置为禁用状态。在示例中，存储器状态位、配置状态位和数据状态位将通过相同接口焊盘接收。方法1300还可以包括响应于时钟信号，触发存储器配置位以启用存储器访问状态，以及触发配置状态位以启用配置访问状态。
110.在示例中，为了访问存储器，步骤包括使用作为流体激活设备数据流的一部分的
数据来设置启用位。另外，在示例中，写入配置寄存器位。这两个步骤之后，将激发信号驱动至高电平，以允许设置内部启用位，并清零配置位。当配置位被第二次设置，并且内部启用位已经如上所述被设置时，则存储器配置寄存器可以被写入，以便设立读取/写入条件以及设立可以访问两种类型的存储器位中的哪一种。
111.图14是示例电路和存储器位写入规划1400的框图。类似的编号项如关于图4所述。
112.存储器电压调节器1402可以响应于单个激发信号上升动作向存储器位424提供电压，从而通过存储器和配置寄存器启用存储器写入模式。启用写入模式的示例至少关于图9至图13可以看到。存储器电压调节器1402可以从与流体致动器共享的共享功率源(vpp)1404接收功率。vpp焊盘1404可以指连接到流体致动器的共享功率(vpp)总线。在示例中，流体致动器是喷嘴。存储器电压调节器可以写入对应于所选择的流体致动器的存储器位。
113.可以使用高速数据路径选择被并行写入的存储器位，作为激发脉冲群组基元数据的一部分。在示例中，存储器位通过基元号和地址号进行选择，像流体致动器一样。通过基元号和地址号选择存储器位允许位于相同片内和相同地址上的多个存储器位被并行选择和写入。通过基元号和地址号选择存储器位还允许在相同打印头上的不同硅片内的多个存储器位被并行选择和写入。在一个示例中，不同的硅片可以在单个笔(诸如具有三个硅片的彩色笔)内。通过基元号和地址号选择和并行写入存储器位还允许选择多个硅片上的多个存储器位。这些硅位也可以在打印系统内的多个打印头上，诸如在彩色笔和黑色笔中并行写入存储器位。
114.当按地址选择位时，每个唯一的硅片可以在不同的地址号上选择位，但相同硅片内的位将在相同的地址上进行选择。这通过在片内或打印头内的条上并行写入多个位来减少笔制造测试时间。进一步，本技术通过使用激发焊盘信号来控制写入时间，改善了对编程电平的控制。
115.在示例中，激发信号实际上并没有到达存储器电压调节器1402。替代地，存储器电压调节器1402通过使用图9至图13中示出的序列由片已经进入的存储器访问模式状态来启用。一旦存储器电压调节器1402被启用，激发信号中的上升动作可以启用存储器。启用存储器位允许电流从存储器电压调节器1402流过存储器位的所选择的组合，从而并行编程这些存储器位。
116.图15是利用存储器电压调节器向存储器位的所选择的组合提供写入电压的示例方法1500的流程图。所示的顺序可以包括或省略集成电路采取的动作，以便于对所示的元件进行描述。
117.在框1502，方法1500包括选择多个存储器位中的至少一个存储器位和激发脉冲群组的激发致动器。在示例中，选择存储器位组合是利用单个激发脉冲群组来进行的。流体致动设备的数量可以利用用于访问存储器的相同数据线路来驱动。在示例中，响应于单个激发信号上升动作，每次一个地或并行地写入存储器位的所选择的组合中的每一个。在示例中，存储器位的所选择的组合中的第一存储器位位于第一硅片上，并且存储器位的所选择的组合中的第二存储器位位于第二硅片上。在示例中，第一硅片位于第一打印笔中，并且第二硅片位于第二打印笔中。在示例中，多个存储器位中的每个对应于流体致动器。在示例中，在由单个激发脉冲群组中的基元号和地址号选择的数据中标识多个存储器位的所选择的组合。
118.在框1504，方法1500包括利用存储器电压调节器向多个存储器位中的至少一个存储器位提供写入电压。在示例中，在单个激发信号的持续时间期间，存储器电压调节器向多个存储器位的所选择的组合提供写入电压。
119.图16是示出具有与每个流体致动器相关联的多个存储器位的集成电路1600的另一示例的框图。元件之间的连接可以是信号路径、迹线或其他导电或通信连接。集成电路1600可以包括多个流体致动设备16020至1602
n
、多个存储器单元1604
0a
至1604
nb
、选择电路1606和控制逻辑1608。此外，集成电路1602包括写入电路1610、传感器1612和配置寄存器1614。
120.在这个示例中，选择电路1606包括地址解码器1616和激活逻辑1618。地址解码器1616通过数据接口1620接收地址和数据。地址解码器1616电耦合到激活逻辑1618。激活逻辑1618通过激发接口1622接收激发信号。每个存储器单元1604
0a
至1604
nb
通过感测接口1624电耦合到写入电路1610。传感器1612通过信号路径电耦合到控制逻辑1608和电耦合到感测接口1624。
