发声装置和耳机的制作方法

1.本实用新型涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声装置和耳机。


背景技术：

2.常规的耳机的发声装置一般只包含一个振动单元，这种结构设计比较简单，但是却无法很好地兼顾产品在高频和低频时不同频段的性能和音质，音质较差，有一些耳机的低频性能较好，一些则是高频性能较好。双振动单元的发声装置能够满足低频和高频同时工作，对于产品的性能曲线和听音的音质具有互补和提升的作用。但是现有的双振动单元的发声装置一般采用外接堆叠式，即高音单元和低音单元为上下同向或对向结构，占用空间大，磁路利用率低，频宽及音质略有不足。


技术实现要素：

3.本实用新型的主要目的是提供一种发声装置和耳机，旨在解决现有的能够同时满足高频和低频效果的发声装置占用空间大的技术问题。
4.为实现上述目的，本实用新型提供的所述发声装置包括：
5.外壳；
6.高音单元，所述高音单元与所述外壳固定且位于所述外壳内，所述高音单元包括导磁壳体、以及设于所述导磁壳体内的导磁振膜和高音磁路系统，所述导磁振膜悬置于所述高音磁路系统中，所述高音磁路系统用于产生交变电磁场以驱动所述导磁振膜振动；
7.低音单元，所述低音单元与所述外壳固定且位于所述外壳内，所述低音单元包括低音磁路组件、低音振膜以及与所述低音振膜连接的低音音圈，所述低音磁路组件与所述导磁壳体之间形成供所述低音音圈插入的低音磁间隙。
8.可选地，所述高音磁路系统包括两个相对间隔设置的高音磁路组件，所述导磁振膜悬置于两个所述高音磁路组件之间，所述高音磁路组件包括贴设在所述导磁壳体上第一磁钢和绕所述第一磁钢设置的线圈。
9.可选地，所述外壳包括依次连接的前盖、中壳和后盖，所述导磁壳体与所述前盖固定，所述第二磁钢分别与所述前盖以及所述中壳固定，所述低音振膜固定于所述后盖。
10.可选地，所述导磁壳体包括互相拼合的第一导磁壳和第二导磁壳，所述第一导磁壳与所述前盖固定，所述导磁振膜设置在所述第一导磁壳和所述第二导磁壳之间，两个所述高音磁路组件分别设置在所述第一导磁壳和所述导磁振膜围绕的空间内、以及所述第二导磁壳和所述导磁振膜围绕的空间内。
11.可选地，所述第一导磁壳包括顶壁和自所述顶壁延伸的第一侧壁，所述第二导磁壳包括底壁和自所述底壁延伸的第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁互相拼合形成导磁侧围，所述导磁侧围与所述第二磁钢之间形成所述低音磁间隙；两个所述高音磁路组件中一个所述高音磁路组件的第一磁钢设于所述顶壁上并与所述第一侧壁之间形成第一间隙，另一个所述高音磁路组件的第一磁钢设于所述底壁上并与所述第二侧壁之间形成第二
间隙，两个所述线圈分别设置于所述第一间隙和所述第二间隙内。
12.可选地，所述前盖开设有通孔，所述顶壁包括壁本体以及自所述壁本体的边缘向所述导磁振膜的方向凹陷形成的第一台阶，所述前盖沿所述通孔外周的部分卡置在所述第一台阶上，以使所述壁本体露出于所述通孔，所述第一磁钢开设有开口朝向所述导磁振膜的气流通道，所述顶壁上开设有连通所述气流通道的高音出声孔。
13.可选地，所述前盖上开设有与所述低音磁间隙互相连通的低音出声孔。
14.可选地，所述低音单元还包括定心支片，所述定心支片分别与所述低音振膜以及所述中壳固定。
15.可选地，所述低音磁路组件包括第二磁钢以及固定于所述第二磁钢的华司，所述第二磁钢与所述外壳固定。
16.可选地，所述中壳的内侧形成有第二台阶和第三台阶，所述第二磁钢夹设在所述前盖和所述第二台阶之间，所述低音单元还包括华司，所述华司夹设在所述第二台阶和所述第三台阶之间。
17.可选地，所述后盖包括底盖部和绕所述底盖部周向环绕的侧盖部，低音单元还包括位于所述低音振膜与所述底盖部之间的被动辐射膜，所述被动辐射膜与所述低音振膜对应设置，所述被动辐射膜的边缘固定在所述侧盖部形成的第四台阶上。
