半导体结构的制备方法及半导体结构与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成套刻标记，所述套刻标记具有凹陷结构；在所述套刻标记上依次堆叠形成第一碳层、硬掩膜层、第二碳层及抗反射层，其中，所述第一碳层覆盖所述凹陷结构，所述第二碳层具有平坦的上表面。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述抗反射层上形成光刻胶图案层之后对所述光刻胶图案层进行返工处理。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成套刻标记的步骤，包括：在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层包括第一区域和第二区域；在所述第一介质层的所述第一区域和所述第二区域上形成多个第一沟槽；在所述第一沟槽内填充第二介质层；所述第二介质层的顶部与所述第一介质层的顶部齐平；在所述第一区域与所述第二区域之间形成第二沟槽，其中，所述第二沟槽的底部位于所述衬底内。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述第二沟槽的底部形成弧形开口的内衬结构，所述内衬结构的底部和侧壁分别与所述第二沟槽的底部和侧壁相吻合，所述内衬结构和所述第二沟槽构成所述凹陷结构。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的材质包括氮化硅，所述第二介质层的材质包括二氧化硅。6.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述内衬结构的材质包括钨。7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述抗反射层的厚度小于所述第二碳层的厚度。8.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；套刻标记，位于所述衬底上，所述套刻标记包括凹陷结构；第一碳层，覆盖所述凹陷结构；硬掩膜层、第二碳层及抗反射层依次堆叠于所述第一碳层上，所述第二碳层具有平坦的上表面。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述套刻标记还包括：具有多个第一沟槽的第一介质层，所述第一介质层包括第一区域和第二区域；所述第一沟槽形成于所述第一区域和所述第二区域；位于所述第一沟槽内的第二介质层，所述第二介质层的顶部与所述第一介质层的顶部齐平。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述凹陷结构位于所述第一区域和所述第二区域之间；所述凹陷结构包括：第二沟槽，所述第二沟槽的底部位于所述衬底内；
内衬结构，所述内衬结构具有弧形开口，且所述内衬结构的底部和侧壁分别与所述第二沟槽的底部和侧壁相吻合。11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述内衬结构的顶部与所述第一介质层的顶部齐平。12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的材质包括氮化硅，所述第二介质层的材质包括二氧化硅。13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述内衬结构的材质包括钨。14.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述抗反射层的厚度小于所述第二碳层的厚度。15.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一碳层和所述硬掩膜层共形的覆盖在所述第二沟槽的内表面。16.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：返工处理后形成的位于所述抗反射层上方图案化的光刻胶层。

技术总结
本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供衬底；在所述衬底上形成套刻标记，所述套刻标记具有凹陷结构；在所述套刻标记上依次堆叠形成第一碳层、硬掩膜层、第二碳层及抗反射层，其中，所述第一碳层覆盖所述凹陷结构，所述第二碳层具有平坦的上表面。上述半导体结构的制备方法能使得套刻标记的测量免遭测量噪声的影响。的测量免遭测量噪声的影响。的测量免遭测量噪声的影响。


技术研发人员：刘俊杰
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2021.07.08
技术公布日：2021/10/18