121.地址解码器1616响应于地址选择流体致动设备16020至1602
n
和对应于所选择的流体致动设备16020至1602
n
的存储器单元1604
0a
至1604
nb
。如图所示，每个流体致动设备1602n具有多个存储器单元1604
na
和1604
nb
。在示例中，每个流体致动设备1602
n
的多个存储器单元1604
na
和1604
nb
可以位于配置寄存器1614的外部。
122.地址可以通过数据接口1620接收。在示例中，激活逻辑1618基于数据信号和激发信号激活所选择的流体致动设备16020至1602
n
以及对应于选定的流体致动设备16020至1602
n
的存储器单元1604
0a
至1604
nb
。数据信号可以包括指示将选择用于所提供的地址的选择哪个(哪些)流体致动设备的喷嘴数据。数据信号可以通过数据接口1620接收。触发信号指示所选择的流体致动设备何时将被激活(即，激发)或相对应的存储器单元何时将被访问。激发信号可以通过激发接口1622接收。数据接口1620、激发接口1622和感测接口1624中的每个可以是接触焊盘、引脚、凸块、导线或用于向和/或从集成电路1600传输信号的其他合适的电接口。接口1620、1622和1624中的每个可以电耦合到流体喷射系统。
123.配置寄存器1614存储数据以启用或禁用对多个存储器单元1604
0a
至1604
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的访问。控制逻辑1608基于存储在配置寄存器1614中的数据，激活所选择的流体致动设备16020至1602
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，或者访问对应于所选择的流体致动设备16020至1602
n
的存储器单元1604
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至1 604
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。在一个示例中，配置寄存器1614可以具有对应于多个存储单元1604
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至1604
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的多个位。在另一示例中，配置寄存器1614还存储或传输数据以启用或禁用传感器1612。
124.配置寄存器1614可以是存储器设备(例如，非易失性存储器、移位寄存器等)，并且可以包括任何合适的数量的位(例如，4个位至24个位，诸如12个位)，并且可以包括流体致动设备16020至1602
n
中的每个的多个位。在某些示例中，配置寄存器1614还可以存储用于测试集成电路1600、检测集成电路1600的基底内的裂纹、启用集成电路1600的定时器、设置集成电路1600的模拟延迟、验证集成电路1600的操作或者用于配置集成电路1600的其他功能的配置数据。
125.当已经由控制逻辑1608访问了所选择的存储器单元1604
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至1604
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时，可以通过感测接口1624读取存储在存储器单元1604
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至1604
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中的数据。此外，当已经由控制逻辑1608访问了所选择的存储器单元1604
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至1604
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时，写入电路1610可以向所选择的存储器
单元写入数据。传感器1612可以是结型设备(例如，热二极管)、电阻性设备(例如，裂纹检测器)或用于感测集成电路1600的状态的另一合适的设备。传感器1612可以通过感测接口1624读取。
126.虽然本技术可以受到各种修改和替代形式的影响，但是上面讨论的技术已经通过示例示出。应当理解，该技术不旨在局限于本文公开的特定示例。实际上，本技术包括落入以下权利要求的范围内的所有替代性方案、修改和等同物。