18.本实用新型还提供了一种耳机，所述耳机包括如上所述的发声装置。
19.本实用新型中通过在外壳中设置高音单元和低音单元，兼顾了高频和低频的性能，且高音单元包括导磁壳体、以及设于导磁壳体内的导磁振膜和高音磁路系统，导磁振膜悬置于高音磁路系统中，从而可通过控制高音磁路系统产生交变电磁场，导磁振膜在交变电磁场作用下可以在振动空间内振动，省去设置与高音振膜连接的音圈，使得仅导磁振膜振动，高音磁路系统所要驱动的振动部件质量小，声电转换效率高。另外，低音单元包括低音磁路组件、低音振膜以及与低音振膜连接的低音音圈，低音磁路组件与导磁壳体之间形成供低音音圈插入的低音磁间隙，高音单元嵌入低音单元中，直接替代低音单元的中心磁路部分，提供磁通量的同时，降低了整个发声装置的高度，减小了发声装置在耳机中的占用空间，且提升了磁路效率。
附图说明
20.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
21.图1为本实用新型一实施例的发声装置剖面结构示意图；
22.图2为本实用新型一实施例的发声装置拆解结构示意图；
23.图3为本实用新型一实施例的发声装置的高音单元的剖面结构示意图；
24.图4为本实用新型一实施例的发声装置的高音单元的解结构示意图；
25.图5为图1的发声装置的部分示意图；
26.图6为本实用新型一实施例发声装置高音单元的线圈不通电情况下的受力分析示意图；
27.图7为本实用新型一实施例发声装置高音单元的线圈通电情况下的受力分析示意图。
28.实施例附图标号说明：
29.标号名称标号名称10发声装置20外壳21前盖211通孔212低音出声孔22中壳221第二台阶222第三台阶223第六台阶23后盖231底盖部232侧盖部2321第四台阶2322第五台阶2323装配耳30高音单元31导磁壳体311第一导磁壳3111顶壁3112第一侧壁3113壁本体3114第一台阶312第二导磁壳3121底壁3122第二侧壁32高音磁路系统33高音磁路组件331第一磁钢332线圈333传音导磁体35气流通道36高音出声孔40低音单元41第二磁钢42低音振膜43低音音圈44固定环45华司46被动辐射膜47低音磁间隙48定心支片37导磁振膜38第一通气孔
ꢀꢀ
30.本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
31.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
32.需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
33.另外，在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方
案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
34.本实用新型所指的“上”、“下”是以图1所示的方位为基准，仅用于解释在图1所示姿态下各部件之间的相对位置关系，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
35.如图1所示，本实用新型提出一种发声装置10，包括：
36.外壳20；
37.高音单元30，高音单元30与外壳20固定且位于外壳20内，高音单元30包括导磁壳体31、以及设于导磁壳体31内的导磁振膜37和高音磁路系统32，导磁振膜37悬置于高音磁路系统32中，高音磁路系统32用于产生交变电磁场以驱动导磁振膜37振动；
38.低音单元40，低音单元40与外壳20固定且位于外壳20内，低音单元40包括低音磁路组件、低音振膜42以及与低音振膜42连接的低音音圈43，低音磁路组件与导磁壳体31之间形成供低音音圈43插入的低音磁间隙47，低音单元40和高音单元30同轴设置。
39.在本实用新型的高音单元30中未设置与导磁振膜37连接的音圈，与常规的音圈驱动振膜的方式不相同，高音磁路系统32可产生交变电磁场，导磁振膜37直接在该交变电磁场的作用下振动发声，即在高音磁路系统32形成的振动空间内振动发声。在该高音单元30发声过程中，仅导磁振膜37运动。高音单元30和低音单元40位于同一条轴线上，低音单元40的低音磁路组件位于导磁壳体31的外侧，且低音磁路组件与导磁壳体31间隔设置，以形成低音磁间隙47，低音音圈43的下端与低音振膜42固定，低音音圈43悬置于低音磁间隙47中，低音音圈43通电后发生振动，从而带动低音振膜42振动发声。本实用新型兼顾低音、高音全频段音质，具有更好的听感，而且低音单元40和高音单元30同轴设置，高音单元30嵌入整体嵌入低音单元40中，直接替代低音单元40的中心磁路部分，不仅兼顾了发声装置10的高频和低频性能，提供磁通量的同时，提升了磁路效率，且降低了发声装置10的整体高度，减小了发声装置10在耳机中的占用空间。
40.具体地，如图1和图3所示，高音磁路系统32包括两个相对间隔设置的高音磁路组件33，导磁振膜37悬置于两个高音磁路组件33之间，高音磁路组件33包括贴设在导磁壳体31上第一磁钢331和绕第一磁钢331设置的线圈332，线圈332与导磁振膜37间隔设置。位于导磁振膜37两侧的线圈332通电时，两个高音磁路组件33相互作用下产生交变电磁场，导磁振膜37直接在该交变电磁场的作用下，沿两个高音磁路组件33的连线方向移动，即在两个高音磁路组件33之间形成的振动空间内振动发声。在该发声装置10发声过程中，仅导磁振膜37运动，磁路系统32中的线圈332和第一磁钢331可以不动。位于导磁振膜37两侧的线圈332不通电时，导磁振膜37仅受到位于两侧的第一磁钢331产生的磁场作用，此时可通过控制两个第一磁钢331的磁性大小、形状大小等，以使得导磁振膜373可在振动空间中的预设位置处保持静止。
41.相较于将线圈332设置在第一磁钢331内侧的设置方式，本实用新型通过将线圈332绕第一磁钢331设置，使得磁路系统32产生的磁场中，中心区域的磁场强度相较于边沿区域的磁场强度更大，进一步使得线圈332通电时，导磁振膜37的中心区域感受到的磁通量变化大于导磁振膜37的边沿区域受到的磁通量变化，即导磁振膜37的中心区域受到的驱动
力大于导磁振膜37的边沿区域受到的驱动力，以使导磁振膜37更容易受交变电磁场作用而发声振动。在一实施例中，第一磁钢331、线圈332和平衡振膜同轴设置，以有利于振动平衡。
42.在本实用新型中，通过在导磁振膜37的两侧设置高音磁路组件33，从而可通过控制线圈332的通电情况，使得高音磁路系统32产生交变电磁场，导磁振膜37在交变电磁场作用下可以在振动空间内振动，省去设置与振膜连接的音圈，使得仅导磁振膜37振动，高音磁路系统32所要驱动的振动部件质量小，声电转换效率高；本实用新型通过将线圈332绕第一磁钢331设置，使得导磁振膜37的中心区域产生的驱动力更大，有利于导磁振膜37产生振动。
43.进一步地，两个高音磁路组件33的第一磁钢331的充磁方向相同，两个高音磁路组件33的线圈332的电流方向相反。在线圈332不通电情况下，由于导磁振膜37受到两个第一磁钢331的磁力方向相反，使得导磁振膜37可以平衡的悬置在两个第一磁钢331之间。在导磁振膜37上下的线圈332电流方向相反方向时，线圈332产生交变电磁场，导磁振膜37在交变电磁场的作用下沿上下方向振动，从而可以通过控制线圈332中电流，控制导磁振膜37振动发声。
44.请参阅图6和图7，其中图6为线圈332不通电情况下，一实施例中导磁振膜37的受力分析图；图7为线圈332通电情况下，一实施例中导磁振膜37的受力分析图。在图6所示的实施例中，位于导磁振膜37上方的第一磁钢331和位于导磁振膜37下方的第一磁钢331均为上端为n极、下端为s极，即第一磁钢331的充磁方向相同，磁感线所示方向由n极出来进入s极，同时由于导磁振膜37具有导磁性，使得磁感线为图中箭头所示方向。由于导磁振膜37受到两个第一磁钢331的磁力方向相反，使得导磁振膜37可以平衡的悬置在两个第一磁钢331之间。
45.在图7所示的实施例中，位于导磁振膜37上方的第一磁钢331和位于导磁振膜37下方的第一磁钢331均为上端为n极、下端为s极，同时位于上方第一磁钢331外侧的线圈332的电流方向为左侧进、右侧出，位于下方第一磁钢331外侧的线圈332的电流方向为右侧进、左侧出，即两个线圈332的电流方向相反。根据安培定则，确定位于导磁振膜37上方的线圈332中，上端为s极、下端为n级，位于导磁振膜37下方的线圈332中，上端为n极、下端为s级。
46.导磁振膜37的相对两侧被上方第一磁钢331和下方第一磁钢331磁化产生极性，导磁振膜37的上侧为n极，下侧为s极；上方线圈332的下端为n极与导磁振膜37的上侧同性相斥，下方线圈332的上端为n极与导磁振膜37的下侧异性相吸，使得导磁振膜37在两个叠加力的作用下，向下形变产生振动，从而进一步提高该发声装置10的电声转换效率。
47.从另一角度考虑，如图6所示，两个线圈不通电时，导磁振膜中的磁通量为φa＝φ
g1
φ
g2
＝φ
g
(
‑
φ
g
)≈0；其中，φ
g1
为上方第一磁钢331产生的磁通量，φ
g1
的方向定义为正方向，φ
g2
为下方方第一磁钢331产生的磁通量，下方第一磁钢331产生的磁通量与上方第一磁钢331产生的磁通量大小相同、方向相反，其方向为负方向。
48.如图7所示，两个线圈通入反向电流时，导磁振膜37受到上方高音磁路组件33的磁通量为：φ1＝φ
g1
φ
i1
＝φ
g
(
‑
φ
i
)，其中，上方线圈332电流产生的磁通量方向与上方第一磁钢331产生的磁通量方向相反，为负方向。
49.导磁振膜37受到下方高音磁路组件33的磁通量为：φ2＝φ
g2
φ
i2
＝(
‑
φ
g
) (
‑
φ
i
)，下方线圈332电流产生的磁通量方向与下方第一磁钢331产生的磁通量方向相同，为
负方向。
50.因此，导磁振膜37受到上方高音磁路组件33的磁通量φ1＜导磁振膜37受到下方高音磁路组件33的磁通量φ2。
51.并且，两个线圈332通入反向电流时，φa'＝φ
1
φ
2＝
φ
g
(
‑
φ
i
) (
‑
φ
g
) (
‑
φ
i
)＝
‑
2φ
i
，若此通电状态末状态，不通电位初始状态，导磁振膜37中的磁通量变化量为：
△
φ＝φa'
‑
φa＝
‑
2φ
i
‑
0＝
‑
2φ
i
。导磁振膜37受到的电磁力fφ与磁通量变化率成正比，即fφ与
△
φ/
△
t＝
‑
2φ
i
/
△
t成正比。
52.在图7所示实施例中，电磁力fφ推动导磁振膜37向靠近下方高音磁路组件33运动。同样地，在导磁振膜37上下的线圈332电流方向为图7所示相反方向时，通过上述推导过程可知，导磁振膜37受到上方高音磁路组件33的磁通量φ1'＞导磁振膜37受到下方高音磁路组件33的磁通量φ2'，并且，导磁振膜37受到的电磁力fφ'与磁通量变化率成正比，即fφ'与
△
φ'/
△
t＝2φ
i
/
△
t成正比。高音磁路组件33产生的电磁力推动导磁振膜37向靠近上方高音磁路组件33运动，从而可以通过控制线圈332中电流，控制导磁振膜37振动发声。
53.低音磁路组件包括第二磁钢41以及固定于第二磁钢41的华司45，第二磁钢41与外壳20固定，华司45与导磁壳体31之间形成低音磁间隙47。可选地，如图1和图2所示，外壳20包括依次连接的前盖21、中壳22和后盖23，导磁壳体31与前盖21固定，第二磁钢41分别与前盖21以及中壳22固定，低音振膜42固定于后盖23。中壳22位于发声装置10的侧部，用于连接前盖21和后盖23且能够固定低音单元40的第二磁钢41，前盖21用于固定低音单元40的第二磁钢41以及高音单元30，后盖23用于固定低音单元40的振动系统。前盖21的设置使得高音单元30能够嵌入低音单元40中，结构紧凑，减小了发声装置10的占用空间。
54.如图1、图3和图4所示，导磁壳体31包括互相拼合的第一导磁壳311和第二导磁壳312，第一导磁壳311与前盖21固定，导磁振膜37设置在第一导磁壳311和第二导磁壳312之间，两个高音磁路组件33分别设置在第一导磁壳311和导磁振膜37围绕的空间内、以及第二导磁壳312和导磁振膜37围绕的空间内。第一导磁壳311位于第二导磁壳312的上侧，第一导磁壳311的上端与前盖21固定，其余部分悬置在外壳20内部。第一导磁壳311和第二导磁壳312的侧部分别与第一磁钢331间隔设置，第一磁钢331可为间隔套设在高音单元30外侧的环状结构，增加了低音单元40的磁通量。
55.具体地，第一导磁壳311包括顶壁3111和自顶壁3111延伸的第一侧壁3112，第二导磁壳312包括底壁3121和自底壁3121延伸的第二侧壁3122，第一侧壁3112和第二侧壁3122互相拼合形成导磁侧围，导磁侧围与第二磁钢41之间形成低音磁间隙47；两个高音磁路组件33中一个高音磁路组件33的第一磁钢331设于顶壁3111上并与第一侧壁3112之间形成第一间隙，另一个高音磁路组件33的第一磁钢331设于底壁3121上并与第二侧壁3122之间形成第二间隙，两个线圈332分别设置于第一间隙和第二间隙内。即由外至内，第一侧壁3112、一线圈332和一第一磁钢331依次套设，第二侧壁3122、另一线圈332和另一第一磁钢331依次套设。第一磁钢331可以直接贴设在顶壁3111或底壁3121上，同时线圈332可以绕制在第一磁钢331上，也可以预先绕制后贴设在顶壁3111或底壁3121上。高音磁路组件33的各部件通过依次套设，从而有效减小发声装置10高音单元30的尺寸。第一侧壁3112和第二侧壁3122分别从所述导磁振膜37的相对两侧固定所述导磁振膜37，即导磁振膜37的边沿可通过打胶、焊接等方式固设在第一侧壁3112或第二侧壁3122的端部，再将第一导磁壳311和第二
导磁壳312配合盖设固定，从而方便产品组装。同时由于导磁振膜37直接通过第一导磁壳311和第二导磁壳312固定，使得导磁振膜37与高音磁路组件33之间未设置其他固定部件，导磁振膜37和高音磁路组件33之间的磁场分布不受其他固定部件影响，有利于提升声电转换效率。
56.进一步地，前盖21开设有通孔211，顶壁3111包括壁本体3113以及自壁本体3113的边缘向导磁振膜37的方向凹陷形成的第一台阶3114，前盖21沿通孔211外周的部分卡置在第一台阶3114上，以使壁本体3113露出于通孔211，第一磁钢331开设有开口朝向导磁振膜37的气流通道35，顶壁3111上开设有连通气流通道35的高音出声孔36。第一台阶3114的便于前盖21和高音单元30之间的装配，通孔211的设置可使得高音出声孔36露出，通过开设高音出声孔36，导磁振膜37在导磁壳体31内振动，导磁振膜37推动的气流可以通过气流通道35和高音出声孔36传到外部。在一实施例中，底壁3121上对应气流通道35开设有第一通气孔38，高音出声孔36、气流通道35和低音出声孔38位于同一轴线上。从而有利于保持高音单元30和低音单元内的气压平衡。
57.高音磁路组件33还包括设于气流通道35内的传音导磁体333，传音导磁体333内分布有若干孔隙结构。传音导磁体333为导磁件，从而可增加高音磁路组件33的导磁性，由于分布有孔隙结构，使得导磁壳体31内的空气可以通过孔隙结构与外部连通，导磁振膜37推动的气流依然可以通过孔隙结构传到外部。在本实施例中，第一磁钢331和传音导磁体333为分别独立设置的部件，传音导磁体333可以为泡沫铁镍。在其他实施例中，第一磁钢331和传音导磁体333也可以为一体成型结构。
58.本实施例的导磁振膜37为平面导磁振膜37。相较于现有技术中具有折环结构的振膜，本实施例提供的平面导磁振膜37可以减小发声装置10的尺寸。具体地，导磁振膜37包括金属主体，金属主体包括不锈钢、硅钢、碳素钢、铁镍合金、铁钴钒合金、软磁铁氧体中的一种或多种。相较于橡胶材质或纸质的振膜，金属主体振动时，发出的音质具有金属质感。导磁振膜37还包括设于金属主体上的阻尼层，所述阻尼层可以是阻尼胶或者聚酯膜等高分子聚合物，还可以是聚氨酯等树脂材质。通过阻尼层可以调节导磁振膜37的阻尼性，有利于导磁振膜37振动的平衡，带来更加细腻的听感。在另一实施例中，所述导磁振膜37包括基材和设于所述基材上的导磁层，所述基材为金属或非金属、弹性体或非弹性体中任意一种，所述导磁层为镍、铁镍合金、铁磷合金等具有软磁性质的粉末通过镀覆、沉积、磁控溅射等设置于基材上。
59.更具体地，如图2所示，前盖21上开设有与低音磁间隙47互相连通的低音出声孔212，低音出声孔212与低音磁间隙47对应设置。高音单元30正对耳机整机出音方向，低音单元40的出音路径是低音振膜42下方磁路间隙在由低音出声孔212流出。低音出声孔212的数量可为多个，以进一步提高低音单元40的低频性能。
60.低音单元40还包括定心支片48，定心支片48分别与低音振膜42以及中壳22固定。定心支片48一端可固定在低音音圈43远离低音振膜42的端部，另一端固定在中壳22上，可保证低音振动状态线性平衡，抑制偏振。
61.如图5(图5为去除前盖和高音单元的发声装置的剖面示意图)所示，中壳22的内侧形成有第二台阶221和第三台阶222，第二磁钢41夹设在前盖21和第二台阶221之间，低音单元40还包括华司45，华司45夹设在第二台阶221和第三台阶222之间。第三台阶222位于第二
台阶221的下方，不仅便于低音单元40的装配且结构紧凑牢固。华司45与第二磁钢41的形状匹配，全部贴设在第二磁钢41上，进一步提高了低音单元40的磁通量。
62.在一实施例中，后盖23包括底盖部231和绕底盖部231周向环绕的侧盖部232，低音单元40还包括位于低音振膜42与底盖部231之间的被动辐射膜46，被动辐射膜46与低音振膜42对应设置，被动辐射膜46的边缘固定在侧盖部232形成的第四台阶2321上。底盖部231与高音振膜背向设置，底盖部231具有保护、防尘等作用。被动辐射膜46分别与低音振膜42和底盖部231间隔设置，当低音振膜42振动时，低音振膜42位于被动辐射膜46之间产生的气压被压缩或扩展，在气压变化的作用下，被动辐射膜46产生振动，便于低频信号的扩散，可提升低音的量感，还能降低谐振频率，可以有效提升发声装置10的低频性能。底盖部231可保护被动辐射膜46，防止被动辐射振膜因意外被刮伤或碰撞，同时底盖部231上可开设第二通气孔，可将被动辐射膜46与底盖部231之间的气流及时疏通，保证内外气压平衡。
63.侧盖部232还形成有第五台阶2322，低音振膜42通过固定环44固定在第五台阶2322上。低音振膜42的边缘固定夹设在侧盖部232的第五台阶2322和固定环44之间，固定环44将低音振膜42稳定地固定在侧盖部232上，增强了发声装置10的整体结构的强度。在侧盖部232远离底盖部231的一端形成有装配耳2323，中壳22的外侧形成有第六台阶223，第六台阶223与该装配耳2323固定，装配耳2323可用于将整个发生单体装配至耳机的主体上。
64.此外，本实用新型还提供了一种耳机，耳机包括如上的发声装置10。由于该耳机采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
65.以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。